第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&北京中科昊芯科技有限公司
- 北京中科吳芯是一家基于RISC-V指令集架構(gòu)，對標(biāo)國外芯片的數(shù)字信號處理器專業(yè)供應(yīng)商。作為中國科學(xué)院科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，成立于2019年，經(jīng)歷4年多的時間已經(jīng)擁有10個系列，30多款芯片產(chǎn)品。產(chǎn)品具有廣闊的市場前景，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制及電機(jī)驅(qū)動、數(shù)字電源、光伏、儲能、新能源汽車、消費(fèi)電子、白色家電等領(lǐng)域。中科昊芯副總經(jīng)理兼創(chuàng)始人表示：“慕尼黑電子展對于中科昊芯來說是比較重要的展會，這次也是帶來了兩款重磅產(chǎn)品——HXS320F280039C和HXS320F28379D。”RISC-V指令集架構(gòu)作為一種開源指
- 關(guān)鍵字： 中科昊芯 數(shù)字信號處理器 RISC-V DSP
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
- 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導(dǎo)體 NAND NOR DRAM 存儲
Codasip 700系列正式問世,賦能定制計(jì)算!
- 如今，利用新的方法來創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品是當(dāng)今技術(shù)創(chuàng)新者們所追求的目標(biāo)。當(dāng)半導(dǎo)體擴(kuò)展規(guī)律已經(jīng)顯示出極限時，我們該如何滿足對更高計(jì)算性能的需求？辦法只有一個：為特定需求定制計(jì)算。具體來說滿足定制計(jì)算需要具備架構(gòu)優(yōu)化、應(yīng)用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化，以及建立在強(qiáng)大設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的領(lǐng)域?qū)Ｓ眉铀俚纫亍＿@些要素加上盡可能簡潔的設(shè)計(jì)流程以提高效率，并縮短上市時間，同時可以讓客戶掌握自主權(quán)并保持靈活性。用于定制計(jì)算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個可配置且可定制的R
- 關(guān)鍵字： Codasip 定制計(jì)算 RISC-V
SK 海力士
- 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強(qiáng)調(diào)了需求的逐步恢復(fù)，以及在今年早些時候削減資本支出后，計(jì)劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財(cái)報(bào)電話會議上，首席財(cái)務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機(jī)的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內(nèi)存行業(yè)終于度過了嚴(yán)重的低迷期，正在進(jìn)入全面復(fù)蘇階段"。Kim指出，該公司的目標(biāo)是通過考慮投資效率和
- 關(guān)鍵字： SK海力士 韓國 NAND
預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
RISC-V 領(lǐng)軍企業(yè) SiFive 大裁員：20% 員工被裁，大部分是工程師
- IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵公司之一 SiFive，正在經(jīng)歷一場重大的重組，這場重組主要是大規(guī)模裁員和業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移，這一舉動給 SiFive 的未來以及其對 RISC-V 的貢獻(xiàn)帶來了不確定性。IT之家注意到，RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門選擇，但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品，SiFive 就是這樣一家公司，該公司提供現(xiàn)成的設(shè)計(jì)，也根據(jù)客戶的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱，正在裁減約 20% 的員工（約
- 關(guān)鍵字： RISC-V SiFive
NAND閃存市場，開始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
- 關(guān)鍵字： NAND
傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴(kuò)建中國西安的NAND芯片工廠
- 三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接，以先進(jìn)的射頻集成、強(qiáng)化的安全機(jī)制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬?yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項(xiàng)，現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請，并將于12
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 RISC-V GD32VW553 雙模 無線 微控制器
三星西安工廠工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
第四季NAND Flash合約價季漲幅預(yù)估8~13%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點(diǎn)預(yù)備庫存，采購量會較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運(yùn)算的先驅(qū)和領(lǐng)導(dǎo)廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運(yùn)算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準(zhǔn)的低功耗、運(yùn)算密度和矢量運(yùn)算能力，三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運(yùn)算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標(biāo)量和矢量運(yùn)算的強(qiáng)大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運(yùn)算密集型人工智能應(yīng)用于消費(fèi)性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上，SiFive 同時也宣布
- 關(guān)鍵字： SiFive 生成式AI RISC-V
中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設(shè)計(jì)，edrx 待機(jī)電流達(dá)到 0.74mA，最小接收靈敏度達(dá)到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
- 關(guān)鍵字： RISC-V 中國移動 LTE
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
第九代 v-nand電路
第九代 v-nand相關(guān)帖子
第九代 v-nand資料下載
第九代 v-nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473