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	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅(sic)mosfet 文章
                  進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。
　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。
　　Fair
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          • 關鍵字：
                        Fairchild  MOSFET                          
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          英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。
　　

 
　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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          步進電機的MOSFET管驅動設計
          
                                                            
            
                    	
          • H橋功率驅動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅動。永磁步
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          • 關鍵字：
                        步進電機  MOSFET  驅動設計                          
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          意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。
　　電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
　　

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　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。
　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。
　　

 
　　一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里 
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          • 關鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          Zaptec公司采用意法半導體先進的功率技術，開發(fā)出獨具特色的便攜式電動汽車充電器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。
　　作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  SiC                          
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          SiC功率半導體市場將開始高速發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SiC功率半導體正進入多個應用領域
　　當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉換器或控制器調節(jié)大電流電壓
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。
　　

 
　　直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  封裝                          
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          關于MOS管的基礎知識大合集
          
                                                            
            
                    	
          • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
　　1，MOS管種類和結構
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
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          • 關鍵字：
                        MOS管  MOSFET                          
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          意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質量認證時間表。
　　電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡的關鍵基礎設施，是通信網(wǎng)絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！　?nbsp; 
 　　圖1：通訊電源機房　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：　　? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz　　? 輸出功率：2kw　　? 
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          • 關鍵字：
                        SiC  PFC                          
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          英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅動產(chǎn)品陣容
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC-MOSFET                          
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          SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡的關鍵基礎設施，是通信網(wǎng)絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
　　通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
　　

 
　　圖1：通訊電源機房
　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：
　　• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
　　• 輸出功率：2kw
　　• 輸出：最大電壓1
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          • 關鍵字：
                        世強  SiC                          
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          理解超級結技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優(yōu)點。
　　為了理解兩種技術的差異，我
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  超級結結構                          
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          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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