碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預(yù)計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單，并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
- 關(guān)鍵字： 悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
- Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2060 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
- 關(guān)鍵字： 碳化硅
貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
- 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 圖1 半導(dǎo)體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
- 關(guān)鍵字： 電動汽車 光伏逆變器 SiC
安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進電氣化轉(zhuǎn)型
- 新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經(jīng)過實際驗證的平面架構(gòu)，以獨特方式降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品 ? ? ?面對不斷升級
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 電氣化轉(zhuǎn)型
環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
- 當(dāng)?shù)貢r間7月17日，美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導(dǎo)體元件供應(yīng)鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
- 關(guān)鍵字： 環(huán)球晶圓 晶圓廠 碳化硅
英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應(yīng)用
- OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
- 關(guān)鍵字： OptiMOS MOSFET 英飛凌
基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
- 引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險，在
- 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體 銅燒結(jié) 碳化硅 功率模塊
碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠
- 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
- 關(guān)鍵字： 碳化硅
用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué)，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 襯底
ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸
- 6月28日，據(jù)韓媒報道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價格向市場供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉(zhuǎn)向8英寸。”隨著晶圓尺寸的增加，每片可以生產(chǎn)更多的芯片，每顆芯片的生產(chǎn)成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉(zhuǎn)變到8英寸。意法半導(dǎo)體計劃明年
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 意法半導(dǎo)體
英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進電源應(yīng)用
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應(yīng)用
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關(guān)帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473