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1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
三星DRAM擴(kuò)產(chǎn)大減速 下單及裝機(jī)時(shí)程均明顯延后
- 全球最大內(nèi)存廠韓國(guó)三星電子傳出DRAM擴(kuò)產(chǎn)大減速消息。原本將在今年中量產(chǎn)的Line 17，全產(chǎn)能量產(chǎn)時(shí)間將延至年底，且外資圈傳出，三星有將近2萬(wàn)片月產(chǎn)能的DRAM設(shè)備采購(gòu)，下單及裝機(jī)時(shí)程均出現(xiàn)明顯延后(postpone)情況。 美光股價(jià)上周五受此消息激勵(lì)而大漲2.25%，法人認(rèn)為，三星今年擴(kuò)增DRAM產(chǎn)能只為了彌補(bǔ)20奈米微縮導(dǎo)致的產(chǎn)能自然減損，總產(chǎn)能不會(huì)增加，對(duì)南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠來(lái)說(shuō)亦是重大利多。 業(yè)界去年9月時(shí)曾傳出，三星Line 17今年將全力擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，預(yù)計(jì)第
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
SK海力士沖刺先進(jìn)制程，20nm級(jí)DRAM最快七月量產(chǎn)
- SK 海力士 20日舉行股東會(huì)，社長(zhǎng)樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級(jí)DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競(jìng)爭(zhēng)者。 海力士目前最先進(jìn)的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領(lǐng)域，且預(yù)估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會(huì)以20奈米制程打造。 據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報(bào)導(dǎo)，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進(jìn)的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤(rùn)空間。隨著8GB DDR4記憶體時(shí)代來(lái)臨，
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
存儲(chǔ)器失去半導(dǎo)體領(lǐng)頭地位 邏輯IC制程起而代之
- 過(guò)去存儲(chǔ)器一向扮演半導(dǎo)體制程的領(lǐng)頭羊地位，不僅DRAM廠率先投入最尖端制程，連臺(tái)積電、聯(lián)電最先進(jìn)制程也先用存儲(chǔ)器來(lái)練兵。不過(guò)，近年來(lái)整個(gè)半導(dǎo)體出現(xiàn)改變，邏輯產(chǎn)品制程全面超越存儲(chǔ)器，晶圓代工廠也直接導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品，存儲(chǔ)器退下晶圓廠制程領(lǐng)頭羊地位。 以往臺(tái)積電、聯(lián)電最先進(jìn)制程均用存儲(chǔ)器來(lái)練兵，將良率提升到一定程度，再投入邏輯產(chǎn)品。臺(tái)積電一向用SRAM(Static RandomAccess Memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)練兵，聯(lián)電則用DRAM(Dynamic RandomAccess Memory
- 關(guān)鍵字： DRAM ARM
SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過(guò)員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過(guò)強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
DRAM回溫 華亞科南亞科樂(lè)
- 首季DRAM市場(chǎng)呈現(xiàn)淡季氣氛，價(jià)格有所修正，法人估計(jì)，第2季跌價(jià)幅度將減少。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦指出，三星最新旗艦機(jī)S6出貨量提升，帶動(dòng)相關(guān)需求，可減緩淡季DRAM跌價(jià)幅度。外界認(rèn)為，整體市況將回溫，對(duì)華亞科(3474)、南亞科等將有正面助益。 華亞科董事長(zhǎng)高啟全認(rèn)為，首季PC市況不佳，連帶影響PC DRAM價(jià)格下滑，但并沒(méi)有像以往大跌，預(yù)期整體DRAM市況會(huì)從第2季起逐漸回溫。 集邦分析師吳雅婷表示，三星新機(jī)S6與S6 Edge第2季出貨將優(yōu)于預(yù)期，且采用最新的行動(dòng)式記憶體LPDDR4。另外，包
- 關(guān)鍵字： DRAM LPDDR4
全球DRAM廠引爆20納米戰(zhàn)火 砸大錢(qián)擴(kuò)產(chǎn)
- 全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)紛搶進(jìn)20納米制程世代，南亞科在美光協(xié)助下亦全力轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，并計(jì)劃投資新臺(tái)幣400億元。半導(dǎo)體業(yè)者指出，DRAM制程轉(zhuǎn)進(jìn)20納米世代過(guò)程中，產(chǎn)能減損情況愈益嚴(yán)重，估計(jì)減損產(chǎn)能約2~3成，由于先進(jìn)制程需要機(jī)臺(tái)設(shè)備大增，同樣無(wú)塵室空間能生產(chǎn)數(shù)量減少，使得DRAM廠為轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程紛進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，但產(chǎn)出卻出現(xiàn)停滯現(xiàn)象。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，業(yè)界原本預(yù)期20納米制程恐將是DRAM產(chǎn)業(yè)最
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
中國(guó)政府積極建立完整DRAM供應(yīng)鏈
- 中國(guó)武岳峰資本日前宣布以6.4億美元并購(gòu)在美國(guó)上市的芯成半導(dǎo)體。TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，此并購(gòu)案雖為中國(guó)武岳峰資本主導(dǎo)，但尚包含eTown MemTek、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè)，同時(shí)也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導(dǎo)基金有合作。 其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產(chǎn)業(yè)基金，因而此次收購(gòu)意味著上海與北京二大基金的合作，加上去年近期中國(guó)官方正式宣布了金額高達(dá)1,200億人民幣的半導(dǎo)體政策，中國(guó)政府已在整合技術(shù)能量，往完整的DRAM之路積極邁進(jìn)。 綜觀中國(guó)電
