英飛凌文章進(jìn)入英飛凌技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出低成本低功耗長(zhǎng)距離藍(lán)牙模塊CYW20822-P4TAI040

英飛凌科技股份公司近日宣布推出最新款藍(lán)牙模塊CYW20822-P4TAI040，在低功耗與覆蓋范圍等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的無(wú)線連接技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。該模塊相比同類產(chǎn)品有更高的性價(jià)比，通過(guò)支持藍(lán)牙低功耗長(zhǎng)距離傳輸（LE-LR）增強(qiáng)了性能，具有出色的可靠性，能夠無(wú)縫集成且支持各種應(yīng)用。英飛凌的CYW20822-P4TAI040藍(lán)牙模塊集低功耗和高性能于一身，可支持包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、智能家居、資產(chǎn)追蹤、信標(biāo)和傳感器、以及醫(yī)療設(shè)備在內(nèi)的所有藍(lán)牙LE-LR應(yīng)用場(chǎng)景。ABI Research最
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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英飛凌車輛制動(dòng)穩(wěn)定性控制產(chǎn)品應(yīng)用

英飛凌的車輛制動(dòng)穩(wěn)定性系統(tǒng)，無(wú)疑是現(xiàn)代車輛安全技術(shù)的一大里程碑。該系統(tǒng)不僅具備縮短制動(dòng)距離的能力，更能在緊急情況下確保車輛始終保持在受控狀態(tài)，從而極大地提升了各類車輛在行駛過(guò)程中的安全性。然而，當(dāng)前市場(chǎng)上眾多車輛穩(wěn)定性控制系統(tǒng)往往因?yàn)檫^(guò)于依賴特定客戶的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致性價(jià)比不盡如人意。在此背景下，英飛凌致力于打破這一困境，研發(fā)出符合高安全性要求的標(biāo)準(zhǔn)器件，以滿足廣大客戶對(duì)高性價(jià)比解決方案的迫切需求。在汽車行業(yè)中，英飛凌的控制器和輪速傳感器早已成為市場(chǎng)上的佼佼者。其豐富的產(chǎn)品組合中，不僅涵蓋了各種針對(duì)安全應(yīng)用的汽
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如何測(cè)量功率回路中的雜散電感

影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生電感，直流母線電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）
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英飛凌將Qt圖形用戶界面集成到其微控制器中

Source:?Getty Images/metamorworks根據(jù)1月16日發(fā)布的一篇新聞稿，英飛凌科技日前與Qt集團(tuán)合作，將Qt的圖形用戶界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在將Qt的輕量級(jí)高性能圖形框架無(wú)縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團(tuán)微控制器產(chǎn)品總監(jiān)主管Toni Paila表示：“當(dāng)今的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，全球制造商正在不斷尋找辦法，以期盡可能快地將他們的產(chǎn)品推向市場(chǎng)。全球微控制器的開發(fā)周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程
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英飛凌科技：MCU市場(chǎng)變革中的策略與應(yīng)對(duì)

隨著科技的飛速發(fā)展，微控制器（MCU）在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其是在汽車電子領(lǐng)域，MCU的重要性不言而喻。英飛凌作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，當(dāng)然更加重視MCU 在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用。英飛凌科技大中華區(qū)高級(jí)總監(jiān)、動(dòng)力與新能源系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負(fù)責(zé)人仲小龍1 32位MCU不斷擠占市場(chǎng)近年來(lái)，隨著32 位MCU 的普及，8 位/16 位MCU的市場(chǎng)地位受到了一定程度的擠壓。隨著汽車電子系統(tǒng)功能的提升和集成度的不斷提高，EE 架構(gòu)不斷更新，總體上對(duì)MCU性能的需求也在不斷提升。功能相對(duì)簡(jiǎn)單的系統(tǒng)，如泵、閥和小電
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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英飛凌推出新型固態(tài)隔離器，交換速度更快，功耗降低高達(dá)70%

英飛凌科技股份公司在美國(guó)國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC）上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實(shí)現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有光學(xué)固態(tài)繼電器（SSR）所不具備的保護(hù)功能。這些隔離器采用無(wú)芯變壓器技術(shù)，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，還具備了電流和溫度保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款，與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)隔離器驅(qū)動(dòng)SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固態(tài)隔離器可驅(qū)動(dòng)英飛凌的OptiMOS?和CoolMOS?，其功耗降低多達(dá)70%。英飛凌的固態(tài)隔離器可使固態(tài)繼電器控制1000 V和10
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英飛凌推出PSoC? 車規(guī)級(jí)4100S Max系列

【2024年3月8日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新車規(guī)級(jí)PSoC? 4100S Max系列。這一微控制器器件系列具有更佳的閃存密度、通用輸入輸出接口（GPIO）、CAN-FD和硬件安全性，擴(kuò)展了采用CAPSENSE?技術(shù)的英飛凌汽車車身/暖通空調(diào)（HVAC）和方向盤應(yīng)用人機(jī)界面（HMI）解決方案組合。車規(guī)級(jí) PSoC? 4100S Max 車規(guī)級(jí)PSoC? 4100S Max通過(guò)第五代CAPSEN
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英飛凌宣布重組銷售與營(yíng)銷組織

2月28日，英飛凌宣布重組銷售與營(yíng)銷組織，自3月1日起，英飛凌的銷售團(tuán)隊(duì)將圍繞三個(gè)以客戶為中心的業(yè)務(wù)領(lǐng)域進(jìn)行組織和重建：“汽車業(yè)務(wù)”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)”以及“消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)”。分銷商和電子制造服務(wù)管理（DEM）銷售組織將繼續(xù)負(fù)責(zé)分銷商和電子制造服務(wù)（EMS）領(lǐng)域。英飛凌表示，簡(jiǎn)潔的重組方法將幫助客戶更便捷地獲取英飛凌的完整產(chǎn)品組合，并通過(guò)提供來(lái)自不同事業(yè)部的互補(bǔ)產(chǎn)品來(lái)滿足客戶的特定需求。此外，此次重組將減少英飛凌客戶的接口數(shù)量，有助于縮短英飛凌半導(dǎo)體和解決方案支持的研發(fā)項(xiàng)目的上市時(shí)間。英飛凌科技
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英飛凌與威邁斯加強(qiáng)合作，為電動(dòng)汽車提供節(jié)能經(jīng)濟(jì)的快速充電服務(wù)

英飛凌科技股份公司的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國(guó)領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT與碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管相結(jié)合，在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有完美的性價(jià)比。憑借卓越的性能、優(yōu)化的功率密度和領(lǐng)先的質(zhì)量，該功率半導(dǎo)
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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財(cái)年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無(wú)線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計(jì)算機(jī)安全以及芯片卡市場(chǎng)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無(wú)錫建立 [ 查看詳細(xì) ]