第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠(chǎng)商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠(chǎng)商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶(hù)對(duì)
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RISC-V發(fā)展，將迎來(lái)蝶變

RISC-V因具備開(kāi)源、開(kāi)放、簡(jiǎn)潔、靈活等優(yōu)秀特性，吸引了全球大量的開(kāi)發(fā)者和公司，其中不乏有芯片相關(guān)企業(yè)的影子，包括Arm、英特爾、阿里巴巴旗下半導(dǎo)體企業(yè)平頭哥、Tenstorrent、賽昉科技、SiFive、晶心科技、奕斯偉計(jì)算等已部署RISC-V。此外，截至2023年底，RISC-V國(guó)際基金會(huì)已經(jīng)擁有了4423個(gè)成員，同比增長(zhǎng)28%，遍布全球70多個(gè)國(guó)家。RISC-V露于臺(tái)前，多方駛?cè)胭惖篱_(kāi)源新架構(gòu)RISC-V勢(shì)頭越來(lái)越盛，又一歐洲芯片大廠(chǎng)入局。當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月29日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布，已加入RIS
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推動(dòng)RISC-V CPU性能快速提升并向上打開(kāi)更多的高價(jià)值市場(chǎng)

8月21-23日，2024年RISC-V中國(guó)峰會(huì)在杭州黃龍飯店舉行。作為已推出多款I(lǐng)magination Catapult系列RISC-V CPU半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的提供商，以及全球領(lǐng)先的GPU和AI加速器IP廠(chǎng)商，Imagination Technologies積極參與了此項(xiàng)中國(guó)大陸規(guī)格最高、規(guī)模和影響力最大的專(zhuān)業(yè)會(huì)議之一，并在大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示了其RISC-V CPU+GPU集成優(yōu)化平臺(tái)。Imagination專(zhuān)家就如何利用系統(tǒng)性創(chuàng)新加速RISC-V CPU的采用和普及、借助GPU在智能化時(shí)代加速RIS
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打破x86/ARM壟斷！全球首款國(guó)產(chǎn)南湖CPU RISC-V筆記本發(fā)布

8月26日消息，在日前舉辦的2024年RISC-V中國(guó)峰會(huì)上，深圳市群芯閃耀科技有限公司發(fā)布全球首款香山筆記本——如意香山本。據(jù)介紹，如意香山本由中國(guó)科學(xué)院軟件研究所牽頭主導(dǎo)，群芯閃耀科技、英麒智能、北京開(kāi)芯院多方共同參與研發(fā)，是全球首款搭載香山南湖處理器的筆記本。配置上，如意香山本采用14寸高清LCD屏，搭載最高2.5GHz的香山南湖處理器，配備8GB DDR5，集成AMD RX550獨(dú)顯，支持雙屏異顯。接口方面，筆記本提供2個(gè)高速USB3接口，2個(gè)2.5Gbps以太網(wǎng)口，同時(shí)配備了一個(gè)支持9種手勢(shì)操作
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進(jìn)迭時(shí)空發(fā)布 MUSE Paper 平板：RISC-V 芯片 K1、OpenHarmony 系統(tǒng)

IT之家 8 月 23 日消息，進(jìn)迭時(shí)空推出 MUSE Paper 平板電腦，搭載進(jìn)迭時(shí)空 RISC-V 終端 AI CPU 芯片 K1 和 OpenHarmony 操作系統(tǒng)。MUSE Paper 厚 7.2mm，重量約為 453g，采用 10.95 寸的 LCD 高清屏，最高擁有 16GB RAM +256GB eMMC 的存儲(chǔ)配置和 7300mAh 電池。MUSE Paper 配備前后雙攝，雙 Type
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最近，有件大事需要關(guān)注…

