納米 文章 進入納米技術(shù)社區(qū)
我國納米科技論文總數(shù)已位居世界前列
- 毫無疑義，納米科技是當今世界科技發(fā)展的一個熱門領(lǐng)域，也是科學家和百姓眾說紛紜的一個前沿科學話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學》雜志上，刊載了中國科學院院士白春禮和中國國家納米科學中心研究員裘曉輝撰寫的《中國納米科技研究的進展》一文。在這篇論文中，作者總結(jié)了過去十年中國在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進展，概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就，并且就我國納米科技發(fā)展過程中存在的一些問題進行了分析。 近日，記者采訪了裘曉輝研究員，請他向本報讀者介紹中國納
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納米技術(shù)與生物傳感器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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專家稱納米公司前景黯淡 人才技術(shù)不足
- 據(jù)某分析師指出，雖然中國半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立，但其前景不被看好。 2004年，Intel和納米技術(shù)公司達成了協(xié)議，通過納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國。 Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達
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英飛凌與中芯國際合作擴展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域
- 英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進行其70納米技術(shù)的進一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
- 近日，研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。 該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當?shù)貢r間周二（北京時間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會的研發(fā)項目旨在改進下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。 據(jù)悉，該項稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過渡
- 日前，最新發(fā)布的一份名為《全球半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》的報告顯示，全球主要的半導(dǎo)體廠商正在規(guī)劃“后硅晶體管”時代的藍圖。據(jù)悉，該報告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導(dǎo)體廠商聯(lián)合發(fā)布的，主要致力于尋求未來的半導(dǎo)體制造技術(shù)。 雖然當前的傳統(tǒng)硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢，但無法長期適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據(jù)最新報告顯示，目前一種新的“納米轉(zhuǎn)換”技術(shù)比較可行，而且制造成本也相對低廉。研究人員預(yù)計到2015年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將從當前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過渡，因為當前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布
- Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項－使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計規(guī)則，在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。 Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會在北京成立
- 6月20日上午，全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會成立大會在北京隆重舉行。中國科學院常務(wù)副院長、國家納米科學中心主任白春禮院士任主任委員，國家納米科學中心副主任王琛研究員任秘書長，該委員會秘書處設(shè)在國家納米科學中心。 早在今年的4月1日，國家標準化管理委員會正式發(fā)文(國標委計劃函[2005]14號)，批準成立全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(SAC/TC279)。 國家標準化管理委員
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借助于低溫技術(shù) 美制成納米導(dǎo)線集成電路
- 美研究人員日前說，他們借助低溫制造技術(shù)，用納米導(dǎo)線在一塊玻璃芯片上制造了最基礎(chǔ)的集成電路--時鐘振蕩電路。這一技術(shù)既不需要高溫，也不需要硅芯片，有望取代硅芯片集成電路制造技術(shù)。 據(jù)悉，這一技術(shù)使用常見的、低成本和輕質(zhì)材料來制造納米導(dǎo)線集成電路，不僅是玻璃可以做芯片，塑料也可以。
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中科院化學研究所納米材料領(lǐng)域又添新成果
- 中國科學院化學研究所分子納米結(jié)構(gòu)與納米技術(shù)院重點實驗室在納米功能材料研究領(lǐng)域取得一系列進展，他們以環(huán)境和能源需求為研究背景，繼在燃料電池催化劑研究方面，利用簡單、低能耗的方法開發(fā)出高效的金屬納米空心球催化劑之后，又在半導(dǎo)體光催化劑研究領(lǐng)域取得新成果。 與有機污染物和有毒水污染物相關(guān)的環(huán)境問題一直是環(huán)境保護及環(huán)境恢復(fù)領(lǐng)域備受關(guān)注的課題。半導(dǎo)體光催化劑具有高效率和潛在的廣泛應(yīng)用性，成為能從環(huán)境中降解并除去有毒化學污染物的最有效途徑之一。 因
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業(yè)界分析：65納米工藝可降低功耗提高速度
- 目前，業(yè)界已經(jīng)制成了HfAcO2（Ac是錒元素）以及HfSiO2的柵極絕緣層。采用這種工藝的集成電路工作性能良好。 然而，采用這種絕緣層制作集成電路時，還有待提高成品率。其中，最主要的問題是采用高介質(zhì)率絕緣層后會降低載流子的遷移率。傳統(tǒng)的集成電路采用多晶硅作為電極材料，而其與高介電率的HfO2系列絕緣層在邊界會產(chǎn)生電位差，從而發(fā)生控制電壓（閾值電壓）偏移的問題。目前，解決這一問題是科技人員的攻關(guān)項目之一。&n
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納米浸入式光刻技術(shù)工業(yè)化在即
- 比利時微電子研究中心（IMEC）正在加速45納米以下微電子技術(shù)的開發(fā)，已與世界10大設(shè)備供應(yīng)商簽定協(xié)議，協(xié)議的簽署使得IMEC能在最先進的設(shè)備條件下進行研究與開發(fā)。根據(jù)IMEC所確定的發(fā)展戰(zhàn)略，2003-2005年研發(fā)45納米CMOS技術(shù)，2005-2007年研發(fā)32納米微電子技術(shù)。 據(jù)悉，193納米浸入式光刻技術(shù)是實現(xiàn)45納米以下COMS的關(guān)鍵技術(shù)。在193納米浸入式光刻技術(shù)方面，IMEC與世界上30個芯片制造商、工具
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納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術(shù)，有時簡稱為納米技術(shù)，是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級界限就不導(dǎo)電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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