閃存芯片文章進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區(qū)

美政府承諾就半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策向日本和中國(guó)施壓

　　據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問(wèn)題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。　　美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛(ài)達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問(wèn)題提供更多信息。愛(ài)達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問(wèn)題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
關(guān)鍵字：美光 DRAM 閃存芯片

美國(guó)承諾介入海外芯片廠商補(bǔ)貼問(wèn)題

　　據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問(wèn)題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。　　美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛(ài)達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問(wèn)題提供更多信息。愛(ài)達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問(wèn)題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。　　東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。　　另一方面，對(duì)手In
關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND 閃存芯片

飛索半導(dǎo)體3100萬(wàn)美元出售蘇州工廠

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，申請(qǐng)破產(chǎn)的閃存芯片制造商飛索半導(dǎo)體周一表示，作為公司重組計(jì)劃的一部分，公司已經(jīng)同意作價(jià)約3100萬(wàn)美元現(xiàn)金將旗下中國(guó)蘇州工廠出售給臺(tái)灣力成科技。　　飛索半導(dǎo)體周一發(fā)表聲明稱(chēng)，蘇州工廠約有565名工人，是公司4家工廠之一。　　飛索半導(dǎo)體今年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。該公司表示，出售蘇州工廠意在降低固定成本，轉(zhuǎn)向更為靈活外包的制造模式。　　這一出售交易還有待美國(guó)破產(chǎn)法庭批準(zhǔn)。飛索半導(dǎo)體表示，計(jì)劃今年第四季度走出破產(chǎn)保護(hù)。
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美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？

　　根據(jù)國(guó)外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。　　這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。　　Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對(duì)英特爾和意法半導(dǎo)
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三星東芝稱(chēng)美司法部閃存反壟斷調(diào)查已結(jié)束

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的兩家閃存芯片制造商，三星電子與東芝公司今日表示，美國(guó)司法部針對(duì)兩家公司展開(kāi)的反壟斷調(diào)查已經(jīng)結(jié)束。此次反壟斷調(diào)查歷時(shí)2年。　　三星電子的一位女發(fā)言人今日宣布，美國(guó)司法部已通知三星電子，對(duì)公司的相關(guān)調(diào)查已告結(jié)束。東芝美國(guó)分公司則在7月28日收到了有關(guān)通知。但美國(guó)司法部女發(fā)言人塔拉莫娜拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論。　　美國(guó)司法部對(duì)閃存芯片制造商的反壟斷調(diào)查始于2007年9月，調(diào)查源于司法部懷疑半導(dǎo)體行業(yè)存在限定價(jià)格的可能。另一項(xiàng)獨(dú)立的調(diào)查則在4家電腦內(nèi)存芯片公司中展開(kāi)，這其中也包括三星
關(guān)鍵字：三星閃存芯片內(nèi)存芯片

三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲(chǔ)密度。　　申訴材料指出，包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

蘋(píng)果預(yù)付5億美元與東芝簽閃存長(zhǎng)期供貨協(xié)議

　　蘋(píng)果高管近日在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上表示，該公司已與東芝達(dá)成閃存芯片長(zhǎng)期供貨協(xié)議，并向后者預(yù)付5億美元貨款。　　這一交易對(duì)于東芝而言可謂“及時(shí)雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價(jià)格滑坡和來(lái)自三星電子的激烈競(jìng)爭(zhēng)等問(wèn)題。　　消息人士表示，5億美元相當(dāng)于蘋(píng)果一個(gè)季度NAND閃存芯片需求量的價(jià)值。
關(guān)鍵字：蘋(píng)果閃存芯片 NAND

傳英特爾推320GB固態(tài)硬盤(pán) 采用34納米閃存芯片

　　有傳言稱(chēng)英特爾將于兩周后推新款固態(tài)硬盤(pán)。　　據(jù)消息人士稱(chēng)，新款固態(tài)硬盤(pán)將使用由英特爾和美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)的34納米NAND閃存芯片，容量高達(dá)320GB。工藝越先進(jìn)，固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)密度越高，成本越低。固態(tài)硬盤(pán)將能夠取代大多數(shù)筆記本電腦中的傳統(tǒng)硬盤(pán)。
關(guān)鍵字： Intel 34納米閃存芯片固態(tài)硬盤(pán)

東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)

　　東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應(yīng)用于記憶卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。　　隨著越來(lái)越多的移動(dòng)設(shè)備在聲音和影像方面的逐步數(shù)字化，高容量、更小巧的內(nèi)存產(chǎn)品在市場(chǎng)上的需求也越來(lái)越強(qiáng)勁。　　新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內(nèi)制造。東芝公司將比原計(jì)劃提前2個(gè)月，從2009年7月起，大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會(huì)從2009財(cái)年第三季度(2009年10月到12月)開(kāi)
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美光科技關(guān)廠、裁員、降薪

　　北京時(shí)間10月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會(huì)關(guān)閉位于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠，另外，作為電腦存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。　　美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬(wàn)人，此次裁員涉及總?cè)藬?shù)為2850人，其中1500人來(lái)自博伊西。　　本周四，美光科技表示，消費(fèi)者需求下降和產(chǎn)品過(guò)渡供應(yīng)導(dǎo)致閃存芯片的售價(jià)低于成本，因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠，并于未來(lái)
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臺(tái)灣工研院建固態(tài)硬盤(pán)認(rèn)證平臺(tái)

　　固態(tài)硬盤(pán)(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國(guó)際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢(shì)走在前列，臺(tái)系陣營(yíng)為了急起直追，由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報(bào)機(jī)構(gòu)工研院、測(cè)試廠百佳泰和臺(tái)廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測(cè)試認(rèn)證平臺(tái)，希望藉此機(jī)會(huì)把SSD硬件測(cè)試平臺(tái)建立起來(lái)，為臺(tái)灣廠商臺(tái)廠搶占固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)先機(jī)。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND 閃存芯片 SSD

08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量

　　MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統(tǒng)旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài)，達(dá)到單季6,300萬(wàn)臺(tái)以上的銷(xiāo)售紀(jì)錄后，1Q08在淡季因素的效應(yīng)影響下，出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺(tái)。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達(dá)73%，全球市場(chǎng)其它的一線品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看，最引人關(guān)注的是高階機(jī)種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片工藝最先進(jìn)容量翻番

　　【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開(kāi)發(fā)的將催生大容量廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱(chēng)，這款閃存芯片是當(dāng)前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片，將為在小型設(shè)備上提供廉價(jià)、大容量的固態(tài)硬盤(pán)奠定基礎(chǔ)。　　兩家公司計(jì)劃6月份交付樣品芯片，批量生產(chǎn)會(huì)在今年下半年開(kāi)始。　　據(jù)英特爾講，基于其新NAND閃存設(shè)計(jì)的一個(gè)32Gb芯片可以存儲(chǔ)2000張高
關(guān)鍵字：英特爾美光科技 NAND 閃存芯片

大容量閃存芯片與DSP接口設(shè)計(jì)

K9K2G08U0M是三星公司的大容量閃存芯片,它的單片容量高達(dá)256MB。文中介紹了K9K2G08U0M的特性和使用方法，重點(diǎn)說(shuō)明了與TI的TMS320F2812的硬件接口和軟件編程。
關(guān)鍵字： DSP 大容量閃存芯片接口設(shè)計(jì)

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閃存芯片介紹

閃存芯片目錄閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn)擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素1．頁(yè)數(shù)量 2．頁(yè)容量 3．塊容量 4．I/O位寬 5．頻率 6．制造工藝閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素 1．頁(yè)數(shù)量 2．頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]

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