最近，有件圈內(nèi)不少人都關(guān)注的大事，就是2024 RISC-V 中國(guó)峰會(huì)即將召開(kāi)，并且將舉辦點(diǎn)落在了杭州——這座既承載著深厚文化底蘊(yùn)又引領(lǐng)著數(shù)字科技潮流的城市。杭州與RISC-V的緣分在阿里巴巴成為RISC-V的首批基金會(huì)成員開(kāi)始就寫(xiě)好了。 RISC-V歷史并不悠久，短短十幾年光陰，幾句話(huà)就能說(shuō)得完。2010年，加州伯克利的David Patterson教授與其學(xué)生團(tuán)隊(duì)準(zhǔn)備做一個(gè)CPU，但是Intel和ARM高昂的授權(quán)費(fèi)用讓他們下決心自己做一套開(kāi)源的指令集。于是經(jīng)過(guò)了幾個(gè)
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賽昉推出 64 位極低功耗亂序 RISC-V CPU 內(nèi)核 IP 昉?天樞-70

IT之家 8 月 16 日消息，國(guó)內(nèi) RISC-V 生態(tài)企業(yè)賽昉科技昨日宣布推的新款 64 位 RISC-V 處理器內(nèi)核產(chǎn)品昉?天樞-70（IT之家注：即 Dubhe-70），適合同時(shí)對(duì)高性能與極低功耗有要求的細(xì)分領(lǐng)域。昉?天樞-70 內(nèi)核采用 9+ 級(jí)流水線(xiàn)、三發(fā)射、超標(biāo)量、亂序執(zhí)行設(shè)計(jì)，支持 RV64GCBH 指令集，在 SPECint2006 基準(zhǔn)測(cè)試中每 GHz 頻率得分為 7.2 分，性能對(duì)標(biāo) Arm Cortex-A72 / A510。賽昉此前已推出“主打極致性能”的昉?天樞-90（
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SiFive宣布推出全新高性能RISC-V數(shù)據(jù)中心處理器，適用于高強(qiáng)度的AI工作負(fù)載

代表RISC-V計(jì)算領(lǐng)域黃金標(biāo)準(zhǔn)的SiFive, Inc.宣布推出全新SiFive Performance P870-D數(shù)據(jù)中心處理器，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高度并行的基礎(chǔ)設(shè)施工作負(fù)載（包括視頻流、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備）的需求。通過(guò)與SiFive Intelligence系列中的產(chǎn)品相結(jié)合，數(shù)據(jù)中心架構(gòu)師還可以構(gòu)建一個(gè)極高性能、節(jié)能的計(jì)算子系統(tǒng)並用于AI驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。P870-D以P870的成功經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，支持開(kāi)放的AMBA CHI協(xié)議，讓客戶(hù)在擴(kuò)展集群數(shù)量時(shí)擁有更大的靈活性。這種可擴(kuò)展性允許客戶(hù)在提高性能的同時(shí)最大限
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消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠(chǎng)建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲(chǔ)亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破

人工智能（AI）市場(chǎng)持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢(xún)四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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RISC與CISC

CISC（復(fù)雜指令集計(jì)算）和RISC（精簡(jiǎn)指令集計(jì)算）是兩種不同的計(jì)算機(jī)指令集架構(gòu)。CISC（Complex Instruction Set Computing）復(fù)雜指令集：CISC架構(gòu)設(shè)計(jì)了大量的復(fù)雜指令，每條指令可以完成較為復(fù)雜的操作。較少的指令數(shù)：因?yàn)槊織l指令可以完成較多的操作，所以總體的指令數(shù)較少。內(nèi)存使用效率高：由于指令的復(fù)雜性，單個(gè)指令可以在較少的時(shí)鐘周期內(nèi)完成任務(wù)，從而減少內(nèi)存帶寬的占用。硬件實(shí)現(xiàn)復(fù)雜：實(shí)現(xiàn)這些復(fù)雜指令需要更復(fù)雜的硬件邏輯。常見(jiàn)應(yīng)用：早期的計(jì)算機(jī)和一些特定應(yīng)用中使用較多，如x
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱(chēng) SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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