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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

          ARM警報響起:高通重金投資RISC-V企業(yè)

          • 商用RISC-V處理器IP和硅解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商SiFive昨日宣布,公司完成了新一輪的6540萬美元的投資,高通則是其中的重要參與者。除了高通,英特爾和三星也為該公司投入了一些資金。
          • 關(guān)鍵字: ARM  RISC-V  

          NAND閃存連跌一年半 減產(chǎn)也阻止不了跌價

          • NAND閃存價格已經(jīng)連跌了6個季度,這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重,紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上,群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價格已經(jīng)跌破了成本,未來跌幅會收窄,需求則會升溫。
          • 關(guān)鍵字: NAND  減產(chǎn)  

          華為攻堅方向在生態(tài),RISC-V或“替補(bǔ)”ARM

          • ?眾所周知,著名的處理器IP供應(yīng)商ARM已經(jīng)終止了與華為及其子公司海思的業(yè)務(wù)合作。隨著這一則爆炸性的消息,人們逐漸開始質(zhì)疑,華為是否還能做出手機(jī)芯片?
          • 關(guān)鍵字: 華為  生態(tài)  RISC-V  ARM  

          RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開發(fā)者使用、分享和完善

          •   王瑩 《電子產(chǎn)品世界》  RISC-V以開放的指令集和學(xué)術(shù)化的設(shè)計,正在吸引越來越多愿意嘗試新事物、面向未來設(shè)計的開發(fā)人員。不過,RISC-V在社區(qū)、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區(qū)一樣的大家共同去維護(hù)、服務(wù)和完善的生態(tài)系統(tǒng)?! ?019年5月,RISC-V基金會在中國五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪問了RISC-V基金會新任CEO(首席執(zhí)行官)Calista Redmond女士,請她介紹了RISC-V的生態(tài)和基金會的發(fā)展?fàn)顩r?! ? 中國及
          • 關(guān)鍵字: 201906  RISC-V  生態(tài)  

          電動自行車用鉛酸蓄電池SOC顯示電路設(shè)計

          •   肖青,周秀珍 ?。ㄩL江工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢 430200)  摘要:鉛酸蓄電池作為目前電動自行車動力源,其充電過程中析氫現(xiàn)象是發(fā)生爆炸的原因之一。經(jīng)研究表明:鉛酸蓄電池充電過程中,其容量達(dá)到80%以上才發(fā)生析氫現(xiàn)象,可見監(jiān)控蓄電池容量是必要的。本文基于鉛酸蓄電池開路電壓SOC估算法,以12V 2AH鉛酸蓄電池作為研究對象,設(shè)計電動自行車用鉛酸蓄電池SOC顯示電路,最終驗證了其可行性。  關(guān)鍵詞:電動自行車;12 V 2 AH 鉛酸蓄電池,SOC顯示電路  基金項目:湖北省教育廳科研計劃一般項目
          • 關(guān)鍵字: 201906  電動自行車  12 V 2 AH 鉛酸蓄電池  SOC顯示電路  

          RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開發(fā)者采用、分享和完善

          • ? ? ? RISC-V以開放的指令集和學(xué)術(shù)化的設(shè)計,正在吸引越來越多愿意嘗試新事物、面向未來設(shè)計的開發(fā)人員。不過,RISC-V在社區(qū)、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區(qū)一樣的大家共同去維護(hù)、服務(wù)和發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。? ? ? 2019年5月,RISC-V基金會在中國五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪問了RISC-V基金會新任CEO(首席執(zhí)行官)Calista Redmond女士,請她介紹了R
          • 關(guān)鍵字: risc-v  開源  

          長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

          • 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道,采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
          • 關(guān)鍵字: 紫光集團(tuán)  長江存儲  3D NAND  

          RISC-V基金會宣布在中國五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動

          • 中國上?!?019年4月18日事項:RISC-V基金會(The RISC-V Foundation)將在中國舉辦一系列為期一天的免費(fèi)RISC-V入門(Getting Started with RISC-V)活動。時間和地點:深圳:5月6日在深圳富苑皇冠假日酒店舉行成都:5月8日在成都天府麗都喜來登飯店舉行杭州:5月13日在上海外灘茂悅大酒店舉行上海:5月14日在阿里巴巴集團(tuán)企業(yè)園區(qū)舉行北京:5月16日在北京中關(guān)村皇冠假日酒店舉行詳細(xì)信息:RISC-V基金會將與Linux基金會合作,舉辦一系列為期一天的免費(fèi)
          • 關(guān)鍵字: EDA  RISC-V  

          Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

          • 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平,提高高頻逆變器和軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速IGBT配合使用,專門用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級、太陽能逆變器增壓級
          • 關(guān)鍵字: Vishay Intertechnology  FRED Pt?第5代  1200 V Hyperfast  Ultrafast恢復(fù)整流器  

          為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn),Entegris用了哪些方法?

          • 當(dāng)前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場,比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合,共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  Entegris  3D NAND  

          集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

          •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙?,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  SSD  

          東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

          •   根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?!   ?jù)介紹,芯片將實現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?! ?jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

          存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

          • 事實上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損,但若想實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

          RISC-V CON 上海、深圳3月登場  聚焦RISC-V 發(fā)展最新動向

          •   2019年3月06日—中國近年來積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),其中又以RISC-V近年來成長動能強(qiáng)勁,布局RISC-V架構(gòu)已久的32/64位嵌入式CPU核心供貨商晶心科技(Andes Technology),將于3月19、21日分別在上海及深圳舉辦「RISC-V CON」,除了介紹晶心AndeStar? V5高效能處理器核心25系列的新產(chǎn)品及最新小面積的22系列,還邀請到RISC-V基金會中國顧問委員會主席方之熙博士及中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟秘書長暨中科院計算所研究員包云崗博士,分享中國RI
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          第九代 v-nand介紹

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