絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)

晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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突發(fā)！傳IGBT大廠停止接單

　　IGBT市場(chǎng)缺口高達(dá)50%，安森美已不再接單?！　‰S著新能源汽車(chē)發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時(shí)疊加持續(xù)一年有余的全球缺芯大背景，車(chē)規(guī)級(jí)IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內(nèi)已發(fā)出預(yù)警稱(chēng)，今年下半年IGBT或?qū)⒊蔀樾履茉雌?chē)生產(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過(guò)MCU?！　∪缃襁~入5月，IGBT供不應(yīng)求已有愈演愈烈之勢(shì)。目前IGBT交貨周期已全線拉長(zhǎng)到50周以上，個(gè)別料號(hào)周期甚至更長(zhǎng)。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實(shí)需求訂單，預(yù)計(jì)真實(shí)需求是實(shí)際供貨能力的1.5倍，這也意
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全球第一IGBT企業(yè)，訂單與交貨量2:1，交貨周期長(zhǎng)達(dá)50周

　　IGBT作為一種常用的半導(dǎo)體芯片，我們生活中的家用電器、汽車(chē)等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響，IGBT目前也處于緊缺狀態(tài)，尤其是車(chē)規(guī)級(jí)IGBT更是缺貨嚴(yán)重，缺口最大的時(shí)候已經(jīng)超過(guò)50%。全球最大的IGBT企業(yè)依然缺貨　　芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應(yīng)商，整個(gè)IGBT市場(chǎng)英飛凌占據(jù)三分之一份額，訂單量、出貨量都是遙遙領(lǐng)先，就是這樣規(guī)模的企業(yè)同樣面臨著巨大的供需缺口，目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2：1，而且交貨周期長(zhǎng)達(dá)50周，尤其是車(chē)規(guī)及IGBT供需缺口還有進(jìn)一步擴(kuò)大趨
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海外大廠訂單排滿，光伏需求大增加劇IGBT缺貨

　　5月16日?qǐng)?bào)道，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過(guò)來(lái)的消息。士蘭微和華潤(rùn)微相關(guān)人士表示，由于汽車(chē)和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長(zhǎng)很快，做不過(guò)來(lái)?！　INNO Research半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis稱(chēng)，車(chē)規(guī)級(jí)IGBT下探至0.5，即供需缺口在50%以上。因?yàn)檐?chē)規(guī)級(jí)IGBT認(rèn)證周期很長(zhǎng)，悠關(guān)生命安全，認(rèn)證項(xiàng)目復(fù)雜且冗長(zhǎng)，付出成本昂貴，技術(shù)Know-How不易取得，一般快則兩到三年，慢則甚至五到十年之間。因此產(chǎn)能的擴(kuò)充在近期內(nèi)無(wú)法緩解終端市場(chǎng)強(qiáng)大需求的短缺，至少在2023年
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海外大廠已停止接單國(guó)內(nèi)IGBT企業(yè)有望填補(bǔ)空缺

　　獲悉，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過(guò)來(lái)的消息。安森美深圳廠內(nèi)部人士透露消息稱(chēng)，車(chē)用絕緣柵雙極晶體管訂單(IGBT)已滿且不再接單，但不排除訂單中存在一定比例的超額下單。士蘭微(600460)和華潤(rùn)微相關(guān)人士也表示，由于汽車(chē)和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長(zhǎng)很快，做不過(guò)來(lái)?！　」?yīng)鏈業(yè)者表示，2021年起車(chē)用半導(dǎo)體中的功率元件、微控制器最為缺乏，且直至2022年情況都未見(jiàn)明顯改善。在IGBT產(chǎn)品中，車(chē)用IGBT的缺口則更大。CINNOResearch半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvi
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歐盟或?qū)⒓铀俳ㄖ惭b光伏 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈有望受益

　　獲悉，歐盟的REPowerEU計(jì)劃草案提出，2022年屋頂光伏發(fā)電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國(guó)政府今年采取行動(dòng)，將屋頂光伏裝置的安裝申請(qǐng)?jiān)S可時(shí)間縮短至三個(gè)月，并提出“到2025年，所有新建筑以及能耗等級(jí)D或以上的現(xiàn)有建筑，都應(yīng)安裝屋頂光伏設(shè)備”。該計(jì)劃有望利好IGBT等逆變器產(chǎn)業(yè)鏈公司?！　?jù)悉，REPowerEU計(jì)劃是歐盟在今年3月8日提出的，價(jià)值高達(dá)1950億歐元，旨在讓成員國(guó)家在2030年之前逐步消除對(duì)俄羅斯化石燃料的依賴(lài)，其中近三分之二的削減可在今年（2022年）底前實(shí)現(xiàn)，結(jié)束歐盟
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Power Integrations推出汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農(nóng)用電動(dòng)汽車(chē)提供強(qiáng)大動(dòng)力

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級(jí)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部集成了兩個(gè)增強(qiáng)型門(mén)極驅(qū)動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測(cè)電路。新驅(qū)動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級(jí)認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證，可實(shí)現(xiàn)AS
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基于單脈沖試驗(yàn)的IGBT模型的電壓應(yīng)力測(cè)試分析

IGBT作為功率設(shè)備的核心器件，在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應(yīng)力對(duì)IGBT模塊的影響，本文搭建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)（選用3代IGBT采用T型三電平拓?fù)?，額定輸出線電壓315 V，電流230 A，設(shè)計(jì)輸入電壓范圍500～1 000 V），通過(guò)單脈沖試驗(yàn)對(duì)不同廠家不同型號(hào)的IGBT進(jìn)行電壓應(yīng)力分析并給出解決方案的可行性。
關(guān)鍵字： IGBT 單脈沖電壓應(yīng)力 202203

子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
關(guān)鍵字： IGBT 焊接封裝空洞率子單元 202201

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
關(guān)鍵字：環(huán)旭電子電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

SCALE-2技術(shù)可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以?xún)?nèi)的功率逆變器和變換器的效率、性能和可靠性
關(guān)鍵字： PI 雙通道門(mén)機(jī)驅(qū)動(dòng)器 SCALE-iFlex?Single IGBT

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е拢琁GBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車(chē)輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴(lài)于高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問(wèn)題限制了開(kāi)關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
關(guān)鍵字： MOSFET MCU IGBT

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開(kāi)發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著節(jié)能意識(shí)的提高，在交流400V級(jí)工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計(jì)周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT