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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置

          •   RS Components于今日宣布,增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置,飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列,均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計工程師。   新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器,融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。   飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
          • 關(guān)鍵字: RS  電源  IGBT  MOSFET  Intellimax  

          英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

          •   英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列(RC指逆向?qū)?,可使變頻電機設(shè)計更加經(jīng)濟高效,從而確保采用多個電機的家電實現(xiàn)高達30%的節(jié)能。   洗衣機、冰箱、空調(diào)和洗碗機等家電使用的變頻電機驅(qū)動裝置,采用電子控制裝置和一個開關(guān)電源,以便在不同使用條件下,達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管集成在單晶粒上,確保器件相對于競爭性解決方
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  功率轉(zhuǎn)換器  IGBT  TRENCHSTOP  

          慕尼黑上海電子展唱響電力電子技術(shù)應(yīng)用主旋律

          •   針對不久前結(jié)束的哥本哈根會議,中國政府出臺了具體的量化政策,“到2020年我國單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時,2010年是“十一五”的最后一年,單位GDP能耗降低20%的目標(biāo)也需要實現(xiàn)。在“節(jié)能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應(yīng)用不斷發(fā)展、智能電網(wǎng)的持續(xù)建設(shè)、混合動力和電動汽車市場的刺激等若干利好因素的共同作用下, 2010年將成為電力電子行業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 慕尼黑上海電子展  可再生能源  IGBT  

          優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

          • 隨著綠色電力運動勢頭不減,包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用,以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求,電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。
          • 關(guān)鍵字: 太陽能  逆變器  高效率  造就  電壓  IGBT  優(yōu)化  

          英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

          •   英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。   通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。   英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達成和解,并將申請撤訴。   作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  IGBT  

          IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

          •   新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。   眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
          • 關(guān)鍵字: 器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET  

          寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查:生產(chǎn)線可稱老古董

          •   這是一個結(jié)果尚不明朗的賭注,巴菲特和王傳福站在一邊,巴菲特已經(jīng)賭贏了,但是王傳福暫時還沒有。   初冬的傍晚天黑得早,寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟通實時行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣,公司墻上貼滿了新員工的名字,由于人數(shù)眾多,許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門,投入茫茫夜色,這里有許多來自深圳的年輕工程師,他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個寒冷冬天。   這些員工身上,承載著王傳福的野心和夢想。“
          • 關(guān)鍵字: 比亞迪  IGBT  

          功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

          •   過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  IGBT  

          關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法

          • IGBT以其輸入阻抗高,開關(guān)速度快,通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件,但在它的使用過程中,精確測量導(dǎo)通延遲時間,目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上,利用其優(yōu)良的特性,設(shè)計一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時間的測量系統(tǒng),所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取,是一套較為理想的測量方案。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  導(dǎo)通  精確測量  方法    

          IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。   AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù),大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外,這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻,提高了散熱性能,
          • 關(guān)鍵字: IR  IGBT  逆變器  

          中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

          •   9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。   為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求,打破國外公司的市場壟斷,推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底啟動大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè),歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。   位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米,部分凈化級別達到了100級,由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體器件  IGBT  二極管  

          中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

          •   中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來,高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷,該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進程。   大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件,被譽為電力電子產(chǎn)品的“CPU”,廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來,國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進口,價格昂貴,嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶閘管  IGBT  

          基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究

          • 從普通串級調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  斬波  串級調(diào)速  系統(tǒng)    

          英飛凌再度稱雄功率電子市場

          •   英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱,2008年,此類器件的全球市場增長了1.5%,增至139.6億美元(2007年為137.6億美元),而英飛凌的增長率高達7.8%?,F(xiàn)在,英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額,其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲,英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭,分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。   隨著汽車、消費和工
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  MOSFET  
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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