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	1β dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          手機(jī)記憶芯片熱銷
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國計(jì)算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會(huì)計(jì)年度第1季(迄12月2日)財(cái)報(bào)，由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個(gè)人計(jì)算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個(gè)季度出現(xiàn)獲利。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        美光  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          DRAM合約價(jià)再跌10%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%，平均售價(jià)跌破20美元，低價(jià)來到17美元價(jià)格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%，市場(chǎng)預(yù)期供過于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季，因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大，預(yù)計(jì)要到2011年4月之后，等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料，DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達(dá)  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長遠(yuǎn)超預(yù)期
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        半導(dǎo)體  DRAM                          
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          2011年DRAM位元成長率上看50%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  DRAM                          
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          2011年DRAM位元成長率上看50%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
　　三星電子201
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  DRAM                          
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          金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。
　　2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng)，后者同期增長26%。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        金士頓  DRAM                          
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          三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實(shí)現(xiàn)商用化
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時(shí)已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測(cè)試。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          爾必達(dá)與Rambus簽署新一期專利授權(quán)協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。
　　此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛，從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年，爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費(fèi)，首次付賬4700萬美元。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達(dá)  DRAM                          
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          海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來轉(zhuǎn)機(jī)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素，有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示，公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。
　　　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　按VLSI市場(chǎng)調(diào)研公司的最新報(bào)告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價(jià)格下降。
　　同時(shí)，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測(cè)，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體增長8%。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        半導(dǎo)體  DRAM                          
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          DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大
          
                                                            
            
                    	
          • 　　11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過10%，讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%，1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過7%，其實(shí)只是以補(bǔ)跌來反應(yīng)品牌顆粒的價(jià)格;然此跌價(jià)情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會(huì)有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。
　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        力晶  DRAM                          
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          全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨二次崩盤潮危機(jī)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī)，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰，但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價(jià)格再度面臨崩盤窘境，時(shí)至11月，上、下旬合約價(jià)連番重挫，且上旬跌幅高達(dá)12~13%，較上旬不到10%合約價(jià)持續(xù)擴(kuò)大。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        力晶  DRAM                          
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          產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下滑
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)分析師和市場(chǎng)研究人員表示，個(gè)人電腦中的主要存儲(chǔ)元件DRAM的價(jià)格在2011年將會(huì)呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測(cè)，2011年中期DRAM市場(chǎng)仍將供過于求，但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示， DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前，在第一季度探底。

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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          DRAM供需待調(diào)整　
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助，市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿，預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平，隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn)，以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整，預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場(chǎng)可望走向供需平衡。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達(dá)  DRAM                          
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          三星計(jì)劃2011年下半推出20納米級(jí)制程DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競(jìng)爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30納米級(jí)制程制造DRAM，2011年上半計(jì)劃采行20納米級(jí)制程推出產(chǎn)品。三星計(jì)劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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