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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 轉(zhuǎn)換器

車用MOSFET：尋求性能與保護的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用保護性能

智能MOSFET驅(qū)動器提升電源性能的設(shè)計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器電源性能

IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護與逆變器開關(guān)中的負載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準
關(guān)鍵字：電源應(yīng)用碳化硅肖特基二極管

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關(guān)鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

電源設(shè)計小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器卓越解決方案集成替代設(shè)計分立器件

一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計分立器件 MOSFET

飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
關(guān)鍵字：飛兆英飛凌 MOSFET

英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認證標準AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓撲。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇控制器開關(guān) 系統(tǒng) 電源

Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
關(guān)鍵字： Power Trench MOSFET

飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
關(guān)鍵字：英飛凌飛兆 MOSFET

可編程大電流熱插拔控制

電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài)，并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時，保護MOSFET器件。
關(guān)鍵字：熱插拔 MOSFET

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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碳化硅(sic)mosfet電路

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