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          顯頹勢(shì)?其實(shí)英特爾已在多個(gè)領(lǐng)域有所斬獲

          •   英特爾近兩年的擠牙膏策略給了很多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手反擊的機(jī)會(huì),比如AMD的Ryzen,再比如微軟攜手高通推驍龍835平臺(tái)的Windows 10筆記本。   從表面上看英特爾最近的確盡顯頹勢(shì),但這僅限Intel品牌的X86處理器領(lǐng)域。實(shí)際上,最近兩年英特爾在其他領(lǐng)域還是收獲頗豐的。   先來(lái)看看對(duì)英特爾而言的一個(gè)最大利好消息吧。   我們都知道,蘋(píng)果從iPhone 7開(kāi)始,同時(shí)采購(gòu)高通和英特爾兩家生產(chǎn)的基帶芯片,目的是給高通壓力,少收點(diǎn)專利費(fèi),賣得再便宜點(diǎn)。沒(méi)想到高通油鹽不進(jìn),最近還和蘋(píng)果鬧上了公堂,為
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  14nm  

          14nm的FPGA需要什么樣的電源管理IC?

          • 現(xiàn)在的FPGA不僅僅是一個(gè)邏輯器件,它現(xiàn)在更加像一個(gè)平臺(tái),在一個(gè)FPGA中常常會(huì)包含有數(shù)字信號(hào)處理、嵌入式處理、高速串行和其他高端技術(shù)模塊。那么,這樣的FPGA需要什么樣的電源管理IC來(lái)與之配合呢?
          • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  14nm  FPGA  Enpirion  CycloneVSoC  

          由材料分析觀點(diǎn)看英特爾14nm/14nm+演進(jìn)

          • 如今,后摩爾定律時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨,工藝微縮將會(huì)面臨更多的挑戰(zhàn),此時(shí)工藝的“驗(yàn)證能力”在這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)中已是不可或缺的武器,如何精準(zhǔn)地在幾個(gè)納米的差距中找到差異,絕對(duì)是致勝關(guān)鍵;面對(duì)更小更困難的工藝,材料分析的技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色,未來(lái)將跟隨半導(dǎo)體工藝微縮的腳步,一起見(jiàn)證下一個(gè)世代的來(lái)臨。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  14nm  

          我們常聽(tīng)到的22nm、14nm、10nm究竟是什么意思?

          •   IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠,集芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試、投向消費(fèi)者市場(chǎng)五個(gè)環(huán)節(jié)的廠商,一般還擁有下游整機(jī)生產(chǎn)。   Fabless(無(wú)廠半導(dǎo)體公司)則是指有能力設(shè)計(jì)芯片架構(gòu),但本身無(wú)廠,需要找代工廠代為生產(chǎn)的廠商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、蘋(píng)果和華為。   Foundry(代工廠)則指臺(tái)積電和GlobalFoundries,擁有工藝技術(shù)代工生產(chǎn)別家設(shè)計(jì)的芯片的廠商。我們常見(jiàn)到三星有自己研發(fā)的獵戶座芯片,同時(shí)也會(huì)代工蘋(píng)果A系列和高通驍龍的芯片系
          • 關(guān)鍵字: 14nm  10nm  

          英特爾:下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

          •   2月10日,英特爾在投資者會(huì)議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器,將于今年下半年亮相。遺憾的是,第8代酷睿處理器并沒(méi)有采用傳聞中的10nm工藝,而是依舊沿用14nm工藝,英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝,但是英特爾表示,第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。   據(jù)悉,數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾表
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  14nm  

          臺(tái)積電戰(zhàn)將三星14nm功臣梁孟松傳將加盟SMIC

          •   半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)不愛(ài)名利的前臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)蔣尚義,赴大陸擔(dān)任中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事,震驚業(yè)界,然業(yè)界又傳出投奔三星電子、與臺(tái)積電打官司多年的前臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松,已于第3季離開(kāi)三星,近期將投入大陸半導(dǎo)體艦隊(duì),落腳處也是中芯國(guó)際。業(yè)者認(rèn)為這些臺(tái)灣半導(dǎo)體超級(jí)戰(zhàn)將紛投效大陸,似乎是為大陸半導(dǎo)體未來(lái)黃金十年做背書(shū)。   大陸大動(dòng)作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),繼瘋狂蓋12吋晶圓廠、購(gòu)并國(guó)際大廠,近期開(kāi)始挖角重量級(jí)的高手加入大陸半導(dǎo)體業(yè),近期除了被點(diǎn)名的蔡力行及已經(jīng)宣布的蔣尚義外,傳出下一個(gè)要投奔大陸的是與臺(tái)積電有多
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  14nm  

          盤(pán)點(diǎn)用了三星14nm FinFET 制程的產(chǎn)品

          •   Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段時(shí)間,到底有哪些產(chǎn)品使用呢?   隨著Samsung Exynos 7 Dual 7270 這款整合LTE Modem 與聯(lián)網(wǎng)能力的穿戴式裝置用SoC 進(jìn)入量產(chǎn),這家韓系品牌在14nm FinFET 的布局也跟著廣泛許多。   第一款使用14nm FinFET 的產(chǎn)品時(shí)Exynos7 Octa 7420,其處理器架構(gòu)為四核ARM Cortex-A57 與四核ARM Cortex-A53,被運(yùn)用在Samsung GALAXY S6 與Samsu
          • 關(guān)鍵字: 三星  14nm   

