- 日經(jīng)新聞日前報導，日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財報顯示本業(yè)獲利狀況的合并營益可望較前一年度(2009年度)勁揚30%至350億日圓，主因為智能型手機、平板產(chǎn)品需求急增帶動Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長，加上制程細微化令成本有效獲得刪減。報導指出，爾必達上年度合并營收預估將年增9%至5,100億日圓，顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日圓水平。
報導指出，2011年1-3月期間因PC用DRAM價格低迷導致
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爾必達 智能手機 DRAM
- 受惠于平板計算機等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺，且制程推進有助于撙節(jié)成本，爾必達(Elpida)2010會計年度(2010年4月~2011年3月)營業(yè)利益可望成長30%，達350億日圓(約4.2億美元);而該季營收約可達5,100億日圓，年增率為9%。
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爾必達 DRAM
- 在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(PC)大廠補貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預計5、6月可順利回升至此價位。
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硅晶圓 DRAM
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 市場研究機構IHS公司iSuppli公司上調了對今年全球半導體銷售額的預測，較原本預期調高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導體供應短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導體 DRAM
- 市場研究機構IHS公司iSuppli公司上調了對今年全球半導體銷售額的預測，較原本預期調高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導體供應短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導體 DRAM NAND
- 研究機構IHSiSuppli表示，由于日本地震導致該國存儲芯片供應減少之后推動價格走高，預計2011年全球半導體銷售收入將增長7%至3,250億美元。
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存儲芯片 DRAM
- 4月6日消息，據(jù)國外媒體報道，有分析機構預測，日本地震可能提升全球半導體市場收入。
受到3月11日日本地震和海嘯的影響，芯片產(chǎn)業(yè)供應鏈遭到一定破壞，這導致了芯片價格的上漲，根據(jù)分析機構IHSiSuppli的預測，并將可能影響全球半導體市場收入，可能使之環(huán)比去年上漲7%，而之前預測的數(shù)值是5.8%。
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芯片制造 DRAM
- 據(jù)市場研究公司IHS iSuppli稱，由于智能手機和平板電腦目前配置的內存芯片很快將證明不能充分地處理應用程序，新型移動DRAM內存芯片占整個移動內存芯片市場的份額將增加。iSuppli稱，LPDDR2（低功率雙數(shù)據(jù)速率2）內存現(xiàn)在正在成為移動DRAM內存領域中占統(tǒng)治地位的技術。到第二季度末，LPDDR2移動內存占移動內存的市場份額將從第一季度的31%提高到40%?！?/li>
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內存芯片 DRAM
- 雖然日本強震導致半導體生產(chǎn)鏈供貨不順，但是因各家計算機大廠手中仍有1-2個月庫存，所以4月及5月份計算機出貨仍沒有太大問題，由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復正常供貨量，OEM廠已開始放大英特爾Sandy Bridge平臺出貨。
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半導體 DRAM
- 韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。
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Hynix DRAM NAND Flash
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 根據(jù)IHS的研究報告，平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%，達到676MB。
IHS公司分析師邁克霍華德表示，由于平板電腦的應用程序越來越復雜，今年其內存的平均增長量將會是去年的2.5倍。這股趨勢會繼續(xù)下去，明年的平均容量預計將達到1.3GB ，而到2015年預計會達到3.7GB，與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當。
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平板電腦 DRAM
- 美光執(zhí)行長Steve Appleton表示，看好3~5月的DRAM報價逐漸觸底反彈;再者，日前三星電子(Samsung Electronics)也開始調漲DRAM合約價，南亞科也認為4月合約價將會續(xù)漲，市場彌漫春燕將至的氣氛。
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美光 DRAM
- 全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動DRAM內存芯片。這種內存芯片在更薄的封裝中增加內存的密度。
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三星 DRAM
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