絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)
- 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)是均壓控制。峰值控制技術(shù)是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的集射極電壓都不超過安全極限的有效技術(shù)。在介紹IGBT工作特性的基礎(chǔ)上，對串聯(lián)IGBT關(guān)斷過程不同動態(tài)時段內(nèi)的均壓控制目標進行了分析，為設(shè)計不帶RC緩沖回路的均壓方法提供了理論基礎(chǔ)。綜合各階段控制要點，采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法，在低壓實驗中實現(xiàn)了有效的串聯(lián)均壓，驗證了理論分析的正確性。最后，針對該方法在高壓應(yīng)用時的缺點，提出了一種新的峰值控制方法，并通過仿真驗證了該方法均壓控制的有效性。
- 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管 均壓 峰值控制
可再生能源應(yīng)用加持IGBT市場前景一片光明
- 據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動力來源。IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。在Yole的報告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達驅(qū)動器的應(yīng)用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用，馬達驅(qū)動器是帶動IGBT
- 關(guān)鍵字： 可再生能源 IGBT
英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來，已經(jīng)獲得了巨大的市場關(guān)注，它被認為是一種革新的技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 TRENCHSTOP IGBT
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT，擴充產(chǎn)品陣容
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應(yīng)用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
- 關(guān)鍵字： 安森美，IGBT
英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動器，汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng)，該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標準 (ISO 26262)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 EiceDRIVER 逆變器 IGBT
IGBT應(yīng)用設(shè)計全面剖析
- 如何做好IGBT的保護眾所周知，IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率...
- 關(guān)鍵字： IGBT 應(yīng)用設(shè)計
IGBT實用的驅(qū)動電路及細節(jié)設(shè)計
- 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到，其柵極G，相當(dāng)于一個數(shù)納法(nF)的小電容(暫時這樣認為)，這與MOS...
- 關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動電路 細節(jié)設(shè)計
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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