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          美稱20年后人類或改造成半機械人 獲長生不老

          •   美科學(xué)家認為,人類在20年之后將改造成為半機械人,從而獲得長生不老   美國科學(xué)家雷·庫茲韋爾(Ray Kurzweil)日前聲稱,由于對人體機能理解的加深,以及納米技術(shù)和計算機技術(shù)的不斷發(fā)展,人類在20年之后將改造成為半機械人,從而獲得長生不老。   庫茲韋爾現(xiàn)年61歲,他之前以曾經(jīng)多次成功預(yù)測多項發(fā)明的誕生而出名。他表示,人類對基因和電腦技術(shù)的理解正在以難以置信 的速度往前推進。 庫茲韋爾表示,盡管他的理論似乎看起來顯得牽強,但并不是沒有根據(jù)。僅僅在目前,人類就具備了人工胰腺和神
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          澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)

          •   據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標記納米級的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬倍的粒子上進行書寫或者蝕刻.   電子束曝光技術(shù)可直接刻畫精細的圖案,是實驗室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕.   MCN的臨時負責(zé)人阿
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          鋰離子電池的又一次“瘦身”

          •   擁有每年270億美元的銷售額,鋰離子電池毫無疑問是充電電池市場的主導(dǎo)者。不過,人們總是希望能做到更好?,F(xiàn)在,科學(xué)家報告說他們運用納米技術(shù)可以大大 增強鋰離子電池的儲電能力,或者在保持現(xiàn)有儲能水平的條件下大大減輕電池重量。這項新的成果可以帶來更小型的筆記本電腦、更遠行程的電動汽車等大量的應(yīng)用。   在傳統(tǒng)的充電電池中,帶正電的鋰離子儲存在碳基的陽極上,隨著電池放電流動到陰極。這項技術(shù)的優(yōu)點是碳在多次充放電之后仍能保持輕量和耐用,而缺點是6個碳原子才能支持1個鋰離子。最近,研究人員嘗試用晶體硅制作陽
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          美國開發(fā)生物納米電子裝置 改善診斷工具性能

          •   美國研究人員在最新一期美國《國家科學(xué)院學(xué)報》上發(fā)表報告說,他們利用脂膜納米導(dǎo)線開發(fā)出一種融入生物成分的納米電子裝置,這種生物納米電子裝置不但可以 改善診斷工具的性能,而且可以提高神經(jīng)修復(fù)技術(shù)的水平.現(xiàn)代通訊設(shè)備依靠電場及電流傳遞信息,而生物系統(tǒng)則利用膜受體控制信號傳遞,其速度可以遠遠超過世 界上最強大的計算機.例如,將聲波轉(zhuǎn)換成神經(jīng)脈沖是一個非常復(fù)雜的過程,但人耳卻可以毫不費力地完成這一過程.如果將生物系統(tǒng)與電子裝置相結(jié)合,無疑將有 助于提高計算機等電子設(shè)備的性能.   據(jù)此,研究人員將目光轉(zhuǎn)向脂膜
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          美大學(xué)研究人員發(fā)明半導(dǎo)體制作新工藝

          •   美國北卡羅來納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝,研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”,并造出更小更強的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜質(zhì)摻雜方法,科學(xué)家們稱之為“單分子層嫁接”。過去,半導(dǎo)體是通過向硅晶體內(nèi)部摻雜雜質(zhì)而制成的,但隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,晶體管的尺寸也越來越小,這樣就很容易出現(xiàn)不同器件之間摻雜度存在差異的情況,造成器件間的性能差異。   為了解決這個問題,這項新發(fā)明改變了向半
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          6月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比獲得改善 設(shè)備商處境依然艱難

          •   SEMI日前公布了2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統(tǒng)計,6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為3.234億美元,訂單出貨比為0.77。訂單出貨比為0.77意味著該月每出貨價值100美元的產(chǎn)品可獲得價值77美元的訂單。   報告顯示,6月份3.234億美元的訂單額較5月份2.878億美元最終額增長12%,較2008年6月份的9.342億美元最終額減少69%。     與此同時,2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為4.196億美元,較5月份3.92
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          Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

          •   Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。   Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備,計劃于第四季度推出樣品。
          • 關(guān)鍵字: Micron  納米  NAND  USB閃盤  

