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          NANDFlash買賣雙方協(xié)商 閃存芯片合約價(jià)下跌達(dá)30%

          •   歷經(jīng)過(guò)去2個(gè)月的不斷地交涉協(xié)商后,7月底時(shí)多數(shù)的NANDFlash買賣雙方業(yè)者,終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價(jià)格大致達(dá)成了共識(shí)。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場(chǎng)及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季,再加上2Q季底效應(yīng)的影響,下游客戶多優(yōu)先忙于去化手頭的過(guò)剩庫(kù)存,故他們?cè)诖似陂g回補(bǔ)庫(kù)存的意愿也都不太高。
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          東芝預(yù)計(jì)下半年閃存芯片需求將回彈

          •   東芝周二稱,今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期,主要由于平板電腦及其他消費(fèi)電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。   但東芝高管同時(shí)指出,在今年剩余時(shí)間里,圣誕節(jié)購(gòu)物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將表現(xiàn)強(qiáng)勁。   東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)部門負(fù)責(zé)人Yasuo Naruke稱:“從客戶最近的表現(xiàn)來(lái)看,我們已經(jīng)看到更多的電子設(shè)備正處于困境中。我認(rèn)為,整體而言電子設(shè)備需求有所下降。”
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          NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月來(lái)新高

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,據(jù)臺(tái)灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高,反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。   
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          日本地震未致芯片實(shí)質(zhì)性缺貨

          •   盡管日本地震暫未導(dǎo)致電子產(chǎn)品芯片市場(chǎng)的實(shí)質(zhì)性缺貨,但在電子芯片商家的哄炒下,芯片即將缺貨的心理恐慌已經(jīng)開(kāi)始大面積蔓延。   《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》昨天在上海徐匯區(qū)百腦匯詢問(wèn)多家檔口發(fā)現(xiàn),目前4G手機(jī)內(nèi)存卡一般要價(jià)65元~75元,8G手機(jī)內(nèi)存卡要價(jià)100元~135元。絕大部分商家均表示,最近電子產(chǎn)品漲價(jià)都很厲害,每天漲幅都在5元~10元,而且未來(lái)幾天可能會(huì)繼續(xù)上漲?!?/li>
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          iPad將推動(dòng)今年NAND閃存出貨量增長(zhǎng)近五倍

          •   據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報(bào)告稱,隨著消費(fèi)者越來(lái)越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應(yīng)用增長(zhǎng)將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動(dòng)設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB,比2010年消費(fèi)的4768億GB增長(zhǎng)382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB?!?/li>
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          夏普聯(lián)袂爾必達(dá)開(kāi)發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

          •   日經(jīng)新聞報(bào)道,夏普正與爾必達(dá)聯(lián)手開(kāi)發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片,預(yù)計(jì)在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 夏普  閃存芯片  ReRAM  

          蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑

          •   臺(tái)灣媒體報(bào)道,來(lái)自存儲(chǔ)芯片制造商的消息稱,盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆,但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。   蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單,但即便是這樣也很難推動(dòng)NAND閃存價(jià)格的上漲,這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋果產(chǎn)品的熱銷往往會(huì)導(dǎo)致NAND閃存市場(chǎng)的供不應(yīng)求。   然而現(xiàn)實(shí)是,目前各個(gè)渠道的閃存芯片需求依舊微弱,學(xué)生返校季和即將到來(lái)的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價(jià)格反彈。   更有悲觀的
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          英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片

          •   英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間,還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。   新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息,存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。   兩家公司稱,使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小。新型芯片還有助于降低制造成本。   兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品,預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  閃存芯片  

