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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 18a 制程

          先進(jìn)制程將成晶圓代工成長(zhǎng)動(dòng)力來源

          •   據(jù)IC Insights最新數(shù)據(jù)預(yù)估,整體來說,2017年純晶圓代工市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)模將成長(zhǎng)7%,但成長(zhǎng)動(dòng)能幾乎全部來自40奈米以下先進(jìn)制程。 2017年40奈米以下先進(jìn)制程的營(yíng)收料將達(dá)到215億美元,比2016年成長(zhǎng)18%;40奈米以上(含)成熟制程的市場(chǎng)只會(huì)成長(zhǎng)不到1%,達(dá)323億美元。   雖然40奈米以上成熟制程對(duì)晶圓代工業(yè)者營(yíng)收的貢獻(xiàn)度達(dá)到6成,但對(duì)絕大多數(shù)晶圓代工業(yè)者而言,40奈米以上成熟制程的利潤(rùn)空間已經(jīng)相當(dāng)有限。 40奈米以下先進(jìn)制程才是晶圓代工業(yè)者的金雞母。   以個(gè)別廠商來看,臺(tái)積
          • 關(guān)鍵字: 制程  晶圓  

          英特爾:全球制程工藝創(chuàng)新者和引領(lǐng)者

          •   智能互聯(lián)時(shí)代,數(shù)據(jù)洪流洶涌而生,對(duì)計(jì)算力的需求前所未有。英特爾始終以領(lǐng)先的制程工藝提供不斷躍升的計(jì)算力,并將晶體管密度作為引領(lǐng)制程工藝發(fā)展的首要準(zhǔn)則。英特爾以突破性技術(shù)和持續(xù)創(chuàng)新不斷打破摩爾定律失效“魔咒”,過去15年里在業(yè)界廣泛應(yīng)用的主要制程工藝創(chuàng)新都由英特爾推動(dòng),并始終擁有至少三年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。  晶體管密度:  衡量制程工藝領(lǐng)先性的首要準(zhǔn)則  目前一些競(jìng)爭(zhēng)友商公司的制程節(jié)點(diǎn)名稱并不準(zhǔn)確,無法正確體現(xiàn)這個(gè)制程位于摩爾定律曲線的哪個(gè)位置。摩爾定律是指每一代制程工藝的晶體管密度加倍,縱觀發(fā)展史,業(yè)界在命
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  制程  

          Entegris攜最新產(chǎn)品亮相Semicon Taiwan,提供整合解決方案應(yīng)對(duì)未來制造挑戰(zhàn)

          •   隨著先進(jìn)制程的不斷推進(jìn),從14nm、10nm到將來的7nm、3nm,在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的微粒也越來越小,怎樣去找到這些極微小的微粒將是未來半導(dǎo)體制造商面臨的一個(gè)非常大的挑戰(zhàn)。近日,領(lǐng)先特殊材料供應(yīng)商Entegris參加了在Semicon Taiwan,同時(shí)發(fā)布了幾款全新產(chǎn)品,其全球銷售副總裁謝俊安也與臺(tái)灣媒體進(jìn)行了交流?! ≈x俊安首先介紹了Entegris的三個(gè)主要事業(yè)部,分別為電子材料部分,主要提供尖端氣體、沉積的解決方案以及一些化學(xué)清洗類產(chǎn)品;第二個(gè)是微污染控制,主要的產(chǎn)品為用于水、氣體以
          • 關(guān)鍵字: Entegris  制程  

          臺(tái)積電先進(jìn)制程持續(xù)投資,引領(lǐng)國(guó)外設(shè)備材料商紛紛靠攏

          •   即將步入創(chuàng)業(yè)第30個(gè)年頭的晶圓代工龍頭臺(tái)積電,持續(xù)不斷在先進(jìn)制程5納米及3納米等投資,也吸引全球半導(dǎo)體設(shè)備商來臺(tái)搶食相關(guān)大餅。才剛進(jìn)入9月,陸續(xù)有材料大廠默克(Merck)、設(shè)備廠美商科林研發(fā)(LamResearch)、先進(jìn)半導(dǎo)體微污染控制設(shè)備商美商英特格(Entegris)等企業(yè)陸續(xù)來臺(tái)設(shè)點(diǎn),或發(fā)表新產(chǎn)品。顯示由臺(tái)積電帶動(dòng)的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資潮,已經(jīng)引起全球相關(guān)廠商關(guān)注。   根據(jù)臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家日前在第2季法人說明會(huì)報(bào)告,臺(tái)積電在7納米制程的發(fā)展,2017年4月已通過客戶認(rèn)證,良率比預(yù)期高
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          摩爾定律并未終結(jié)!撥開迷霧看制程節(jié)點(diǎn)命名的貓膩

          • 經(jīng)濟(jì)效益使摩爾定律成為全球經(jīng)濟(jì)的根本動(dòng)力,使人們能夠相互連接、進(jìn)行娛樂和學(xué)習(xí),而現(xiàn)在逐一實(shí)現(xiàn)全新的制程節(jié)點(diǎn)變得愈加困難,成本也更加昂貴。
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          臺(tái)積電通吃中低端制程商機(jī)