          MIPS32 處理器強化 NXP 的創(chuàng)新 DTV 平臺

          •   為家庭娛樂、通信、網(wǎng)絡(luò)和便攜式多媒體市場提供業(yè)界標準處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布,恩智浦半導(dǎo)體公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 內(nèi)核進行全球首款 45 納米數(shù)字電視處理器開發(fā)。這款型號為 PNX85500 的處理器是 NXP TV550 全球單芯片數(shù)字電視平臺背后的重要推動力量,可協(xié)助制造商提供許多先進的 HDTV 功能,并以無與倫比的圖像質(zhì)量獲取互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容。   市場研究公司 In-S
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          NVIDIA部署微捷碼Talus 1.1版本到其生產(chǎn)環(huán)境中

          •   芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計自動化有限公司日前宣布,NVIDIA公司已部署微捷碼的Talus® 1.1 IC實現(xiàn)系統(tǒng)到其全面生產(chǎn)環(huán)境中。Talus 1.1版本提供了布線、優(yōu)化和運行時間方面的顯著改善以及增強的可用性特征。NVIDIA是在參加這一最新Talus版本的beta測試后,基于肯定的測試結(jié)果以及改善的流程性能才決定開始使用Talus 1.1進行其生產(chǎn)設(shè)計項目。   “基于核心算法、流程融合和整體可用性方面的顯著改善,我們近期已在我們的生產(chǎn)環(huán)境升級
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          22納米設(shè)備傳難產(chǎn) 延后進駐臺積電

          •   22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者Mapper傳出設(shè)備進度遞延,Mapper目前是與臺積電在新世代半導(dǎo)體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一,Mapper的進度遞延已經(jīng)讓原本預(yù)期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術(shù),Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸,將為臺積電技術(shù)進程埋下未知數(shù)。   據(jù)了解,受到景氣沖擊,投資者資本支出保守,新興設(shè)備業(yè)者Mapper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響,因而對于先
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          科學(xué)家發(fā)明可用于制造超薄顯示器的新型納米晶體材料

          •   羅切斯特大學(xué)與柯達公司的研究人員近日宣稱他們研發(fā)出了一種新的納米發(fā)光晶體材料,這種材料能在吸收能量后持續(xù)保持發(fā)光狀態(tài),而不是像以前那樣將能量通過發(fā)熱方式耗散掉。該材料有望應(yīng)用于高亮度LED照明,廉價激光器制造等應(yīng)用場合,還可以被用來開發(fā)更薄的電視,顯示器產(chǎn)品。   羅切斯特大學(xué)教授Todd Krauss說:“納米晶體從光子吸收能量后,將通過發(fā)光或發(fā)熱兩種方式來耗散能量。”通過第一種方式耗散能量的晶體類型被稱為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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          納米硅膠體鉛酸蓄電池

          • 摘要:從原理上分析了納米氣相二氧化硅膠體鉛酸蓄電池的特性,介紹了一種研究成果,應(yīng)用于鉛蓄電池的硅膠體的制造原理和方法。主要是利用表面化學(xué)的基本原理和電化學(xué)動力學(xué)催化的基本方法,應(yīng)用納米氣相Si02溶膠的半
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          臺積電承認40納米工藝遭遇障礙

          •   在公布最新季度財報的同時,臺積電也第一次公開承認,其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。   臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產(chǎn)線,并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入,高于預(yù)期水準,預(yù)計今年第二季度會達到2%左右。   臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時說:“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術(shù)。(不過)我們已經(jīng)找到了問題的根源,并且已經(jīng)或正在解決。”   結(jié)合此前消息,臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率,難以制造高性能GPU芯片,
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  納米  芯片  

          東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)

          •   東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應(yīng)用于記憶卡和USB存儲設(shè)備,未來會擴展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。   隨著越來越多的移動設(shè)備在聲音和影像方面的逐步數(shù)字化,高容量、更小巧的內(nèi)存產(chǎn)品在市場上的需求也越來越強勁。   新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內(nèi)制造。東芝公司將比原計劃提前2個月,從2009年7月起,大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
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          Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM

          •   韓聯(lián)社4月27日電稱,Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示,該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM,在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。   據(jù)介紹,該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作,接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%,并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著,1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
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          納米介紹

          納米是長度單位,原稱毫微米,就是10^-9米(10億分之一米),即10^-6毫米(100萬分之一毫米)。納米科學(xué)與技術(shù),有時簡稱為納米技術(shù),是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性,如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級界限就不導(dǎo)電,原來絕緣的二氧化硅、晶體等,在某一納米級界限時開始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]

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