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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存芯片

          SanDisk將為昔日冤家供應(yīng)閃存芯片產(chǎn)品

          •   據(jù)閃存業(yè)者透露,包括威剛,創(chuàng)見,勁永,以及閃存控制器制造商群聯(lián)在內(nèi)的多家臺系閃存產(chǎn)品供應(yīng)商已經(jīng)開始從閃存芯片廠商SanDisk那里以成片晶圓的形式訂貨。消息來源并指出SanDisk與其合作伙伴東芝已經(jīng)開始打入臺系閃存產(chǎn)品市場,開始為以上這些臺系閃存廠商供貨。自從2008年9月份開 始,SanDisk要進入臺灣閃存芯片市場的消息便開始流傳,不過直到今天這個傳言才變成現(xiàn)實。   SanDisk此前與部分臺系閃存廠商之間曾因NAND閃存專利官司鬧得不可開交,前者甚至還在美國起訴這些閃存廠商,不過現(xiàn)在San
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          SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

          •   最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競爭激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段,今年一月份,Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯 片,其對手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙,宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。        據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示,SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設(shè)計和三位元存儲單元設(shè)計。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
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          傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

          •   消息人士周三透露,東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。   報道稱,東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠,但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響,東芝隨后取消了該建廠計劃。   市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱,全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場,其NAND閃存
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          Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

          •   南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后,他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品.   按閃存芯片市占率計算,Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位,僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示,三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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          分析師:美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計劃

          •   據(jù)Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預(yù)計,美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計劃。該公司早些時候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠,不過后來公司宣布由于業(yè)務(wù)方面的 原因暫緩執(zhí)行這項計劃。目前IM Flash公司旗下僅在猶他州擁有一間300mm芯片廠。   Daniel Amir表示:“我們認(rèn)為美光公司將繼續(xù)努力增加其在閃存市場的份額,他們目前已經(jīng)開始為新加坡300mm芯片廠訂購生產(chǎn)設(shè)備.不過由于Intel目
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          英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進展

          •   英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。   兩家公司有一個生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè),這種芯片應(yīng)用于手機,音樂播放器和其他驅(qū)動器上。   2009年,兩家公司表示,它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù),在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。   這樣,兩家公司就能以更高的存儲性能,更低的成本生產(chǎn)芯片。
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          12英寸集成電路生產(chǎn)線今年底試投產(chǎn)

          •   1月19日,“909工程升級改造———12英寸集成電路生產(chǎn)線項目”啟動儀式在上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司舉行。中共中央政治局委員、上海市委書記俞正聲與全國政協(xié)原副主席胡啟立共同啟動了項目啟動裝置,上海市委副書記、市長韓正與國家發(fā)展和改革委員會副主任張曉強、工業(yè)和信息化部副部長婁勤儉、科技部副部長曹健林共同為上海華力微電子有限公司揭牌。   中國科學(xué)院副院長江綿恒,上海市委常委、常務(wù)副市長楊雄出席項目啟動儀式,并分別代表中國科學(xué)院和上海市委、市
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          韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為

          •   韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。   該機構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中,兩家位于韓國,其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備,包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機和手機。   根據(jù)三星電子和東芝的說法,今年8月,美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。   市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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          傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

          •   據(jù)業(yè)者透露,韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品,不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露,這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售,不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。   據(jù)閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級發(fā)展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個月的時間對這種新產(chǎn)品進行充分的測試。
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          傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

          •   據(jù)國外媒體報道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴大40%。   報道稱,東芝當(dāng)前還計劃在2012年3月之前,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁,東芝表現(xiàn)最為搶眼,營收環(huán)比增長近50%。   iSuppli的報告稱,全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達(dá)39.4億美元。
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          旺宏電子與茂德科技洽談收購芯片廠事宜

          •   臺灣閃存芯片生產(chǎn)商旺宏電子新聞發(fā)言人林云龍今日表示,公司正考慮收購茂德科技旗下一座12英寸芯片生產(chǎn)工廠,他稱“希望在農(nóng)歷新年前完成這樣一筆收購交易”,但拒絕透露其中細(xì)節(jié)。   有臺灣媒體報道稱,旺宏電子此舉為滿足市場對閃存芯片的強勁需求,同時旺宏電子將斥資50億元新臺幣收購該工廠,預(yù)計在明年第一季度完成交易。   目前,茂德科技方面尚未就此事發(fā)表評論。
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          SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂

          •   美國內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財報,意外由虧損轉(zhuǎn)為強勁獲利,主要由于銷售額優(yōu)于預(yù)期,以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉(zhuǎn)趨勢。   據(jù)國外媒體報道,SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分,改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后,每股獲利則為76美分,優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。   該季營收增長14%至9.352億美元,遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元,以及分析師預(yù)期的7.87
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          鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

          •   鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進入試樣階段,MLC部分的存儲密度可達(dá)32Gb,寫入壽命達(dá)3萬次,是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb,寫入壽命同樣為3萬次,是普通SLC產(chǎn)品的3倍.   鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface),數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S,而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。   鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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          晟碟推出新技術(shù)閃存芯片 容量高達(dá)64GB

          •   晟碟(SanDisk)今日推出了新的先進閃存芯片生產(chǎn)技術(shù),旨在進一步幫助芯片生產(chǎn)商提高利潤。   晟碟表示,已經(jīng)開始向零售商供應(yīng)采用這項名為X4的新技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲卡,這種存儲卡包含容量為64G的閃存芯片,較當(dāng)前市場上流通的芯片存儲能力高出一倍。   晟碟稱,X4技術(shù)將有助于降低閃存芯片的生產(chǎn)成本,從而提高該公司及其生產(chǎn)伙伴東芝的利潤率。   晟碟總裁兼首席營運長Sanjay Mehrotra表示,該公司將采用了X4技術(shù)的芯片植入現(xiàn)有存儲卡內(nèi),但并未在產(chǎn)品標(biāo)簽上作出區(qū)分,定價也沒有變化,從而實現(xiàn)了
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  閃存芯片  X4  

          爾必達(dá)擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

          •   日本最大閃存芯片制造商爾必達(dá)表示,可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量,達(dá)到公司芯片總產(chǎn)量的一半。   爾必達(dá)發(fā)言人表示,公司計劃今年開始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說,為了反映市場狀況,爾必達(dá)決定加快投資步伐。   爾必達(dá)、三星電子、海力士半導(dǎo)體等芯片制造商正在降低芯片尺寸,以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量,以此降低成本,應(yīng)對產(chǎn)品價格不斷下滑的局面。爾必達(dá)說,從當(dāng)前的50納米技術(shù)轉(zhuǎn)向較小的芯片尺寸,公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。   亞洲最大半導(dǎo)體現(xiàn)貨市場
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          閃存芯片介紹

          閃存芯片 目錄 閃存芯片簡介閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素1.頁數(shù)量 2.頁容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝 閃存芯片簡介 閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點 擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素 1.頁數(shù)量 2.頁 [ 查看詳細(xì) ]

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