采用第二代 Versal AI Edge 系列的自動駕駛域控制器
- 第二代 AMD Versal AI Edge 系列自適應(yīng) SoC 的異構(gòu)架構(gòu)允許使用單芯片解決方案處理自動駕駛系統(tǒng)的所有階段 ——?檢測、感知、規(guī)劃和執(zhí)行。傳感器輸入（例如視覺、雷達(dá)/激光雷達(dá)等）通過可編程 I/O 模塊采集，并直接饋送到可編程邏輯（ PL ）進(jìn)行低時延傳感器專用處理。第二代 Versal AI Edge 系列器件包括用于 ISP 等功能的硬化加速器和用于扭曲和圖形渲染的支持 ASIL 的 GPU?？删幊踢壿嬏峁┝嗽?AI 引擎的感知/推理處理之前實現(xiàn)創(chuàng)新傳感器融合算法的最靈活方
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第二代 AMD Versal Premium 系列：更快速數(shù)據(jù)流程，解鎖洞察
- 第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲器和數(shù)據(jù)帶寬，具備 CXL? 3.1、PCIe? Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能，可滿足當(dāng)今和未來數(shù)據(jù)中心、通信、測試和與測量數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的需求。第二代 AMD Versal Premium 系列能夠加快數(shù)據(jù)流程并減少存儲器瓶頸，令數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用可以得到加速、洞察得以解鎖。作為一款異構(gòu)計算平臺，第二代 Versal Premium 系列旨在通過提供高計算密度、自定義存儲器層次結(jié)構(gòu)和 DSP 引擎資源，幫助用戶實現(xiàn)各種
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全何推出世界首款可超頻 256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存條，支持 6000MT/s
- 1 月 13 日消息，臺灣地區(qū)存儲模組品牌全何 V-Color 本月 9 日宣布面向高性能工作站 / HEDT 平臺推出系列大容量超頻 DDR5 RDIMM（注：即俗稱的 RECC）內(nèi)存條，在業(yè)界率先將超頻 RDIMM 的單條容量擴展到 256GB。由于 RDIMM 設(shè)計和大容量的雙重限制，全何的此批產(chǎn)品在絕對參數(shù)方面遠(yuǎn)不如常見的 UDIMM 超頻內(nèi)存條（傳輸速率至高可達(dá) 6000MT/s，時序低至 CL38），但仍能在內(nèi)存密集型工作負(fù)載中展現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存的效能。全何表示其大容量超頻 RD
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智能守護(hù)，安全無憂：恩智浦MCX N系列NPU電弧檢測技術(shù)解析
- 隨著全球光伏儲能市場的不斷發(fā)展，光伏及儲能逆變器和也在不斷進(jìn)行技術(shù)升級和創(chuàng)新。作為ESS技術(shù)發(fā)展的重要趨勢，光伏系統(tǒng)發(fā)電的安全性可靠性也越來越得到重視，直流系統(tǒng)的故障檢測具有很高的應(yīng)用價值，對光伏或者儲能系統(tǒng)的早期故障能夠有效檢測，大大減少火災(zāi)發(fā)生的機率。恩智浦MCX N系列NPU的電弧檢測技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種需要電弧檢測的場合，如：電力系統(tǒng)：用于監(jiān)測和檢測電力系統(tǒng)中的電弧故障，及時采取措施防止故障擴大。工業(yè)控制：在工業(yè)自動化和機器人控制系統(tǒng)中，用于檢測潛在的電弧風(fēng)險，確保生產(chǎn)安全。智能家居：在智能家居系統(tǒng)
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基于RW612的Matter ZigBee Bridge和OTBR實現(xiàn)
- 背景旨在推動智能家居設(shè)備間更便捷更安全互連互控的Matter標(biāo)準(zhǔn)使得基于IPv6協(xié)議的各類產(chǎn)品，如WiFi、OpenThread等得以很好的融合。但如何兼容海量存量智能家居市場，尤其是如何將那些不支持IPv6協(xié)議的諸如ZigBee，Z-Wave等非Matter設(shè)備接入統(tǒng)一的Matter環(huán)境就成為十分緊迫且重要的議題。就技術(shù)角度而言，只有借助橋接Bridge機制才能實現(xiàn)Matter和Non-Matter協(xié)議之間的轉(zhuǎn)換，從而將ZigBee，Z-Wave等非Matter設(shè)備接入Matter網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)互連互控。出
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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護(hù)電路來解決，比如圖
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差模噪聲與共模噪聲的區(qū)別是什么
