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肖特基二極管
肖特基二極管 文章 進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區(qū)
提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率
- 為幫助提高DC/DC在更輕負(fù)載和更高頻率下的轉(zhuǎn)換效率,可以將肖特基二極管集成到MOSFET芯片中,構(gòu)成單個(gè)封裝,以降 ...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 體二極管 反向恢復(fù) DC 正向壓降 死區(qū)時(shí)間 電荷理論 肖特基二極管 轉(zhuǎn)換效率 效率水平
凌力爾特推出低噪聲升壓型轉(zhuǎn)換器LT3495/-1
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- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低噪聲升壓型轉(zhuǎn)換器 LT3495/-1,該器件具集成的電源開關(guān)、肖特基二極管和輸出斷接電路。LT3495 使用 650mA 開關(guān),而 LT3495-1 使用 350mA 開關(guān)。這兩款器件都采用 2mm x 3mm DFN-10 封裝。2.3V 至 16V 的寬輸入電壓范圍使它們能夠用高達(dá) 12V 固定輸入電源軌的單節(jié)鋰離子電池工作,同時(shí)提供高達(dá) 40V 的輸出。LT3495 可用單節(jié)鋰離子電池在 16V 時(shí)提供超過 70
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二極管基礎(chǔ)知識(shí):什么是肖特基二極管?
- 什么是肖特基二極管? 新聞出處:電子市場(chǎng)肖特基二極管 基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導(dǎo)體(N型硅片)的接觸面上,用已形成的肖特基來(lái)阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長(zhǎng)是:開關(guān)速度非??欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間特別地短。因此,能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料
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凌力爾特用N溝道MOSFET取代肖特基二極管
- 凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的雙路理想二極管“或”控制器LTC4355允許在高可用性系統(tǒng)中用N溝道MOSFET取代肖特基二極管,并具有廣泛的故障監(jiān)視功能以診斷電源故障。以這種方式形成的輸入電源二極管“或”電路可降低功耗、減小熱耗散及所占用的印刷電路板面積。該器件9V至80V的寬工作電壓范圍支持具有兩個(gè)正電源的二極管“或”應(yīng)用,如12V分布式總線架構(gòu),或兩個(gè)負(fù)電源的返回通路,如-48VAdvancedTCA(ATCA)應(yīng)用。另外,LTC4355監(jiān)視如下幾種類型的
- 關(guān)鍵字: LTC4355 電源技術(shù) 凌力爾特 模擬技術(shù) 肖特基二極管
ROHM開發(fā)出最小的0603規(guī)格的齊納二極管和肖特基二極管
- ROHM開發(fā)的最新「GMD2」系列產(chǎn)品,采用先進(jìn)的齊納二極管、肖特基勢(shì)壘二極管封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今世界上最小、最薄的封裝尺寸,對(duì)于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等各種追求小型化、薄型化設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品,無(wú)疑是最佳選擇。 0603尺寸「GMD2」封裝系列的主要優(yōu)點(diǎn) 0.6mm
- 關(guān)鍵字: 0603規(guī)格 ROHM 單片機(jī) 齊納二極管 嵌入式系統(tǒng) 肖特基二極管
肖特基二極管介紹
目錄
簡(jiǎn)介
原理
優(yōu)點(diǎn)
結(jié)構(gòu)
特點(diǎn)
應(yīng)用
其它
簡(jiǎn)介
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo) [ 查看詳細(xì) ]
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