          東芝宣布未來(lái)三年內(nèi)削減116.4億美元支出

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,東芝近日表示,該公司計(jì)劃通過(guò)在新興經(jīng)濟(jì)體尋找新供貨商,在未來(lái)三年內(nèi)削減1萬(wàn)億日元(約合116.4億美元)的支出。東芝表示,此次削減支出將主要在數(shù)字產(chǎn)品和家電領(lǐng)域。   東芝發(fā)言人表示,在截至2013年3月末的財(cái)年里,東芝預(yù)計(jì)來(lái)自海外的供應(yīng)將占公司采購(gòu)支出總額的70%。這一比例在上一財(cái)年為53%。   與許多日本科技產(chǎn)業(yè)的同行一樣,東芝當(dāng)前面臨的來(lái)自韓國(guó)和中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)壓力不斷加劇。業(yè)內(nèi)人士指出,如果東芝要同亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng),那些成本效率將變得至關(guān)重要。日立在今年6月曾表示,未來(lái)
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          蘋果砸中閃存

          •   iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷,正引發(fā)連鎖反應(yīng)。   7月28日,閃存企業(yè)SanDisk全球高級(jí)副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報(bào)記者專訪時(shí)表示,蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個(gè)閃存芯片市場(chǎng)不少庫(kù)存,目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。   受此拉動(dòng),閃存芯片巨頭們普遍迎來(lái)了一個(gè)靚麗的財(cái)季。   近期陸續(xù)出爐的最新一季財(cái)報(bào)顯示,在iPhone以及iPad的拉動(dòng)下,閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升,英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷售
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          三星電子第二季度凈利潤(rùn)36億美元 同比增83%

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,受芯片業(yè)務(wù)大幅增長(zhǎng)的推動(dòng),公司第二季度凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%。   在截至6月30日的第二季度,三星電子凈利潤(rùn)為4.28萬(wàn)億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績(jī)好于上年同期,2009年第二季度,三星電子的凈利潤(rùn)為2.33萬(wàn)億韓元。三星電子第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為5萬(wàn)億韓元(約合41億美元),創(chuàng)公司季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)歷史新高,同比增長(zhǎng)87.5%。三星電子第二季度營(yíng)收為37.9萬(wàn)億韓元,較去年同期增長(zhǎng)17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示,公司第
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  閃存芯片  

          NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

          •   據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。   iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō),當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。   今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。   廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

          •   據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。   iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō),當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。   廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          inSpectrum:內(nèi)存/閃存芯片現(xiàn)貨價(jià)格本周出現(xiàn)下降

          •   據(jù)inSpectrum市調(diào)機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示,由于本周內(nèi)存/閃存芯片的現(xiàn)貨市場(chǎng)需求量有所下滑,因此各大存儲(chǔ)芯片廠商均對(duì)這些產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格進(jìn)行了調(diào)整。 其中1Gb密度DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格下調(diào)了5-6%,均價(jià)于4月30日下午達(dá)到2.62美元價(jià)位;而1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價(jià)格則下跌了3%,均價(jià)2.85美元。   近期內(nèi)存芯片的市場(chǎng)需求表現(xiàn)較為弱勢(shì),加上又沒(méi)有其它可以驅(qū)動(dòng)芯片價(jià)格上漲的因素存在,而早先人們預(yù)計(jì)五一節(jié)假日期間大陸市場(chǎng)可能會(huì)發(fā)生的內(nèi)存/閃存芯片價(jià)格回彈現(xiàn)象也由于實(shí)際的購(gòu)買量并沒(méi)有實(shí)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  閃存芯片  DDR2  

          東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開(kāi)工建造

          •   東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠,這間芯片廠將于今年七月份開(kāi)始動(dòng)工。目前,東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī),而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當(dāng)萎靡,但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷,閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開(kāi)始回暖,而且未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長(zhǎng)趨勢(shì),因此東芝最終作出了開(kāi)工建造Fab5芯片廠的決定。   按照東芝的計(jì)劃,其Fab5工廠將于明年春季完工,而后期的投資力度和
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  閃存芯片  
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          閃存芯片介紹

          閃存芯片 目錄 閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn)擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素1.頁(yè)數(shù)量 2.頁(yè)容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝 閃存芯片簡(jiǎn)介 閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素 1.頁(yè)數(shù)量 2.頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]

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