- 開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時間和成本。本文介紹一種將CM輻射和DM輻射從LTC7818控制的開關(guān)穩(wěn)壓器中分離出來的實用方法。知道CM噪聲和DM噪聲在CE頻譜中出現(xiàn)的位置，電源設(shè)計人員便可有效應(yīng)用EMI抑制技術(shù)，這從長遠(yuǎn)來看可以節(jié)省設(shè)計時間和BOM成本。圖1.降壓轉(zhuǎn)換器中的C
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電阻為什么都是4.7kΩ、5.1kΩ，而不是整數(shù)5kΩ？
- 很多剛開始接觸電路設(shè)計的小伙伴，可能會對電阻值覺得非常困惑，為什么通用的標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值不是整數(shù)？例如通常是4.7kΩ、5.1kΩ，而不是5kΩ。因為電阻是使用指數(shù)分布來設(shè)計生產(chǎn)的，即遵循國際電工委員會(IEC)定義的標(biāo)準(zhǔn)電阻值系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)電阻值系統(tǒng)包含了多種系列的電阻值，包括E3、E6、E12、E24、E48、E96、E192系列。比如：E6系列電阻的公比 10^(1/6)≈1.5E12系列電阻的公比 10^(1/12)≈1.21下圖為詳細(xì)的標(biāo)準(zhǔn)阻值表：但問題來了，標(biāo)準(zhǔn)電阻生產(chǎn)為什么按照指數(shù)分布呢？電阻阻值分
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關(guān)于晶振的一些問題，新手的十萬個為什么
- 1. 單片機晶振不起振原因分析遇到單片機晶振不起振是常見現(xiàn)象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？(1) PCB板布線錯誤；(2) 單片機質(zhì)量有問題；(3) 晶振質(zhì)量有問題；(4) 負(fù)載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問題；(5) PCB板受潮，導(dǎo)致阻抗失配而不能起振；(6) 晶振電路的走線過長；(7) 晶振兩腳之間有走線；(8) 外圍電路的影響。解決方案，建議按如下方法逐個排除故障：(1) 排除電路錯誤的可能性，因此你可以用相應(yīng)型號單片機的推薦電路進(jìn)行比較。(2) 排除外圍元件不良的可能性，因為外
- 關(guān)鍵字： 晶振 無源器件
這幾個基礎(chǔ)模塊電路，你都能看懂嗎？
- 文章開始前，先來考考大家~下面的五副電路圖，你能看懂幾個？TDA2030電路圖34063電路圖555電路TDA2030電路圖三極管分立元件電路以上這些電路圖，如果能夠看懂，那就已經(jīng)入門電子設(shè)計了。如果還沒看懂，接下來，開始學(xué)習(xí)這些基礎(chǔ)模塊電路。01.電源電路直流穩(wěn)壓電源是電子設(shè)備的能源電路，關(guān)系到整個電路設(shè)計的穩(wěn)定性和可靠性，是電路設(shè)計中非常關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié)。本節(jié)重點介紹三端固定式（正、負(fù)壓）集成穩(wěn)壓器、三端可調(diào)式（正、負(fù)壓）集成穩(wěn)壓器以及 DC-DC 電路等組成的典型電路設(shè)計，相關(guān)視頻推薦:老外教你DC-
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 電路設(shè)計
2025年手機芯片，可能不會采用2nm技術(shù)
- 從 5nm 到 3nm 工藝的過渡已經(jīng)超出了通常兩年的升級周期。
- 關(guān)鍵字： 手機SoC
全球三級出口限制，美國 AI 芯片最后一擊
- 2025 年 1 月 20 日，美國總統(tǒng)拜登將正式離任。但在交接之際，拜登放出對于 AI 芯片的最后一搏：收緊英偉達(dá)、AMD 公司的 AI 芯片出口，限制升級。知情人士透露，美國希望從國家和企業(yè)兩個層面限制數(shù)據(jù)中心使用的 AI 芯片的銷售，目的是將人工智能開發(fā)集中在「友好國家和地區(qū)」。也就是說，芯片限制會擴大到全球大部分地區(qū)。美國的想法是在 AI 芯片需求飆升的情況下，讓全球企業(yè)和美國標(biāo)準(zhǔn)保持一致。這一次限制，美國準(zhǔn)備朝著 AI 芯片「下死手」。美國準(zhǔn)備建立三級芯片限制具體來看，美國將全球不同地
- 關(guān)鍵字： 三級芯片限制
馬來西亞可以生產(chǎn)GPU嗎？
- 馬來西亞對半導(dǎo)體野心勃勃。
- 關(guān)鍵字： GPU
L3自動駕駛開始落地，中國車企全面布局智駕芯片
- 在過去十年間，汽車行業(yè)見證了電動化轉(zhuǎn)型的風(fēng)馳電掣，而當(dāng)下，智能化轉(zhuǎn)型的鼓點愈發(fā)急促。隨著人工智能、5G 通信和高性能計算技術(shù)的飛速發(fā)展，自動駕駛技術(shù)正從科幻走向現(xiàn)實，成為全球汽車產(chǎn)業(yè)變革的核心驅(qū)動力之一。全球范圍內(nèi)，各國政府紛紛出臺政策，鼓勵自動駕駛技術(shù)的研發(fā)與測試，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展亮起綠燈；海量資本如潮水般涌入，催生出無數(shù)專注于自動駕駛技術(shù)的初創(chuàng)企業(yè)與創(chuàng)新項目；消費者對出行體驗的期待值也不斷攀升，渴望雙手雙腳從駕駛中解放，盡享輕松愜意的通勤與旅途。過去的一年無疑是智能駕駛行業(yè)的「里程碑」之年。武漢街頭的「蘿卜
- 關(guān)鍵字： 自動駕駛
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