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1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
紅「芯」勢(shì)力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)
- 半導(dǎo)體無(wú)所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國(guó)最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國(guó)經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國(guó)大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM SDI
MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)
- 全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開(kāi)。 其
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫(kù)存尚未去化完成影響，跌勢(shì)恐將持續(xù)至下半年
- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫(kù)存過(guò)高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫(kù)存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢(shì)恐將持續(xù)至第三季?！ 「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫(kù)存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank)，而買方的庫(kù)存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過(guò)七周。 進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 集邦咨詢 DRAM
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷
- 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！ ?bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
手機(jī)存儲(chǔ)芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國(guó)廠商陰謀論成真？
- 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲(chǔ)芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過(guò)預(yù)期，創(chuàng)8年以來(lái)最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房?jī)r(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來(lái)8年來(lái)最大跌幅，國(guó)際巨頭對(duì)中國(guó)廠商“圍剿”的爭(zhēng)議也再次出現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM
DRAM價(jià)格暴跌 韓國(guó)前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下，這樣的走勢(shì)比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂(lè)觀?！ ≡陧n國(guó)電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下，與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%。 B2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢(shì)，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了
- 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來(lái)DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對(duì)于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息，其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！ 〈鎯?chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來(lái)，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?！ ∽鳛?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來(lái)最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過(guò)于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見(jiàn)出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來(lái)單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場(chǎng)面來(lái)觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開(kāi)始下跌，隨后庫(kù)存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫(kù)存(含wafer bank)普遍來(lái)到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
- 關(guān)鍵字： DRAM
中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量？韓媒：不太容易
- 據(jù)businesskorea報(bào)道，中國(guó)計(jì)劃在未來(lái)六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢S多專家表示，美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國(guó)的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴?！ №n國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！ ∈紫龋袊?guó)沒(méi)有提及將購(gòu)買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無(wú)論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天
- 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 接受采訪時(shí)，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來(lái)?！ im Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合?！ ≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開(kāi)發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR6
莫大康：影響2019中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的三個(gè)關(guān)鍵因素
- 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個(gè)方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢(shì);中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長(zhǎng)的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來(lái)初探2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器
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