美光 文章 進入美光技術(shù)社區(qū)
美光愛達荷與紐約晶圓廠預(yù)計分別于2027、2028年投產(chǎn)
- 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達荷州博伊西的晶圓廠預(yù)計將于2027財年投入運營，而紐約州的克萊晶圓廠則預(yù)計將在2028財年或之后開始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項目。其中包含2座晶圓廠的首階段項目將耗資200億美元，定于2029年投運。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠，目標2041年投運。同年，美光還宣布計劃在10年內(nèi)投資150億美
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
- 據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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美光預(yù)計愛達荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運
- IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚，以及他們供應(yīng)給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)
- 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響
- 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達時廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導(dǎo)，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣
- 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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存儲龍頭計劃興建新工廠！
- 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價值數(shù)十億美元
- IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預(yù)計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預(yù)計規(guī)模，從 75~80 億美
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美光曝存儲器新進度
- 研調(diào)機構(gòu)TrendForce集邦咨詢17日舉辦AI服務(wù)器論壇，美光透露目前DDR5醞釀許久，而HBM產(chǎn)能在2025年前已滿載，美光在各種存儲器產(chǎn)品有多種布局，也為AI數(shù)據(jù)中心提供強大支持。美光在全球布局超過54,000項專利，存儲器和存儲技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，目前已經(jīng)醞釀很久DDR5，下一代會做到1γ制程，采用EUV制程技術(shù)，計劃2025年率先在中國臺灣量產(chǎn)。美光表示，公司擁有廣泛的產(chǎn)品群組、長周期生命產(chǎn)品，以及完整的系統(tǒng)規(guī)劃。隨著AI改變數(shù)據(jù)中心生態(tài)，讀取方式已經(jīng)不同，必須跟著AI神經(jīng)網(wǎng)路模式運作，因此深度學習
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美光4150AT SSD引領(lǐng)多域SoC分布存儲革命
- 隨著汽車的智能化和電氣化步伐日趨加快，汽車行業(yè)在致力于進一步豐富人們的駕駛體驗方面取得卓越成效。新款汽車的座艙內(nèi)部遍布著各種功能單元和顯示屏、車載內(nèi)容，還有導(dǎo)航系統(tǒng)以及人與車輛之間的交互，這些新技術(shù)在革命性改善駕乘體驗的同時，對內(nèi)存的容量、尺寸和可靠性提出了日益嚴苛的技術(shù)需求。最直觀的需求就是，當下的汽車需要采用更多高性能的車規(guī)級內(nèi)存與存儲解決方案。作為全球領(lǐng)跑的汽車內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商，美光擁有最廣泛的產(chǎn)品組合，深耕汽車行業(yè)超過30年、產(chǎn)品歷經(jīng)數(shù)以萬億英里的道路測試，并被廣泛應(yīng)用在包括導(dǎo)航、座艙體驗
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長
- 2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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美光率先出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，其速率在所有主流服務(wù)器平臺上均高達 5,600 MT/s。該款 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用美光行業(yè)領(lǐng)先的 1β（1-beta） 制程技術(shù)，相較于采用 3DS 硅通孔（TSV）技術(shù)的競品，容量密度提升 45% 以上，[1]能效提升高達 22%，[2]延遲降低高達 16%1。&nb
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細 ]
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