第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營有關(guān)的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭新戰(zhàn)場
- 在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國公司開發(fā)在中國廣泛使用的免費(fèi)芯片技術(shù)，此舉可能會顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險(xiǎn)五”，這是一種開源技術(shù)，與英國半導(dǎo)體和軟件設(shè)計(jì)公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機(jī)芯片到人工智能高級處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由，
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動
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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場！RISC-V開源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)
- 中美科技競爭又有新動向。美國政府正面臨國會壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開源性使得這項(xiàng)技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日報(bào)導(dǎo)， 這一次的爭議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開放原始碼架構(gòu)，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機(jī)芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問題采取行動，
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面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導(dǎo)體 DRAM NAND
集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預(yù)期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價(jià)（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達(dá)19.9%，合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫存仍高的情
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場應(yīng)用越來越多，市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時(shí)增加更多系統(tǒng)級功能，這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強(qiáng)的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源，在
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NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測，NAND Flash價(jià)格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動價(jià)
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蘋果與Arm達(dá)成長期協(xié)議，加強(qiáng)合作的同時(shí)不忘布局RISC-V
- 9月6日，軟銀旗下芯片設(shè)計(jì)公司Arm提交給美國證券交易委員會（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達(dá)成了一項(xiàng)“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論，蘋果也沒有立即回復(fù)置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設(shè)計(jì)授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機(jī)芯片領(lǐng)域95%以上的市場份額，包括平板電腦等，實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
- 關(guān)鍵字： 蘋果 Arm RISC-V IPO 軟銀
Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計(jì)算機(jī)（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計(jì)算機(jī)端口如下：1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機(jī)端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
- 關(guān)鍵字： RISC-V
RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！
- 這是最好的一屆RISC-V中國峰會，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細(xì)細(xì)品味。 后摩爾時(shí)代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計(jì)算場景復(fù)雜多變，RISC-V設(shè)計(jì)的初衷便是覆蓋各種計(jì)算場景，這與時(shí)代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應(yīng)用場景已成必然。 在2
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使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?；具壿嬮T的真值表：了解每個(gè)邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個(gè)端子，一個(gè)用于輸入，另一個(gè)用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然。可能出現(xiàn)的級數(shù)由 2a 計(jì)
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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