18a 制程文章進(jìn)入18a 制程技術(shù)社區(qū)

2nm制程之爭(zhēng)將全面打響，三家公司進(jìn)展如何？

消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠(chǎng)商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭(zhēng)愈演愈烈。2nm芯片能帶來(lái)什么？對(duì)傳統(tǒng)晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來(lái)更高性能，滿(mǎn)足AI時(shí)代下業(yè)界對(duì)高性能半導(dǎo)體的需求。而對(duì)新興企業(yè)而言，2nm則可以提升半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)值，并助力其積極追趕龍頭企業(yè)。目前傳統(tǒng)龍頭企業(yè)臺(tái)積電、三星電子以及新興企業(yè)Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭(zhēng)將全面打響，這三家企業(yè)進(jìn)展如何？臺(tái)積電：3nm、2nm路線(xiàn)規(guī)劃曝光臺(tái)積電認(rèn)為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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英特爾發(fā)布全新16nm制程工藝

這項(xiàng)新技術(shù)補(bǔ)充了英特爾的 22 納米 FFL 工藝。
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭

近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對(duì)應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開(kāi)發(fā)計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過(guò)渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著時(shí)間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點(diǎn)會(huì)越來(lái)越貴，原有的單芯片設(shè)計(jì)方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲(chǔ)器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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客戶(hù)對(duì)2nm期望更高！消息稱(chēng)臺(tái)積電多家客戶(hù)修正制程計(jì)劃

據(jù)媒體引述半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，2023全年，臺(tái)積電3nm產(chǎn)能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據(jù)報(bào)道，由于臺(tái)積電3nm在PPA表現(xiàn)下與4nm差異不大，且3nm報(bào)價(jià)漲至2萬(wàn)美元，只有蘋(píng)果有8折優(yōu)惠，目前有多家客戶(hù)已修正制程規(guī)劃，調(diào)整投片與訂單，包括拉長(zhǎng)4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進(jìn)度，等待2nmGAA制程世代再重押。報(bào)道稱(chēng)，雖然臺(tái)積電產(chǎn)能布局可能被打亂，但客戶(hù)黏著度更高，對(duì)于2nm GAA世代相當(dāng)有信心，已采用4/3nm的客戶(hù)，幾乎皆有2nm投片規(guī)劃。從3nm工藝上看，臺(tái)積電曾表示
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三星4nm制程工藝良品率接近臺(tái)積電，蘋(píng)果考慮重新合作？

三星似乎已經(jīng)解決了4nm工藝的一系列障礙。據(jù)Digitimes報(bào)道，三星在第三代4nm工藝的進(jìn)步可能超出外界預(yù)期，從之前的60%提高到70%以上。
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英特爾布局先進(jìn)制程試圖奪回芯片制造影響力

此次合作將首先聚焦于移動(dòng)SoC的設(shè)計(jì)，未來(lái)有望擴(kuò)展到汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空和政府應(yīng)用領(lǐng)域。此次合作也代表半導(dǎo)體行業(yè)兩個(gè)巨頭之間產(chǎn)生新的重要合作關(guān)系，有可能對(duì)全球芯片制造市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。
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Intel大爆發(fā)了：要把這些年從AMD/臺(tái)積電手里失去的東西統(tǒng)統(tǒng)奪回來(lái)！

本周，Intel在IEDM大會(huì)期間，公布了新的制程工藝路線(xiàn)圖。內(nèi)容顯示Intel 4/3/20A均按部就班推進(jìn)，且18A（相當(dāng)于友商1.8nm）更是提前到了2024下半年準(zhǔn)備投產(chǎn)。據(jù)悉，Intel 4相當(dāng)于友商4nm，也就是Intel此前口徑中的7nm，它會(huì)導(dǎo)入先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)，并在14代酷睿Meteor Lake上首發(fā)。Meteor Lake（流星湖）也會(huì)是Intel第一款采用多芯片混合封裝技術(shù)的處理器，GPU核顯單元預(yù)計(jì)將由臺(tái)積電3nm/5nm代工。活動(dòng)上，Inte副總裁、技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann K
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元宇宙穿戴熱 PCB制程同樂(lè)

