肖特基二極管文章進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區(qū)

肖特基二極管4大特性，你都知道嗎？

前言肖特基二極管是重要的電子元器件，因?yàn)槠涑休d著保護(hù)電路的重要作用，所以顯得格外的不可或缺，我們都知道在選擇肖特基二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的肖特基二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。知道其特性，對于我們的使用也更加得心應(yīng)手，下面這篇文章將帶你一起去探索神秘的肖特基二極管特性。正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流的關(guān)系在肖特基二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場區(qū)域變窄，可以
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
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中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

IT之家 12 月 12 日消息，據(jù)中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會議，是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
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羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書，助力汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和更低損耗！

1. 前言近年來，隨著電動(dòng)汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及，應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護(hù)電路，而被廣泛應(yīng)用在從手機(jī)到電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中，半導(dǎo)體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績（圖1）。 &
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Littelfuse將于2019年APEC大會上推出650V碳化硅肖特基二極管，該二極管提供新的封裝尺寸以及6A至40A的額定電流

　　Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管，進(jìn)一步擴(kuò)大了其二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管系列。相比傳統(tǒng)的硅基器件，兩個(gè)系列均為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供多種優(yōu)勢，包括可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護(hù)能力以及175°C最高運(yùn)行結(jié)溫，因此是需要增強(qiáng)效率、可靠性與熱管理的應(yīng)用的理想選擇。這些產(chǎn)品將在加州安海姆舉辦的應(yīng)用電力電子會議(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位號：253。　　LSIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
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Littelfuse新推經(jīng)過擴(kuò)展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列，可降低開關(guān)損耗，提高效率和耐用性

　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個(gè)隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布?！　〉?代1200V碳化硅肖特基二極管　　LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封裝。此外，LSIC2SD120C08系列的額定電流為8A，采用TO-252-2L封裝
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英飛凌推出可提高開關(guān)速度的第六代650 V CoolSiC肖特基二極管

　　英飛凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC?肖特基二極管，是CoolSiC二極管產(chǎn)品系列的最新成員。它立足于第五代產(chǎn)品與眾不同的特性，能確保可靠性、質(zhì)量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650 V CoolMOS? 7產(chǎn)品系列的完美補(bǔ)充。它們面向當(dāng)前和未來的服務(wù)器和PC電源、電信設(shè)備電源和光伏逆變器應(yīng)用。　　第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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Littelfuse 新推新平臺開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管，具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率

　　-Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)(PCIM)展的開幕。這種碳化硅二極管是通過Littelfuse與Monolith Semiconductor合作技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品系列中的首批產(chǎn)品。其他基于該技術(shù)平臺的碳化硅產(chǎn)品(包括1200V碳化硅金氧半場效晶體管)正在籌備中，預(yù)計(jì)于不遠(yuǎn)的將來推出?！　EN2系列碳化硅肖特基二極管
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肖特基二極管的目前趨勢

　　引言　　雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了，新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強(qiáng)了它的特性并擴(kuò)展了應(yīng)用的可能性。除了太陽能電池板和汽車，它們現(xiàn)在也被用于筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦的電池充電器?！　≡缭?938年，德國物理學(xué)家Walter?Schottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個(gè)耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值的電功率在金屬和半導(dǎo)體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導(dǎo)體二極管(例如：表現(xiàn)出歐
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根據(jù)雪崩性能選擇肖特基二極管

汽車電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施，以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷那跋?/li>
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深度挖掘肖特基二極管應(yīng)用要點(diǎn)

　　肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽過肖特基，但我們是否真正了解,肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們想要的答案。　　二極管有多種類型：按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結(jié)構(gòu)可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等;按照結(jié)類型又可分為半導(dǎo)體結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容

　　前言　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體(SiC半導(dǎo)體)的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。　　已逐步滲透到生活中的SiC功率元器件　　SiC功率元器件是以碳和硅組成
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英飛凌推出第五代1200V thinQ!?碳化硅肖特基二極管可在單相和三相應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

　　2014年6月16日——英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進(jìn)一步擴(kuò)展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其浪涌電流承受能力提高了一倍以上，并且具備卓越的散熱性能。得益于這些特性，該產(chǎn)品可以在太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、三相SMPS(開關(guān)電源)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中大大提高效率，并且可靠運(yùn)行。　　“第五代”碳化硅二極管采用了新的緊湊式芯片設(shè)計(jì)，將PN結(jié)設(shè)計(jì)
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一種用于汽車啟停系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方案

為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟?！惫δ埽覟閿?shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī)，當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)到加速踏板——或者在使用手動(dòng)檔情況下釋放離合器踏板重新接入動(dòng)力時(shí)又自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。在城市行駛和停停走走的高峰時(shí)段這種功能非常有助于減少燃油消耗。然而，這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，因?yàn)樵诎l(fā)動(dòng)機(jī)重啟時(shí)電池電壓可能降至6.0V或更低。另外，典型的電子模塊都包含有一個(gè)反極性的二極管，
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肖特基二極管介紹

目錄簡介原理優(yōu)點(diǎn) 結(jié)構(gòu) 特點(diǎn) 應(yīng)用其它簡介　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo) [ 查看詳細(xì) ]