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	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          羅姆清華探索校企合作新模式
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會后，羅姆株式會社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。
以“羅姆”命名清華樓，并無排他性
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          • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC                          
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  講座  功率元件  氧化鎵                            
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          Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET  轉(zhuǎn)換器                          
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          智能MOSFET驅(qū)動器提升電源性能的設(shè)計(jì)方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動器  電源性能                          
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          車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
          
                                                            
            
                    	
          • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  車用  保護(hù)  性能                            
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          IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
          
                                                            
            
                    	
          • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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          • 關(guān)鍵字：
                        電源應(yīng)用  碳化硅  肖特基二極管                            
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）
          
                                                            
            
                    	
          • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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          • 關(guān)鍵字：
                        氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED                          
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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          電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動器  卓越  解決方案  集成  替代  設(shè)計(jì)  分立  器件                          
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          一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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          • 關(guān)鍵字：
                        電源設(shè)計(jì)  分立器件  MOSFET                          
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          飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  英飛凌  MOSFET                          
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          英飛凌科技推出全新650V CoolMOS  CFDA
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS  CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS  CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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          電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  選擇  控制器  開關(guān)  系統(tǒng)  電源                          
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          Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能
          
                                                            
            
                    	
          • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
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          • 關(guān)鍵字：
                        Power  Trench  MOSFET                          
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          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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