艾邁斯(ams)半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入艾邁斯(ams)半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
我國首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯 助推半導(dǎo)體工業(yè)
- 將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用 記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導(dǎo)課題組，采用化學(xué)氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報告》。 石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能，使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前，化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長過程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 半導(dǎo)體
寬禁帶半導(dǎo)體新時代的來臨
- 第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，GaN占絕對的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來看，未來2
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶圓制造
半導(dǎo)體、電子設(shè)備：電子行業(yè)整體運(yùn)行狀況
- 電子板塊五個交易日上漲2.46%，排在23個行業(yè)中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。 行業(yè)動態(tài)觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內(nèi)液晶電視面板自給率超過3成
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 電子設(shè)備
半導(dǎo)體巨頭搶入20納米 設(shè)備廠新一輪搶單
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠也展開新一波的搶單計劃。 在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺積電及英特爾供應(yīng)鏈，對于國內(nèi)設(shè)備廠漢微科來說競爭壓力大增。 雖然半導(dǎo)體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 20納米
半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程 業(yè)者掠地
- EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場。 16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時程，為協(xié)助客戶能突破Fi
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 14nm
莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
- 推動半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來，原因究竟是什么? 傳統(tǒng)光刻技術(shù)與日俱進(jìn) 當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)。 提高光刻的分辨率有3個途徑：縮短曝光波長、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
- 關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體技術(shù)扮推手 醫(yī)療保健設(shè)備邁向智能化
- 半導(dǎo)體技術(shù)正推動醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)變革。在半導(dǎo)體業(yè)者的努力下，MEMS感測器和致動器、低功耗微控制器，以及無線收發(fā)器的效能不斷提升，且功耗大幅降低，因而有助電子產(chǎn)品制造商為可攜式醫(yī)療電子設(shè)備增添智慧化功能，從而加速行動醫(yī)療及遠(yuǎn)距照護(hù)發(fā)展。 意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨大中華與南亞區(qū)總裁紀(jì)衡華 過往醫(yī)療設(shè)備體積龐大，占滿整個房間，現(xiàn)今醫(yī)療設(shè)備已不斷變小、變輕，并創(chuàng)造許多新的應(yīng)用，例如很多新的穿戴式醫(yī)療設(shè)備已被設(shè)計得十分隱蔽，不易被人發(fā)現(xiàn)。如同智慧型手機(jī)和游戲機(jī)一樣，可攜式醫(yī)療設(shè)備可全天候工作，讓病患與醫(yī)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 MEMS
國際半導(dǎo)體展 聚焦3D IC綠色制程
- SEMICON Taiwan 2013國際半導(dǎo)體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機(jī)械及系統(tǒng)級封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極體)制程特展，同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業(yè)主參與，預(yù)料將成注目焦點。 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 3D
融資渠道成關(guān)鍵 IC代工業(yè)需有序進(jìn)步
- 中國半導(dǎo)體業(yè)究竟要實現(xiàn)什么樣的目標(biāo)?有宏大的目標(biāo)如“建立自主可控的中國半導(dǎo)體業(yè)體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平還稍有點遠(yuǎn)，我們可以把它稱之為中國半導(dǎo)體業(yè)的終極目標(biāo)。還有一個目標(biāo)即中國半導(dǎo)體業(yè)的“十二五”規(guī)劃，簡要概括是實現(xiàn)銷售額3300億元，以及國產(chǎn)化率達(dá)到30%，還有諸如銷售額達(dá)到多少億元的芯片生產(chǎn)線共有多少條等。站在不同立場，對于中國半導(dǎo)體業(yè)要實現(xiàn)的目標(biāo)理解可能不盡相同。實際上IC國產(chǎn)化率才是反映中國半導(dǎo)體業(yè)綜合競爭力提高的主要指
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 IC代工
半導(dǎo)體巨頭搶入20納米 設(shè)備廠新一輪搶單
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠也展開新一波的搶單計劃。 在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺積電及英特爾供應(yīng)鏈，對于國內(nèi)設(shè)備廠漢微科來說競爭壓力大增。 雖然半導(dǎo)體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 20納米
IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
- 半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達(dá)到物理極限。 工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標(biāo)。眾所周知，推動市場進(jìn)步的是終端電子產(chǎn)品的市場需求，向著更
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 14nm
國家首個半導(dǎo)體照明技術(shù)評價聯(lián)盟在京成立
- 近日，由中國照明電器協(xié)會、中國照明學(xué)會、中國質(zhì)量認(rèn)證中心、北京電光源研究所共同發(fā)起的“半導(dǎo)體照明技術(shù)評價聯(lián)盟”在北京成立。該聯(lián)盟為我國首個半導(dǎo)體照明技術(shù)評價領(lǐng)域的社會組織。 該聯(lián)盟的主要任務(wù)是技術(shù)評價，規(guī)范半導(dǎo)體照明產(chǎn)品接口，增強(qiáng)產(chǎn)品之間的互換性，引導(dǎo)國內(nèi)半導(dǎo)體照明技術(shù)進(jìn)步，制定與國際先進(jìn)規(guī)范(標(biāo)準(zhǔn))接軌的聯(lián)盟規(guī)范。 浙江省標(biāo)準(zhǔn)化院與浙江陽光照明電器集團(tuán)股份有限公司、橫店集團(tuán)得邦照明股份有限公司、杭州宇中高虹照明電器有限公司、杭州浙大三色儀器有限公司等10余家浙江企
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 照明
iSuppli顧文軍：中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展魔咒
- 芯夢 中國夢---中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展十個最關(guān)鍵的問題 引言篇：中國半導(dǎo)體業(yè)的“西緒福斯”魔咒 在多古希臘神話中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因為在天庭犯了法，被宙斯懲。對他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會自動滾下來，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復(fù)一日，周而復(fù)始。 猶如西緒福斯推動巨石，歷史是循環(huán)的，又是進(jìn)步的。在半導(dǎo)體業(yè)的輪回中，中國的半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 集成電路
半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
- 英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。 據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該公司在2012年12月就透露正準(zhǔn)備擴(kuò)充D1X廠區(qū)，以「容納新的制造技術(shù)」，但該訊息僅低調(diào)地在美國奧勒岡州當(dāng)?shù)孛襟w曝光，并沒有公布在公司官網(wǎng)。 英特爾D1X廠的第一期工程預(yù)期會是該公司第一條以12寸晶圓生產(chǎn)14奈米 FinFET 晶片的生產(chǎn)線;而
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶圓
艾邁斯(ams)半導(dǎo)體介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條艾邁斯(ams)半導(dǎo)體!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對艾邁斯(ams)半導(dǎo)體的理解，并與今后在此搜索艾邁斯(ams)半導(dǎo)體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對艾邁斯(ams)半導(dǎo)體的理解，并與今后在此搜索艾邁斯(ams)半導(dǎo)體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
艾邁斯(ams)半導(dǎo)體電路
艾邁斯(ams)半導(dǎo)體相關(guān)帖子
艾邁斯(ams)半導(dǎo)體資料下載
艾邁斯(ams)半導(dǎo)體專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473