絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)

IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

關(guān)鍵字：絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用保護(hù)

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

　　經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。　　剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來(lái),這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國(guó)際一流技術(shù);二是擁有
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IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT綜述
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

摘要：本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。敘詞：IGB
關(guān)鍵字：技術(shù) 保護(hù) IGBT 逆變電源大功率電源

IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算

摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。敘詞：IGBT，驅(qū)動(dòng)
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

　　新聞事件：　　韓國(guó)LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響：　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊　　韓國(guó)LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。　　合
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功率半導(dǎo)體：節(jié)能應(yīng)用顯身手中國(guó)市場(chǎng)現(xiàn)商機(jī)

　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會(huì)在上海光大會(huì)展中心落下帷幕。在展會(huì)期間，國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時(shí)，參展企業(yè)也紛紛表示對(duì)中國(guó)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景充滿信心。　　新產(chǎn)品亮相PCIM展　　一年一度的PCIM展是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的盛會(huì)，同時(shí)也是業(yè)內(nèi)企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺(tái)。在今年的展會(huì)上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中，通常要在I
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混合動(dòng)力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國(guó)際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國(guó)對(duì)于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
關(guān)鍵字：新能源 IGBT F-RAM 混合動(dòng)力

英飛凌推出Smart系列IGBT模塊

　　在2009年紐倫堡PCIM展會(huì)上，英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動(dòng)壓接裝配工藝，僅需一個(gè)螺釘通過(guò)單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過(guò)提供高可靠性壓接技術(shù)，英飛凌滿足了功率高達(dá)55 kW逆變器的設(shè)計(jì)要求。Smart模塊能夠優(yōu)化功率變換器的解決方案，應(yīng)用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備、太陽(yáng)能逆變器及空調(diào)系統(tǒng)中。　　安全、簡(jiǎn)單的自動(dòng)壓接裝配　　壓接工藝結(jié)合自動(dòng)裝配技術(shù)的革命性創(chuàng)新簡(jiǎn)化了
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

1 前言用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車的燃油效率

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
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電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的快速增長(zhǎng)之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國(guó)家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長(zhǎng)，今后兩年中國(guó)的市場(chǎng)需求整體也將繼續(xù)較快增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
關(guān)鍵字：電源管理節(jié)能 IGBT MOSFET 數(shù)字電源穩(wěn)壓器 200903

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

許多電子設(shè)計(jì)應(yīng)用要求的激勵(lì)源幅度超出了當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測(cè)器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號(hào)的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說(shuō)明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：泰克 MOSFET IGBT 200903