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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

          采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案

          • 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用,以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中,風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色,并已處于領先地位。在過去的20年中,風力渦輪機的尺寸已擴大三倍,其發(fā)電功率大幅提升,不久后將突破15MW的大關。因此,先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作,需要高度的可靠性和堅固性,以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)
          • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

          功率模塊選得好,逆變器高效又可靠

          • 全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示,太陽能發(fā)電量首次超過風電,達到1300TWh。轉(zhuǎn)換能量需要用到逆變器和轉(zhuǎn)換器。太陽能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電,而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似,其主驅(qū)電池系統(tǒng)提供直流電,而發(fā)動機中的主驅(qū)電機需要交流電。在這兩種情況下,電力轉(zhuǎn)換過程的能效具有重要影響,因為任何能量損失都會轉(zhuǎn)化為熱量,這就需要風扇或散熱器等散熱措施,進而會擴大整體解決方案
          • 關鍵字: QDual3  電源轉(zhuǎn)換  IGBT  

          更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊

          • 摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制載流子的等離子體層(CPL)結構減少芯片厚度,從而顯著的降低了功率損耗。特別是,在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下,SDA結構可將Eon降低約60%,通過大幅降低功率損耗,模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
          • 關鍵字: 三菱電機   IGBT  

          IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)

          • 引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛,技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶?。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基(SiC)。Si IGBT 或?qū)拵?SiC MOSFET功率半導體具有不同的性能特點,可以適合不同的目標應用。單一性質(zhì)的IGBT器件或SiC器件在逆變器應用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設計人員希望以創(chuàng)造性的
          • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

          高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

          • 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設計?!陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動器  功率耗散  

          什么是IGBT的退飽和(desaturation)? 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)?

          • 如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態(tài)分為三個部分:1、關斷區(qū):CE間電壓小于一個門檻電壓,即背面PN結的開啟電壓,IGBT背面PN結截止,無電流流動。2、飽和區(qū):CE間電壓大于門檻電壓后,電流開始流動,CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升,這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低,因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū):隨著CE間電壓繼續(xù)上升,電流進一步增大。到一定臨界點后,CE電壓迅速增大,而集電極電流并不隨之增
          • 關鍵字: IGBT  

          一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算,圖文結合+計算公式步驟

          • 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結溫計算。與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
          • 關鍵字: IGBT  損耗  溫升  

          安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設計并降低成本

          • 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現(xiàn),有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時,QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計,非常適合用于大功率變流器
          • 關鍵字: 安森美  IGBT  再生能源  

          一文搞懂IGBT

          • 01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;(因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結材料和厚度有關))MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。(因為MOS管有Rds,如果Ids比較大,就會導致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的
          • 關鍵字: IGBT  功率半導體  

          用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

          • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅(qū)動器
          • 關鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側(cè)柵極驅(qū)動器  

          Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動器

          • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動器,適配單個LV100(三菱)、XHPTM 2(英飛凌)、HPnC(富士電機)以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊,該模塊適用于儲能系統(tǒng)以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅(qū)動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理,從而提高系統(tǒng)利用率,并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營銷經(jīng)理Thors
          • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  門極驅(qū)動器  

          從零了解汽車電控IGBT模塊

          • 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機驅(qū)動部分,則是電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對外宣布,歐盟27個成員國已經(jīng)初步達成一致,歐洲
          • 關鍵字: 汽車  電控  IGBT  

          車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量

          • 3 月 28 日的發(fā)布會上,小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時,雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標準版及 Max 版基本配置外,還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產(chǎn),不可選配,故相關車型可最先交付,而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付,Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日,小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場,雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念,再揮手目送每位車主離開。
          • 關鍵字: IGBT  

          雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
          • 關鍵字: 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

          柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析S
          • 關鍵字: IGBT  SiC  開關特性  
          共674條 1/45 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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