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	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。
　　功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
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          意法半導體下一代高達100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)擴大其SLLIMM? nano系列電機驅(qū)動智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應用總體尺寸最小化和設計復雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。　　新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標應用瞄準最高功率100W的電機驅(qū)動市場，例如冰箱壓縮機、洗衣機或洗碗機的電機、排水泵、循環(huán)水泵、風扇電機、以及硬開關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
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          • 關(guān)鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等
          
                                                            
            
                    	
          • 　　噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。　　附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。　　用于4G-LTE頻段噪聲測試
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  噪聲                          
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          新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC                          
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          MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設計考慮因素和實驗結(jié)果 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要 – 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?！　?. 前言　　零壓開關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場定位包括電信設備電源、大型計算機或服務器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O備。要想實現(xiàn)這個目標，就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  ZVS                          
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          “十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。
　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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          • 關(guān)鍵字：
                        功率半導體  SiC                          
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          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　問題1：最近，我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅(qū)動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么?　　問題分析：　　系統(tǒng)短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅(qū)動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  芯片                          
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          淺談MOSFET驅(qū)動電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?！　≡谑褂肕OSFET設計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動電路                          
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          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          功率器件心得——功率MOSFET心得
          
                                                            
            
                    	
          • 　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負載，帶載能力要強。　　功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  功率放大電路                          
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          第三代半導體技術(shù)、應用、市場全解析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領(lǐng)域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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          • 關(guān)鍵字：
                        寬禁帶半導體  SiC                          
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          無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
　　臺達電技術(shù)長暨總
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　ROHM新聞發(fā)布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！　OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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                        ROHM  SiC                          
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          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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