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          第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)

          NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%

          • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
          • 關鍵字: NAND Flash  

          Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%,同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%,該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉(zhuǎn)換過程,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
          • 關鍵字: Vishay  650 V  功率MOSFET  

          采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

          • 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當輸入發(fā)生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當前的輸入,還取決
          • 關鍵字: NAND  NOR門  SR觸發(fā)器  

          RISC-V工委會正式成立

          • 據(jù)賽昉科技官微消息,8月31日,中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會RISC-V工作委員會正式成立。RISC-V工委會是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域相關單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會團體,是中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會(簡稱“中電標協(xié)”)所屬分支機構。消息顯示,RISC-V 工委會的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用,為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域的標準研制、標準符合性評估、知識產(chǎn)權保護、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務,引導國內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新,形成產(chǎn)業(yè)合力,實
          • 關鍵字: RISC-V  工委會  

          國家支持,RISC-V 工委會正式成立

          • IT之家 8 月 31 日消息,據(jù)賽昉科技消息,8 月 31 日,中國北京 —— 中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會正式成立,賽昉科技當選副會長單位。中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會,簡稱:RISC-V 工委會,英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association,縮寫:RVEI,是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域相關單位及組織等自愿
          • 關鍵字: RISC-V  

          三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

          • 據(jù)媒體報道,三星作為全球最大的NAND閃存供應商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND,同時正在將日本東京電子(TEL)的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線,此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結束時,三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
          • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

          3D NAND還是卷到了300層

          • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
          • 關鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

          RISC-V的下一個爆發(fā)點在哪里?

          • 開源的 RISC-V 已成為中國業(yè)界最受歡迎的芯片架構。
          • 關鍵字: RISC-V  

          如何有效使用RISC-V的跟蹤技術

          • 在嵌入式軟件開發(fā)中,利用完整的應用跟蹤,可為開發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無限的可能性。通過對應用程序的全面了解,他們可以跟蹤每一條指令,看看他們的應用程序是否按照預期運行,或者是否出現(xiàn)錯誤或漏洞。那么,如何才能最大化地利用現(xiàn)有可用的RISC-V跟蹤呢?什么是跟蹤?與傳統(tǒng)的通過設置斷點、printf等進行調(diào)試相比,跟蹤更像是在不打擾的情況下觀察你的應用程序?;旧?,開發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀察整個程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執(zhí)行流程(不需要printf也不需要UART),一旦跟蹤數(shù)據(jù)被捕獲,你可
          • 關鍵字: IAR  RISC-V  跟蹤技術  

          芯片大廠扎堆「偷師」中國半導體發(fā)展良方

          • 近一年來,國際半導體大廠「抱團取暖」的現(xiàn)象頻頻出現(xiàn),而這在過去多年內(nèi)是很少見的。由于全球領先的半導體企業(yè)大都聚集在美國,歐洲,日本,以及中國臺灣地區(qū),因此,這一波大廠抱團依然逃不出這幾個地區(qū),有 3 個最具代表性。按時間順序,首先抱團形成的是 Rapidus,它是由日本政府領銜,聯(lián)合豐田汽車、索尼、NEC、鎧俠、軟銀等 8 家日本企業(yè),于 2022 年 8 月合作成立的,被視為日本重返半導體先進制程市場的重要投資案。Rapidus 與 IBM 深度合作,獲得了后者 2nm 制程技術授權,預計將投入 5 兆
          • 關鍵字: RISC-V  

          基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設計實現(xiàn)

          • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù),會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù),無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題,本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖,并進行了驗證。
          • 關鍵字: 202308  NAND Flash  FPGA  分區(qū)  起始地址  

          RISC-V再加速 半導體巨頭聯(lián)手布局

          • 在高通首席執(zhí)行官(CEO)克里斯蒂亞諾·阿蒙(Cristiano Amon)的領導下,高通將與恩智浦、北歐半導體公司(Nordic Semiconductor)、英飛凌以及博世聯(lián)合成立一家新公司,旨在推廣用于芯片設計的開源RISC-V架構,通過開發(fā)下一代硬件來推動RISC-V生態(tài)系統(tǒng)的擴展。據(jù)了解,新公司將設在德國,同時考慮到恩智浦和英飛凌將參與投資,該公司應該是先專注于汽車芯片領域,最終擴展到移動和物聯(lián)網(wǎng)領域。恩智浦執(zhí)行副總裁兼首席技術官Lars Reger表示,該合資公司將努力“開創(chuàng)完全認證的基于RI
          • 關鍵字: RISC-V  半導體  架構  芯片  開源  恩智浦  英飛凌  高通  ARM  

          賽昉科技發(fā)布全球首款 RISC-V 大小核處理器子系統(tǒng),性能比肩 ARM A76 / A75

          • IT之家 8 月 17 日消息,賽昉科技今日發(fā)布了兩款自主研發(fā)的 RISC-V 處理器內(nèi)核新產(chǎn)品:昉?天樞-90(Dubhe-90)與昉?天樞-80(Dubhe-80)。據(jù)介紹,Dubhe-90 主打“極致性能”,是 Dubhe Max Performance 系列旗艦產(chǎn)品;Dubhe-80 主打“高能效比”,是 Dubhe Efficiency Performance 系列首款產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品也就是大家常說的 CPU 大小核。與此同時,基于 Dubhe-90、Dubhe-80 以及賽昉科技片上一
          • 關鍵字: RISC-V  賽昉科技  

          因業(yè)務低迷,消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

          • IT之家 8 月 16 日消息,據(jù)韓國電子時報報道,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設備。業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設備的生產(chǎn),該生產(chǎn)區(qū)主要負責生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示,鑒于市場持續(xù)低迷,業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
          • 關鍵字: 三星電子  V-NAND  

          全球首款信用卡大小的 RISC-V 單板計算機發(fā)售,Milk-V Mars 售價 288 元起

          • IT之家 8 月 16 日消息,近日,全球首款信用卡大小的 RISC-V 單板計算機 ——Mars 正式發(fā)售。Mars 由深圳市群芯閃耀科技有限公司(Milk-V)設計并推出,搭載賽昉科技昉?驚鴻-7110 SoC(JH-7110)?!?nbsp;Mars RISC-V 單板計算機Mars RISC-V 單板計算機的尺寸為 86mm x 56mm,搭載 1.5GHz 的昉?驚鴻-7110 SoC,可選 1/2/4/8GB 的 LPDDR4 內(nèi)存。此外,Mars RISC-V 單板計算機配有 HD
          • 關鍵字: RISC-V  
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          第九代 v-nand介紹

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