英特爾? 文章 進入英特爾?技術(shù)社區(qū)
閃存容量突破性進展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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2015IDF前瞻：創(chuàng)新、合作、體驗、互聯(lián)
- 4月8日至9日，2015年英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)即將如期而至，舉辦地依舊選擇在了中國最具神奇的城市深圳?！吧钲谒俣取绷钣⑻貭柛械襟@訝并最終選擇與深圳平板圈共舞，這一年多來英特爾跟深圳的合作伙伴們碰撞出了怎樣的火花？
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閃存容量突破性進展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾注資展訊來勢猛，聯(lián)發(fā)科手機芯片急降價
- 展訊今(2)日舉行新品發(fā)表會，為英特爾投資展訊母公司清華紫光以來的首場發(fā)表會，會中將發(fā)表 4G 新品，宣示展訊進入 4G 時代，據(jù)傳展訊將大砍 3G 晶片價格，搶攻市占。傳聯(lián)發(fā)科晶片價格也以降價應(yīng)戰(zhàn)，中國中低階手機晶片的價格割喉戰(zhàn)看來形勢更加嚴峻。 近年來展訊急起直追，據(jù)市調(diào)公司 Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，2014 年展訊擠掉英特爾，成為高通、聯(lián)發(fā)科之后的基頻晶片三哥，而母公司清華紫光 2014 年相繼獲英特爾及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的挹注，手握銀兩、背有靠山，展訊更是大舉
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英特爾或?qū)⑼瞥鐾黄?0顆核心的超強芯
- 在處理器市場，憑借著出色的設(shè)計以及制作工藝英特爾一直扮演著領(lǐng)頭羊的角色，但英特爾并沒有自滿，一直不但研發(fā)新的處理器產(chǎn)品。 Intel Xeon Phi是一款面向超級電腦和HPC服務(wù)器打造的超多核心處理器，近日，英特爾今揭露更多關(guān)于代號Knights Landing的第二代Xeon Phi超多核心協(xié)同處理器細節(jié)，預(yù)計在今年下半年推出核心架構(gòu)代號Knights Landing的第二代Xeon Phi超多核心協(xié)同處理器。 ? Intel Xeon Phi 此次將一次
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英特爾緣何押注手機技術(shù)？
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾早些時候收購了英飛凌無線業(yè)務(wù)部門，這一交易的主要目的是有恰當?shù)募夹g(shù)參與智能手機和平板電腦市場上的競爭。 英特爾仍然在大力投資手機技術(shù)，提高在智能手機市場上的競爭力。但是，英特爾似乎認為。對于參與平板電腦，甚至PC市場上的競爭來說，手機技術(shù)是至關(guān)重要的。 在英特爾去年的投資者會議上，首席執(zhí)行官科再奇(Brian Krzanich)表示，“目前有趣的是，盡管手機調(diào)制解調(diào)器技術(shù)在筆記本，甚至平板電腦中的普及率還不高，英特爾認為未來情況將發(fā)生重大變化。英特爾預(yù)計，
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