肖特基二極管文章進入肖特基二極管技術(shù)社區(qū)

改善高速IC比較器瞬態(tài)響應(yīng)肖特基二極管的電路設(shè)計

在設(shè)計實例中，一條電路把精確DC基準(zhǔn)電壓切換到高速IC比較器的非逆變輸入端。該電路使用一個先斷后連(BBM)方...
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電路的均方根輸出在寬范圍內(nèi)與溫度呈線性比例關(guān)系

眾所周知，p-n結(jié)二極管是最高約200℃的低溫精密溫度計的基礎(chǔ)。流經(jīng)二極管的電流保持恒定，二極管上的電壓則提供...
關(guān)鍵字：肖特基二極管恒流源 555非穩(wěn)態(tài)時鐘

肖特基二極管組成的電荷泵多電壓輸出電路

肖特基二極管組成的電荷泵多電壓輸出電路,概要在需要價格便宜的多電源輸出的方案或者一個簡單的負電壓、高電壓輸出回路的時候, 用二極管和電容組成的電荷泵很有用.在不用芯片和電感線圈的情況下,二極管電荷泵能夠高
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理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。　　全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝，熱阻僅為261oC/W，比DFN0603封裝低約一半，有效把開關(guān)、反向阻斷和整流電路的功耗減半。　　SDM0230CSP的占位面積為0.1
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。
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Diodes肖特基二極管節(jié)省空間高達66%

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關(guān)、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機與平板電腦等超便攜產(chǎn)品更高密度的設(shè)計需求。
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PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器肖特基二極管（SBD）

肖特基（Schottky）二極管是將金屬層沉積在N型硅的薄薄外延層上，利用金屬和半導(dǎo)體之間的接觸勢壘獲得單向?qū)?..
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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肖特基二極管簡介

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列

　　碳化硅 (SiC) 功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用中推廣。
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝及應(yīng)用

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
關(guān)鍵字：肖特基二極管封裝

英飛凌推出性能改進的第三代碳化硅肖特基二極管thinQ

　　英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開關(guān)頻率和輕負載條件下提升整個系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設(shè)計的DPAK封裝產(chǎn)品。　　SiC肖特基
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肖特基二極管介紹

目錄簡介原理優(yōu)點結(jié)構(gòu) 特點應(yīng)用其它簡介　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo) [ 查看詳細 ]