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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響

          • 1 前言  用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
          • 關(guān)鍵字: IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)特性  性能影響    

          IR推出采用D2Pak封裝的600V車(chē)用溝道IGBT

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)應(yīng)用推出600V車(chē)用IGBT系列,適用于空調(diào)變頻器、泵和正溫度系數(shù) (PTC) 加熱器。
          • 關(guān)鍵字: IR  IGBT  二極管  

          瑞薩第七代650V和1250V IGBT建立新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

          • 瑞薩電子公司(TSE: 6723),高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商,日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  晶圓  IGBT  

          二.3KW逆變器后級(jí)制作 IGBT橋驅(qū)動(dòng),可帶任意負(fù)載

          • 突加載、卸載:    短路、自恢復(fù):    SPWM芯片二,電壓采用有效值檢測(cè):  空載:    ...
          • 關(guān)鍵字: 3KW  逆變器  IGBT  橋驅(qū)動(dòng)  

          三菱電機(jī)銳意成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的全球霸主

          • 三菱電機(jī)董事技術(shù)總監(jiān)Gourab Majumdar博士日前在PCIM亞洲2012展上會(huì)見(jiàn)了記者,深入交流了三菱電機(jī)未來(lái)的稱(chēng)霸計(jì)劃,并回答了記者的提問(wèn)。
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  DIPIPM  

          三菱電機(jī)在PCIM亞洲展上大放異彩

          • 三菱電機(jī)最新開(kāi)發(fā)的新MPD系列IGBT模塊,在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相,大受業(yè)內(nèi)人士歡迎。新MPD系列非常適合水冷散熱設(shè)計(jì),是一款散熱性能好、可靠性強(qiáng)的大電流功率模塊。
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  MPD  IGBT  

          采用HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT三相逆變器系統(tǒng)解決方案

          • 逆變器系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟  用于HybridPACK2的HybridKIT的完整結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。HybridPACK2是一種典型的支持三相逆變器的6管IGBT產(chǎn)品。設(shè)計(jì)中需考慮的主要事項(xiàng)和挑戰(zhàn)如下:  逆變器系統(tǒng)采用的直流母線支撐電容,提供
          • 關(guān)鍵字: 逆變器  系統(tǒng)  解決方案  三相  HybridKIT  HybridPACK  IGBT  

          IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用

          • 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  電源  間斷  IGBT  

          基于IGBT的固態(tài)高壓脈沖電源的研究與設(shè)計(jì)

          • 摘要:由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性,在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用,其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源,文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源,系統(tǒng)主要由高壓直流
          • 關(guān)鍵字: 電源  研究  設(shè)計(jì)  脈沖  高壓  IGBT  固態(tài)  基于  

          新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

          • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用ldquo
          • 關(guān)鍵字: IGBT  軟開(kāi)關(guān)  損耗分析    

          英飛凌與富士就HybridPACK 2功率模塊達(dá)成協(xié)議

          • 富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)攜手為混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)提供功率模塊。這兩家公司于近日在PCIM歐洲展會(huì)(地點(diǎn):德國(guó)紐倫堡;時(shí)間:2012年5月8日至10日)上宣布,雙方達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議,利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開(kāi)發(fā)汽車(chē)IGBT功率模塊。為滿足混合動(dòng)力汽車(chē)的功率模塊的供電安全需求,英飛凌與富士就模塊的尺寸、輸出引腳的位置、針翅銅基板的應(yīng)用,以及其他機(jī)械特性達(dá)成一致。該協(xié)議包含HybridPACK 2模塊——額定電壓和電流
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  富士電子  IGBT  HybridPACK 2  

          IGBT系統(tǒng)的介紹

          • IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功
          • 關(guān)鍵字: IGBT  系統(tǒng)    

          針對(duì)HEV/EV市場(chǎng)的IGBT模塊仿真工具Ansoft

          • 面對(duì)高度競(jìng)爭(zhēng)化的混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(HEV/EV)市場(chǎng),動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。功率逆變器在動(dòng)力集成系統(tǒng)中至關(guān)重要,通常由6個(gè)4times;6英寸封裝的IGBT模塊組成。這些IGBT模塊
          • 關(guān)鍵字: Ansoft  IGBT  HEV  EV    

          IR推出600V超高速開(kāi)關(guān)、耐用高頻IGBT

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出高度創(chuàng)新的600V車(chē)用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT,適合電動(dòng)車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力車(chē) (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,包括車(chē)載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
          • 關(guān)鍵字: IR  IGBT  

          IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)

          • 1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái),由于其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能,在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而,由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因,IG
          • 關(guān)鍵字: 控制  技術(shù)  電壓  有源  串聯(lián)  IGBT  
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
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