第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)
兆易創(chuàng)新MCU進入RISC-V賽道，提供百貨商店式的豐富方案
- 王?瑩?（《電子產品世界》，北京?100036） 摘?要：2019年8月，兆易創(chuàng)新推出全球首個RISC-V內核32位通用MCU——GD32VF103，面向主流型開發(fā)需求，且與自己已有的Arm MCU——GD32F103對標，二者可以自由切換。兆易創(chuàng)新為何要第一個吃螃蟹？作為國內最大的通用32位MCU廠商，MCU戰(zhàn)略是什么？ 關鍵詞：RISC-V；MCU；Arm 1 為何要做RISC-V MCU？ 多年來，兆易創(chuàng)新堅持的兩個原則是市場導向和客戶需求?！ ∥锫摼W（IoT）的多元化、差異化需求大，可
- 關鍵字： 201910 RISC-V MCU Arm
Power Integrations推出汽車級200 V Qspeed二極管，可大幅增強音頻放大器的性能
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年9月10日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 現已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術，可在軟開關和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。最新通過認證的200 V二極管具有業(yè)界最低的反向恢復電荷
- 關鍵字： PI 200 V Qspeed二極管 音頻放大器
中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產
- 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
- 關鍵字： 3D NAND
全球首款碳納米管通用計算芯片問世！RISC-V架構，5倍于摩爾定律，Nature連發(fā)三文推薦
- “Hello, World！I am RV16XNano, made from CNTs”.“你好，世界！我是 RV16XNano，由碳納米管制成?！边@句話，出自MIT研究團隊發(fā)明的16位碳納米管芯片執(zhí)行的程序。是的，你沒有看錯，他們用與硅相同的制作工藝，基于碳納米管做出了具有完整架構的芯片，還與世界打了招呼。剛剛，Nature刊發(fā)了這一研究成果，并發(fā)表相應的新聞、評論進行重點推薦。碳納米管，被認為是替代硅材料首選，而且比硅導電更快，效率更高。從理論上來說，效率達到硅的10倍，運行速度為3倍，而僅僅只需要
- 關鍵字： RISC-V
將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關頻率，以及由于對稱設計，具有低雜散電感的軟恢復并聯二極管
- 關鍵字： ADI ADuM4135柵極驅動器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產及日韓貿易戰(zhàn)導致存儲器價格將反轉契機出現，NAND Flash價格調漲從7月開始顯現，而國際大廠之間的技術競爭更是暗潮洶涌。
- 關鍵字： 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業(yè)下游模組廠出現提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續(xù)三個季度快速下滑，下游
- 關鍵字： 日韓貿易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
印度第一顆CPU橫空出世：八大系列 軟件開發(fā)啟動
- 我們忙著推進國產芯片的同時，隔壁的印度也沒閑著。作為印度頂級高校的印度理工學院(IIT)之馬德拉斯校區(qū)已經發(fā)布了其首顆處理器“Shakti”(代表女性力量的印度神話人物)的SDK軟件開發(fā)包，并承諾會很快放出開發(fā)板。這樣，在處理器商用上市之前，開發(fā)者們已經可以著手開發(fā)軟件了。印度Shakti處理器2016年啟動開發(fā)，基于開源的RISC-V指令集架構，得到了印度電子和信息技術部的大力支持。Shakti處理器首批就規(guī)劃了多達6個不同系列，各自針對不同的市場，號稱在核心面積、性能、功耗方面相比當前商用處理器都很有
- 關鍵字： CPU處理器，印度，RISC-V
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關鍵字： ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
第九代 v-nand介紹
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