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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          IGBT應(yīng)用中常見問題及解決方法

          • 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點(diǎn)的igbt,是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管,它控制方便、工作頻率...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  及解決方法  

          用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片

          • 1 引言
              scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括:可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  驅(qū)動(dòng)器  芯片    

          基于運(yùn)放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 為了實(shí)現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制,采用運(yùn)放退飽和的方法,當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時(shí),運(yùn)放飽和輸出,所控制的驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比最大,IGBT近似全導(dǎo)通,電爐加熱功率最大,溫度快速上升;當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí),運(yùn)放開始退飽和,輸出電壓逐漸減小,從而減小驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比,IGBT導(dǎo)通時(shí)間變短,電爐加熱功率減小,實(shí)現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測(cè)試,驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 電阻爐  溫度控制  運(yùn)放  退飽和  IGBT  

          隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

          • 11、請(qǐng)問:HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V,這是對(duì)通過一個(gè)比較 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

          • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

          •   “十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后,國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時(shí),“節(jié)能減排”工作也深入開展,中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國家的重視,近兩年更是列入國家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。   絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件,具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn),廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 新能源  功率器件  IGBT  

          具有有源電壓鉗位功能的電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與研究

          • 摘要:由于電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力機(jī)車的電池工作電壓范圍較大,在剎車能量回收、發(fā)電機(jī)發(fā)電、短路保護(hù)等工況下,防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個(gè)必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應(yīng)用,本文對(duì)幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進(jìn)行了分析,并提出在有源電壓鉗位在電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)化建議。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  電動(dòng)汽車  201211  

          IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用IR的新一代溝道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
          • 關(guān)鍵字: IR  Gen8  IGBT  

          并聯(lián)有源電力濾波器保護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)研究

          • 摘要:針對(duì)并聯(lián)有源電力濾波器在運(yùn)行過程中會(huì)多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關(guān)斷時(shí)間極短,連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會(huì)產(chǎn)生尖峰過電壓,并與原有電
          • 關(guān)鍵字: SAPF  IGBT  過電壓  寄生電感  

          電源管理半導(dǎo)體市場今年預(yù)計(jì)萎縮

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報(bào)告,今年全球電源管理半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)大幅萎縮6%,主要?dú)w因于全球消費(fèi)市場明顯疲軟。電源管理半導(dǎo)體對(duì)于各類設(shè)備節(jié)省能源至關(guān)重要。   2012年電源管理芯片營業(yè)收入預(yù)計(jì)從去年的318億美元降至299億美元。相比之下,去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎(chǔ)上小幅增長1.5%。   明年該市場將恢復(fù)增長,預(yù)計(jì)上升7.6%至322億美元,略高于去年的水平。對(duì)于電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,7.6%的增幅相當(dāng)一般。繼明年之后接下來的三年,市場將保持溫和增長,2016
          • 關(guān)鍵字: IHS  電源管理  半導(dǎo)體  IGBT  

          IGBT光伏發(fā)電逆變電路

          • 國內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高,MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  光伏發(fā)電  逆變電路  

          IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

          • 斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能,而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
          • 關(guān)鍵字: IGBT  大功率  斬波    

          安森美推出9款新的高能效方案

          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

          面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

          • 中心論題:由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變,EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
          • 關(guān)鍵字: IGBT  汽車應(yīng)用  功率模塊    

          IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析

          • 中心論題:IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。驅(qū)動(dòng)電路M57962L簡介。M57962L的工作原理。解決方案:一個(gè)2.5V~5.0V的閥值電壓使IGBT對(duì)柵極電荷集聚很敏感。檢測(cè)管壓降VCE的大小可識(shí)別IGBT是否過流。封閉性
          • 關(guān)鍵字: M57962L  IGBT  驅(qū)動(dòng)電路    
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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