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
2014年大陸DRAM消化102億美金全球份額20％
- ? 中國(guó)工信部主導(dǎo)的投資基金持續(xù)展開(kāi)收購(gòu)，此次收購(gòu)利基型DRAM及SRAM廠矽成，被視為是為了打造更完整的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)作準(zhǔn)備。 ? 2014年各DRAM產(chǎn)品在陸市占 大陸工信部領(lǐng)銜成立的國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金，持續(xù)在全球展開(kāi)收購(gòu)，繼日前決定出手收購(gòu)CMOS影像感測(cè)器大廠豪威(OmniVision)之后，由中國(guó)武岳峰資本主導(dǎo)的基金，也宣布將以每股19.25美元價(jià)格，收購(gòu)美國(guó)記憶體設(shè)計(jì)廠矽成(ISSI)。 業(yè)界認(rèn)為，大陸打造自己的半導(dǎo)體生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： DRAM SRAM
大陸發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè) 武岳峰收購(gòu)芯成半導(dǎo)體
- 大陸武岳峰資本宣布以6.4億美元并購(gòu)在美國(guó)上市的芯成半導(dǎo)體。此次收購(gòu)意味著上海與北京兩大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金的合作，加上去年大陸官方正式宣布金額高達(dá)1200億人民幣的半導(dǎo)體政策，大陸政府已在整合技術(shù)能量，往完整的DRAM之路積極邁進(jìn)。 TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，此并購(gòu)案雖為武岳峰資本主導(dǎo)，但尚包含eTown MemTek Ltd.、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè)，同時(shí)也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導(dǎo)基金有合作，其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產(chǎn)業(yè)基金。 受此利多激勵(lì)，
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
2015移動(dòng)DRAM消耗5.3億顆逼近蘋(píng)果三星之和
- 中國(guó)智慧型手機(jī)生產(chǎn)量增加、出貨量站上全球第一，連帶對(duì)關(guān)鍵零組件的消耗量也大增，中國(guó)在 2014 年首度擠下南韓成為 Mobile DRAM 最大采購(gòu)市場(chǎng)，據(jù)臺(tái)媒報(bào)導(dǎo)，2015 年中國(guó)手機(jī)制造廠 Mobile DRAM 消耗量將持續(xù)成長(zhǎng)，上看 5.3 億顆。 ? 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 資料顯示，2015 年各企業(yè) Mobile DRAM 消耗量排行榜中，第一名為三星 3.42 億顆，第二名為蘋(píng)果 2.2 億顆，第三、四、五名皆為中國(guó)廠商，分別為聯(lián)想 9,500
- 關(guān)鍵字： DRAM 蘋(píng)果 三星
三星搶蘋(píng)果單？分析師：DRAM還很缺，美光沒(méi)在怕
- 三星近來(lái)重新調(diào)整戰(zhàn)略，在半導(dǎo)體業(yè)到處搶單，記憶體、處理器均不放過(guò)。韓媒消息傳出，隨著三星與蘋(píng)果的關(guān)系解凍，三星已確定拿到蘋(píng)果一半DRAM的訂單，致使美光股價(jià)24日盤(pán)中一度重挫逾8%。 Barrons.com報(bào)導(dǎo)，多名分析師即時(shí)跳出來(lái)替美光股價(jià)作辯護(hù)，其中Summit Research Partners分析師Srini Sundararajan表示，韓媒報(bào)導(dǎo)的故事只說(shuō)了一半，另外一半的事實(shí)是，DRAM供貨仍然短缺，蘋(píng)果極可能是為確保供貨無(wú)虞才回頭找三星。 行動(dòng)裝置使用的記憶體逐漸加大，如傳言
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
傳蘋(píng)果新手機(jī)半數(shù)芯片訂單給三星 美光大跌
- 2月25日，美光科技股價(jià)周二大幅下跌，原因是據(jù)一份韓國(guó)報(bào)紙報(bào)道稱，三星電子已經(jīng)與蘋(píng)果公司達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，將向后者提供大約一半的先進(jìn)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片。 據(jù)《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱：“兩名熟知內(nèi)情的消息人士周一透露，三星電子已經(jīng)與LG電子和蘋(píng)果達(dá)成協(xié)議，將為其新的智能手機(jī)系列產(chǎn)品提供先進(jìn)的DRAM芯片。” 報(bào)道還稱：“預(yù)計(jì)這項(xiàng)交易的金額將達(dá)數(shù)十億美元，這可能意味著最近以來(lái)三星電子與蘋(píng)果之間的冰凍關(guān)系將開(kāi)始解凍。一名熟知雙方交易的業(yè)內(nèi)官員向《韓國(guó)時(shí)
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 美光 DRAM
2014年移動(dòng)存儲(chǔ)器占DRAM總出貨近四成
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMexchange 最新報(bào)告顯示， 2014年第四季全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收達(dá)到36.07億美元，季成長(zhǎng)4.2%，占DRAM總產(chǎn)值的27.8%;DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2014年行動(dòng)式記憶體占總出貨已接近四成，比重較過(guò)往持續(xù)增加。 雖然行動(dòng)式記憶體價(jià)格于第四季小幅下滑5%，但受惠于智慧型手機(jī)的需求持續(xù)成長(zhǎng)，尤其在 iPhone 6 與 iPhone 6 plus 的帶動(dòng)之下，位元出貨增加，帶動(dòng)全球行動(dòng)式記憶體營(yíng)收持續(xù)向上成長(zhǎng)。吳
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
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