EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議,針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng),提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三菱電機(jī)將新一代功率芯片,應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級(jí):600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的應(yīng)用
- 混合動(dòng)力車電力驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IGBT作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的核心,它的可靠性關(guān)系著混合動(dòng)力車輛的安全運(yùn)行,本文主要針對(duì)IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域,所涉及的可靠性相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了探討,提出了汽車級(jí)IGBT概念,并詳細(xì)說(shuō)明了英飛凌汽車級(jí)IGBT針對(duì)汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布,通過(guò)其在線目錄RS Online(RS在線:http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。 此次推出的產(chǎn)品中,除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外,還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過(guò)驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
- 關(guān)鍵字: RS MOSFET IGBT
RS添加超過(guò)900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布,增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置,飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列,均可從庫(kù)存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎(jiǎng)的直流直流控制器,融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開(kāi)關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字: RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列(RC指逆向?qū)?,可使變頻電機(jī)設(shè)計(jì)更加經(jīng)濟(jì)高效,從而確保采用多個(gè)電機(jī)的家電實(shí)現(xiàn)高達(dá)30%的節(jié)能。 洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和洗碗機(jī)等家電使用的變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置,采用電子控制裝置和一個(gè)開(kāi)關(guān)電源,以便在不同使用條件下,達(dá)到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管集成在單晶粒上,確保器件相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)性解決方
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率轉(zhuǎn)換器 IGBT TRENCHSTOP
慕尼黑上海電子展唱響電力電子技術(shù)應(yīng)用主旋律
- 針對(duì)不久前結(jié)束的哥本哈根會(huì)議,中國(guó)政府出臺(tái)了具體的量化政策,“到2020年我國(guó)單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時(shí),2010年是“十一五”的最后一年,單位GDP能耗降低20%的目標(biāo)也需要實(shí)現(xiàn)。在“節(jié)能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應(yīng)用不斷發(fā)展、智能電網(wǎng)的持續(xù)建設(shè)、混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車市場(chǎng)的刺激等若干利好因素的共同作用下, 2010年將成為電力電子行業(yè)
- 關(guān)鍵字: 慕尼黑上海電子展 可再生能源 IGBT
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月,英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。 通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi),但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達(dá)成和解,并將申請(qǐng)撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
- 關(guān)鍵字: 器件 IGBT 封裝 測(cè)試 MOSFET
寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查:生產(chǎn)線可稱老古董
- 這是一個(gè)結(jié)果尚不明朗的賭注,巴菲特和王傳福站在一邊,巴菲特已經(jīng)賭贏了,但是王傳福暫時(shí)還沒(méi)有。 初冬的傍晚天黑得早,寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時(shí)行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣,公司墻上貼滿了新員工的名字,由于人數(shù)眾多,許多人還來(lái)不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門,投入茫茫夜色,這里有許多來(lái)自深圳的年輕工程師,他們正試圖適應(yīng)在寧波度過(guò)的第一個(gè)寒冷冬天。 這些員工身上,承載著王傳福的野心和夢(mèng)想。“
- 關(guān)鍵字: 比亞迪 IGBT
功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國(guó)企業(yè)加快步伐
- 過(guò)去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔ⅲβ势骷t根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來(lái)越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
- IGBT以其輸入阻抗高,開(kāi)關(guān)速度快,通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件,但在它的使用過(guò)程中,精確測(cè)量導(dǎo)通延遲時(shí)間,目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上,利用其優(yōu)良的特性,設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測(cè)量系統(tǒng),所測(cè)時(shí)間間隔通過(guò)液晶顯示器直接讀取,是一套較為理想的測(cè)量方案。
- 關(guān)鍵字: IGBT 導(dǎo)通 精確測(cè)量 方法
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473