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          絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

          向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點

          • 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中,作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國,已經(jīng)占有約39%的市場份額,在中國制造業(yè)轉型升級的關鍵時期,對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起,功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進,目前可承受電壓能力達到6500V,并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下,6月26-28日,PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行,三
          • 關鍵字: 三菱電機  PCIM亞洲展  IGBT  

          IGBT場效應管的工作原理及檢測方法

          • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點,已逐步取代晶閘管和GTO(門極可關斷晶閘管),是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
          • 關鍵字: IGBT  場效應管  

          更換老化的柵極驅動光電耦合器

          • 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見,且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)來實現(xiàn)驅動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向,以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅動器時,保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素,其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅動電機所需的高電壓和電流,但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務由驅動IGBT的柵極驅動
          • 關鍵字: 電機  IGBT  

          安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅動器將在歐洲PCIM 2019推出

          • 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術,提供低導通損耗和開關損耗,用于多方面的電源應用,包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用,如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
          • 關鍵字: 安森美半導體  IGBT  SiC肖特基二極管技術  

          現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制

          •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德國 慕尼黑)  摘要:通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能?! £P鍵詞:IGBT; MOSFET; 柵極驅動器;耐受性;隔離? ? &nb
          • 關鍵字: 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅動器  耐受性  隔離  

          意法半導體的先進IGBT專為軟開關優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率

          •   意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關性能,提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內(nèi)的能效?! ⌒翴H系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族,適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路,現(xiàn)在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT,來達到更高的能效等級。除新的IH系列外,意法半導體的軟開關用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
          • 關鍵字: 意法半導體  IGBT  

          2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

          • TrendForce在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出,受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長8%。
          • 關鍵字: 功率半導體  IGBT  

          變頻器中IGBT爆炸原因分析,深入透徹!

          •   IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面,小編就結合案例具體分析一下?! 《x  一、IGBT爆炸:因為某些原因,模塊的損耗十分巨大,熱量散不出去,導致內(nèi)部溫度極高,產(chǎn)生氣體,沖破殼體,這就是所謂的IGBT爆炸?! 《? IGBT爆炸原因分析  1.爆炸的本質是發(fā)熱功率超過散熱功率,內(nèi)部原因應該就是過熱?! ?.人為因素 (1)進線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負載3.常
          • 關鍵字: IGBT,變頻器  

          集邦咨詢:需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元

          •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導體作為需求驅動型的產(chǎn)業(yè),2019年
          • 關鍵字: IGBT  SiC   

          除了代工小米9,造車的比亞迪還做了這些事!

          • 比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚,在手機代工和其它業(yè)務方面,仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國重要的制造企業(yè)代表,比亞迪在行業(yè)中具有模范作用,相信經(jīng)過不斷技術突破和進步,比亞迪將會為我國眾多制造企業(yè)樹立一個又一個全新的示范里程碑!
          • 關鍵字: 小米9  比亞迪  IGBT  

          本土廠商同歐日三分天下,中國IGBT不再“一芯難求”

          • 國內(nèi)汽車界中,“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
          • 關鍵字: IGBT  

          關于工業(yè)電機驅動的IGBT,你想知道的都在這里

          •   摘要 :工業(yè)電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機驅動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護的問題?!   」I(yè)環(huán)境中的短路:工業(yè)電機驅動器的工作環(huán)境相對惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
          • 關鍵字: 工業(yè)電機  IGBT  

          富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

          •   11月7日,富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應用技術部部長五十嵐征輝博士來訪之后,富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜,標志著雙方合作進入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎,詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅動產(chǎn)品非常關注,仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應用領域,對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間,雙方對下一步的合作重點和計劃
          • 關鍵字: 青銅劍  IGBT  

          推進航天領域合作 l 航天科工微電院董事長武春風一行到訪青銅劍科技

          •   11月8日,成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長武春風一行到訪青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待,雙方就合作事宜進行了深入交流?! ⊥糁┦颗阃浯猴L一行參觀了公司展廳和研發(fā)實驗室,詳細介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領先技術、應用領域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風對青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中,雙方就航天領域的前沿技術和熱點話題進行了深入探討和討論,進一步商談了合作細節(jié),一致表示未來將擴展多渠道的合作?! 『教炜乒の㈦娮酉到y(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
          • 關鍵字: 青銅劍  IGBT  

          IXYS IGBT驅動模塊可幫助高功率系統(tǒng)設計,縮短設計時間,降低設計成本

          •   IXYS公司新推出的IXIDM1403驅動模塊旨在為市場提供IGBT驅動器件,使設計周期縮短,設計成本做到盡可能最低,并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊,隔離電壓高達4000 V,開關速度高達50 kHz,具有短路保護和電源電壓監(jiān)控功能?! XIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅動模塊,它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅動器,在初級側和次級側之間以及次級側驅動器之間設置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個非常靈活
          • 關鍵字: IXYS  IGBT  
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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