碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場(chǎng)過(guò)程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對(duì)系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容橫向電場(chǎng)

LED手術(shù)無(wú)影燈調(diào)光電路的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

本文介紹了一款基于LM3404的LED手術(shù)無(wú)影燈恒流驅(qū)動(dòng)調(diào)光電路，詳細(xì)論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設(shè)計(jì)及實(shí)測(cè)效果。電路采用單片機(jī)MSP430F1232控制LED驅(qū)動(dòng)模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實(shí)現(xiàn)對(duì)大功率LED手術(shù)無(wú)影燈進(jìn)行無(wú)極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，大大提高了LED手術(shù)無(wú)影燈的使用性能。
關(guān)鍵字： 202008 LED手術(shù)無(wú)影燈單片機(jī) LM3404 調(diào)光控制 MOSFET

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺(tái)達(dá)的太陽(yáng)能光伏逆變器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS

東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無(wú)需功能先進(jìn)的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開(kāi)發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET

InnoSwitch3-AQ已通過(guò)Q100認(rèn)證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),這是一款已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的反激式開(kāi)關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級(jí)側(cè)檢測(cè)功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動(dòng)汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
關(guān)鍵字： OBC BMS EMS MOSFET IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門(mén)。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開(kāi)關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車應(yīng)用

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的新款?LinkSwitch?-TN2?開(kāi)關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級(jí)LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
關(guān)鍵字： IC MOSFET

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動(dòng)器的新一代引腳兼容升級(jí)產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡(jiǎn)化電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽(yáng)能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅(jiān)固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器供電。HIP221x驅(qū)動(dòng)器專為嚴(yán)苛工作條件下的
關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
關(guān)鍵字：安世 GaN MOSFET

臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì)，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來(lái)，臻驅(qū)科技和羅姆就采
關(guān)鍵字： MOSEFT SiC

新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
關(guān)鍵字： EV OBC MOSFET

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開(kāi)發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過(guò)使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
關(guān)鍵字： SiC 電氣