第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導指
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加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領(lǐng)導。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。 恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
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2012年之前NAND閃存將保持價格上升趨勢
- 美國從事半導體相關(guān)市場調(diào)查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。 IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調(diào)查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟低迷的2009年也不會例外。 供貨容量也將大幅增長。即使是全球經(jīng)濟低迷的200
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生存在矛盾之中
- 在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
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亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復蘇推手
- SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產(chǎn)業(yè)供應鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。 晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步
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東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達產(chǎn)能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點，其控制芯片供應商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進
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2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個 《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
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20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
- 在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。 但是，如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當工藝發(fā)展到20nm以下時，從
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美光：TMC模式不會成功
- 隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。 現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。 積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應用市場。 Harari在閃存峰會的主題演講中
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英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。 美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米
臺灣媒體：奇夢達資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜
- 曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達進入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
- 關(guān)鍵字： 奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
第九代 v-nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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