          英特爾14nm新處理器曝光 四核心設(shè)計(jì)15W功耗

          •   英特爾很快會(huì)推出新一代14nm工藝處理器,這已經(jīng)不是什么秘密,但英特爾7nm工藝處理器要等很多年才能看到,這一點(diǎn)比三星和臺(tái)積電晚很多,令人擔(dān)憂。不過(guò)這都是后話,現(xiàn)在最受關(guān)注的還是14nm工藝,根據(jù)爆料14nm工藝不僅僅是提升頻率降低功耗,英特爾打算加入四核心八線程,TDP有望維持在15W。        新的處理器核心面積為122平方毫米,不過(guò)依然是之前的顯示核心,預(yù)計(jì)明年第三季度量產(chǎn),第一季度就會(huì)有樣品出現(xiàn)了。   另外,根據(jù)客戶要求還會(huì)推出更高性能的版本,但TDP會(huì)提升到18
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  14nm  

          Intel代工展訊14nm芯片本月出樣

          •   Intel擁有地球上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,在FinFET工藝上比其他廠商提前兩年多量產(chǎn),14nm FinFET工藝雖然遭遇了難產(chǎn),但還是比TSMC、三星更早,而且Intel的工藝水平是最好的,柵極距是真正的14nm水平,其他兩家是有水分的。從 上半年開(kāi)始轉(zhuǎn)型開(kāi)始,Intel也把晶圓代工作為突破點(diǎn),拉攏到了LG電子,現(xiàn)在又一家客戶確認(rèn)了,中國(guó)的展訊公司也會(huì)使用Intel 14nm工藝代工,相關(guān)芯片最快10月份就可以出樣。   Intel在晶圓制造上實(shí)力無(wú)可置疑,此前也有零星的代工合作,不過(guò)客戶并不多,主
          • 關(guān)鍵字: Intel  14nm  

          英特爾:超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來(lái)

          • 之前根據(jù)一份泄露的英特爾產(chǎn)品路線圖顯示,超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來(lái),現(xiàn)在我們知道這些信息是真實(shí)的。在舊金山游戲開(kāi)發(fā)者大會(huì)上,消
          • 關(guān)鍵字: 14nm  Broadwell  CPU   

          Intel狂擠牙膏!三代14nm平臺(tái)明年見(jiàn):無(wú)驚喜

          • 10nm新工藝難產(chǎn),Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake,但即便如此進(jìn)展也不快,Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”。
          • 關(guān)鍵字: Intel  14nm  

          FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm!

          •   產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認(rèn)為,半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)…   半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示,在制程微縮同時(shí),每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加,其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面,當(dāng)制程特征尺寸縮 減時(shí),晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低,帶來(lái)較高的閘成本。     
          • 關(guān)鍵字: FD-SOI  14nm  

          傳三星研發(fā)三代14nm制程、年底量產(chǎn)

          •   三星電子的晶片部門(mén)風(fēng)光不再,從金雞母淪落至賠錢(qián)貨,該部門(mén)1日宣稱第三代14奈米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成,似乎意圖向臺(tái)積電(2330)搶單,扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。   韓媒etnews 2日?qǐng)?bào)導(dǎo),去年三星電子量產(chǎn)第一代14奈米制程,名為L(zhǎng)PE(Low Power Early),外界評(píng)測(cè)發(fā)現(xiàn)能耗表現(xiàn)遜于臺(tái)積電16奈米,讓三星顏面盡失。三星隨后研發(fā)第二代14奈米制程,名為L(zhǎng)PP(Low Power Plus),宣稱耗電量較前代減少15%,目前三星Galaxy S7搭載的Exynos 8 Octa和高通驍龍8
          • 關(guān)鍵字: 三星  14nm  

          中芯國(guó)際將義無(wú)反顧追趕臺(tái)積電/英特爾/三星14nm研發(fā)

          • 巨額資金進(jìn)行追趕國(guó)際水平,但是不是追趕先進(jìn)技術(shù)加上巨額投資就一定能帶來(lái)成效?
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  14nm  

          Intel 14nm制程技術(shù)優(yōu)于臺(tái)積電? LG 自主芯片 Nuclun 2 轉(zhuǎn)單 Intel

          •   臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)新聞指出,LG 第二款自有處理器產(chǎn)品 Nuclun 2 交由臺(tái)積電與 Intel 進(jìn)行試產(chǎn),分別以 16nm、14nm 制程技術(shù)制作。從實(shí)際結(jié)果表現(xiàn)來(lái)看,Nuclun 2 可能交由Intel負(fù)責(zé)代工生產(chǎn),同時(shí)將直接整合 Intel XMM 7360 數(shù)據(jù)芯片。   至于此次轉(zhuǎn)單理由,業(yè)內(nèi)認(rèn)為可能因 Intel 14nm 制程技術(shù)讓 LG 自主芯片 Nuclun 2 有較高的性能表現(xiàn),所以交付 Intel 負(fù)責(zé)代工生產(chǎn),同時(shí)可能直接整合 Intel XMM 7360 數(shù)據(jù)芯片。   由于
          • 關(guān)鍵字: Intel  14nm  
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          14nm介紹

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