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	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅(sic)mosfet 文章
                  進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中，采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關控制相比，能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩(wěn)地運轉(zhuǎn)，同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
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          • 關鍵字：
                        三星  MOSFET  英飛凌                          
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          東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅(qū)動高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執(zhí)行開／關控制的應用。光伏耦合器是一種內(nèi)置光學器件但不具有用于執(zhí)行開關功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時，通過將光伏耦合器與MOSFET結(jié)合使用，便
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  SSR                          
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          Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  低RDS(on)  MOSFET                          
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          SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何
          
                                                            
            
                    	
          • 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)的關注。在產(chǎn)業(yè)應用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          電子工程師必備！40個模擬電路小常識
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著半導體技術和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎的課，對于學生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學習電子技術打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結(jié)具有
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          • 關鍵字：
                        模電  三極管  MOSFET                          
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          晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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          • 關鍵字：
                        晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET                          
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          IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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          • 關鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          集中供電電源的設計與實現(xiàn)*
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理，最后搭建實際電路進行驗證。驗證結(jié)果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
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          • 關鍵字：
                        集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT                          
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          通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術降低電源中的EMI
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統(tǒng)設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度，浪費大量時間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產(chǎn)生大量 EMI，進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)
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          • 關鍵字：
                        MOSFET                          
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          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  MOSFET  GaN                          
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          安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新，助力工業(yè)自動化升級
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉(zhuǎn)向機器人制造，涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術，可實現(xiàn)經(jīng)濟增長和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執(zhí)行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導體方案。其中，機器人半導體方案構(gòu)建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導體方案構(gòu)建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現(xiàn)BLDC電機控制，如高
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  BLDC  IoT  IIoT                          
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          功率半導體－馬達變頻器內(nèi)的關鍵組件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
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          • 關鍵字：
                        IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌                          
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          以中國帶動世界 意法半導體搶占新能源汽車制高點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務領域之一，此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  SiC  BMS                          
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          功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會以“創(chuàng)新驅(qū)動 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動，三位一體，亮點紛呈。亮點一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎
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          • 關鍵字：
                        MOSFET                          
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          碳化硅技術如何變革汽車車載充電
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結(jié)構(gòu)(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器，以增加負載的功率因數(shù)，從
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  PFC                          
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          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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