研調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，全球AR／VR產(chǎn)品出貨量至2026年上看5,050萬(wàn)臺(tái)，2022年至2026年年均復(fù)合成長(zhǎng)率為35.1％。法人表示，AR／VR智能穿戴裝置為目前進(jìn)入元宇宙世界的唯一入口，而元宇宙又是上網(wǎng)、通訊、影像傳輸、運(yùn)算等功能的集大成應(yīng)用，PCB涵蓋到元宇宙多個(gè)端點(diǎn)，預(yù)期如軟板、HDI、軟硬結(jié)合板、ABF載板都在受惠行列。盡管元宇宙相關(guān)AR／VR智能穿戴裝置仍未普及，但不少科技巨擘或零組件廠(chǎng)積極搶進(jìn)，如Meta、Sony、hTC、微軟等，一些PCB供貨商也看好明年元宇宙穿戴會(huì)是不錯(cuò)的成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)源。工研院
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預(yù)計(jì)蘋(píng)果新款MacBook Pro與iPad Pro無(wú)緣3nm制程工藝芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，蘋(píng)果在今年下半年將舉行兩場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，第一場(chǎng)在9月份舉行，重點(diǎn)是iPhone 14系列智能手機(jī)以及新款A(yù)pple Watch；第二場(chǎng)則將在10月份舉行，以Mac和iPad為主。之前預(yù)測(cè)對(duì)于下半年的第二場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，蘋(píng)果將推出的新品預(yù)計(jì)會(huì)有MacBook Pro和iPad Pro，其中MacBook Pro搭載的，預(yù)計(jì)是蘋(píng)果自研、由臺(tái)積電代工采用3nm制程工藝的芯片。但在蘋(píng)果產(chǎn)品預(yù)測(cè)方面有很高準(zhǔn)確性的分析師郭明錤，近日給出了讓外界失望的預(yù)期，蘋(píng)果即將發(fā)布的14/16英寸MacBook Pro
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英特爾或?qū)⑿薷?nm制程生產(chǎn)計(jì)劃重回巔峰路途漫漫

消息稱(chēng)英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì)在8月份前往臺(tái)積電，與臺(tái)積電的高層會(huì)晤，主要是對(duì)明年的3nm產(chǎn)能計(jì)劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計(jì)劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱(chēng)將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺(tái)積電的3nm制程的計(jì)劃將受到影響。據(jù)報(bào)道，英特爾內(nèi)部已開(kāi)始緊急修正未來(lái)一年的平臺(tái)藍(lán)圖以及自家制程產(chǎn)能計(jì)劃。一直有消息稱(chēng)，英特爾將使用臺(tái)積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨(dú)立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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2022年聚焦十二英寸產(chǎn)能擴(kuò)充，預(yù)估成熟制程產(chǎn)能年增20%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴(kuò)產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠(yuǎn)低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而十二英寸年增幅則為18%。其中，十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見(jiàn)2022年各晶圓代工廠(chǎng)多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來(lái)自于臺(tái)積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國(guó)際（SMIC）、華虹集團(tuán)（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
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臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠(chǎng)計(jì)劃，設(shè)廠(chǎng)面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠(chǎng)土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠(chǎng)
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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臺(tái)積電發(fā)布N4P工藝：增強(qiáng)版的5nm制程技術(shù)都有哪些不同？

在2021開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點(diǎn)為基礎(chǔ)，以性能為重點(diǎn)的增強(qiáng)型工藝。采用N4P技術(shù)生產(chǎn)的首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2022年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。N4P制程工藝的推出強(qiáng)化了臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體技術(shù)組合，其中的每項(xiàng)技術(shù)皆具備獨(dú)特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的N4P可提供高性能運(yùn)算（HPC）與移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用一個(gè)更強(qiáng)化且先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)。N4N4P是繼N5、N4后，臺(tái)積電5nm家族的第三個(gè)主要強(qiáng)化版本。臺(tái)積電稱(chēng)，N4P的性能較原先的N5增
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Gartner對(duì)2021年國(guó)內(nèi)外芯片制造市場(chǎng)的趨勢(shì)分析

當(dāng)前困擾業(yè)界的芯片缺貨何時(shí)結(jié)束？哪種半導(dǎo)體制程會(huì)是主流？哪類(lèi)芯片產(chǎn)品發(fā)展最好？半導(dǎo)體的投資熱點(diǎn)有哪些？中國(guó)市場(chǎng)的動(dòng)向如何？“成熟工藝+ 先進(jìn)封裝”可否達(dá)到先進(jìn)工藝的產(chǎn)品性能？2021 年6 月底，Gartner研究副總裁盛陵海向電子產(chǎn)品世界等媒體做了詳細(xì)的分析。Gartner研究副總裁盛陵海1? ?全球芯片制造市場(chǎng)1.1 缺貨的原因及何時(shí)結(jié)束1）缺貨的原因最近半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了20 年以來(lái)最為嚴(yán)重的缺貨情況。造成缺貨的原因既包含偶然因素，也有必然因素。●? ?偶然因素
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