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300mm線建設(shè)今年掀高潮
- 2005年3月A版 盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢(shì)比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長(zhǎng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì) 2004年12月13～15日于美國(guó)舊金山舉行）國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎(chǔ)。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中，英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
上半年全球DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)66% 中國(guó)成決定因素
- iSuppli最新發(fā)布的報(bào)告指出，今年上半年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模比去年同期增長(zhǎng)66%，中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國(guó))的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善，其DRAM銷售增 長(zhǎng)70%。美國(guó)僅僅增長(zhǎng)48%，遠(yuǎn)不及全球的66%。 在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺(tái)灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長(zhǎng)；而三星、美光與英飛凌的市場(chǎng)份額則在下降。中國(guó)是全球增長(zhǎng)最迅速的DRAM市場(chǎng)，Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，市場(chǎng)占有率高達(dá)42%，去年同期為40%。
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
美商凱創(chuàng)獲獎(jiǎng)入侵偵測(cè)系統(tǒng)Dragon新版問(wèn)世
- 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品Dragon入侵偵測(cè)系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
- 關(guān)鍵字： IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
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