碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
- 關鍵字： 過壓保護 開關浪涌 MOSFET
基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
- 得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優(yōu)勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
- 關鍵字： SiC 高電壓電池 斷開開關
英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎
- 英飛凌1992年開始碳化硅技術研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領碳化硅技術發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業(yè)與基礎設施領域的應用和
- 關鍵字： 英飛凌 碳化硅 能源 工業(yè)設備
為什么超大規(guī)模數(shù)據中心要選用SiC MOSFET？
- 如今，數(shù)據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數(shù)據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數(shù)據中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
- 關鍵字： 安森美 MOSFET 數(shù)據中心
30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴
- 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
- 關鍵字： 碳化硅 零碳技術 英飛凌
英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴
- 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
- 關鍵字： 英飛凌 碳化硅
雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車 電源控制系統(tǒng)
- ●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
- 關鍵字： 雷諾 安培 意法半導體 碳化硅 電動汽車電源 電源控制系統(tǒng)
安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數(shù)據中心的電源產品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
- 關鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據中心電源
安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術
- 據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經理
- 關鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
碳化硅可靠性驗證要點
- 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
- 關鍵字： WBG SiC 半導體
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