          •   晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨日表示,第2季營(yíng)運(yùn)能否達(dá)到財(cái)測(cè)目標(biāo),新臺(tái)幣兌美元匯率將是唯一因素。意味著6月營(yíng)收將持續(xù)揚(yáng)升,且以美元計(jì)價(jià),仍可達(dá)標(biāo)。法人指出,臺(tái)積電第3季迎接強(qiáng)勁拉貨潮,預(yù)期五大產(chǎn)品訂單同增,單季營(yíng)運(yùn)有望創(chuàng)歷史新高。   臺(tái)積電ADR上周五受美科技股重挫拖累,同步收黑,收盤跌幅2.82%。但法人指出,臺(tái)積電即將在26日除息,每股發(fā)放現(xiàn)金股利7元,外資長(zhǎng)期持有臺(tái)積即是看好其穩(wěn)定股利,再加上新臺(tái)幣維持相對(duì)強(qiáng)勢(shì),更重要的是營(yíng)運(yùn)進(jìn)入旺季,因此即使費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)重挫,沖擊不致過大。   臺(tái)積電表示,不對(duì)
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          美國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)1nm 制程工藝

          •   Intel、TSMC及三星三大半導(dǎo)體工廠今年將量產(chǎn)10nm工藝,他們中進(jìn)度快的甚至準(zhǔn)備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級(jí),半導(dǎo)體工藝也越來越逼近極限了,制造難度越來越大,5nm之后的工藝到現(xiàn)在為止都沒有明確的結(jié)論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點(diǎn)上,美國(guó)又走在了前列,美國(guó)布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布實(shí)現(xiàn)了1nm工藝制造。   來自EETimes的報(bào)道稱,美國(guó)能源部(DOE)下屬的布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄,他們成
          • 關(guān)鍵字: 1nm  制程  

          高端制程壓力大 中芯國(guó)際憂患多

          •   4月14日,全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了截至3月31日的2017財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,臺(tái)積電第一季度總營(yíng)收為2339.1億新臺(tái)幣(約人民幣530億元,單位下同),凈利潤(rùn)達(dá)到198.54億元,同比增長(zhǎng)高達(dá)35.3%,充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。   按制程看,臺(tái)積電28nm以下先進(jìn)制程工藝占據(jù)晶圓代工收益的56%,其中16/20nm工藝、28nm工藝占營(yíng)收的比重為31%、25%。   中芯國(guó)際28nm尚待放量   而反觀大陸28nm進(jìn)展最快的中芯國(guó)際,其2016年第四
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  制程  

          高端制程壓力大 中芯國(guó)際憂患多

          •   4月14日,全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了截至3月31日的2017財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,臺(tái)積電第一季度總營(yíng)收為2339.1億新臺(tái)幣(約人民幣530億元,單位下同),凈利潤(rùn)達(dá)到198.54億元,同比增長(zhǎng)高達(dá)35.3%,充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。   按制程看,臺(tái)積電28nm以下先進(jìn)制程工藝占據(jù)晶圓代工收益的56%,其中16/20nm工藝、28nm工藝占營(yíng)收的比重為31%、25%。   中芯國(guó)際28nm尚待放量   而反觀大陸28nm進(jìn)展最快的中芯國(guó)際,其2016年第四
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          【E問E答】半導(dǎo)體新制程節(jié)點(diǎn)定位命名誰說的算數(shù)?

          •   半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)名稱出現(xiàn)前所未有的“增生”情況,產(chǎn)業(yè)界需要一種優(yōu)良的公用性能基準(zhǔn),才能對(duì)不同業(yè)者的半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)行比較。   這段時(shí)間以來,晶圓代工業(yè)者紛紛將他們自己的最新制程節(jié)點(diǎn)以自己想要的市場(chǎng)定位來命名,并非依據(jù)任何透明化的性能基準(zhǔn),而現(xiàn)在該是時(shí)候阻止這種“欺騙”行為。   英特爾(Intel)最近提出了一種簡(jiǎn)單、但在某種程度上有點(diǎn)“自私自利”的電晶體密度量測(cè)標(biāo)準(zhǔn),其他晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則以“震耳欲聾的沉默&rd
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  制程  

          一改PC掛帥策略 英特爾先進(jìn)制程策略大轉(zhuǎn)彎

          • 這項(xiàng)新策略意謂英特爾的發(fā)展重心及注意力已從PC移到其他領(lǐng)域。
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          從未被落下 英特爾制程工藝領(lǐng)先對(duì)手三年

          • Intel 14nm=三星10nm,Intel領(lǐng)先了整整三年?
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  制程  

          魯大師Q3季度芯片排行榜:看制程高歌猛進(jìn)

          •   手機(jī)芯片好比一部手機(jī)的大腦。一款智能手機(jī)的程序運(yùn)行速度、流暢度、拍照、續(xù)航、網(wǎng)絡(luò)制式等大量的基礎(chǔ)性能的優(yōu)劣,其決定權(quán)均來自于手機(jī)處理器。因此,手機(jī)芯片對(duì)整個(gè)手機(jī)的性能有著決定性的作用。 近日,魯大師數(shù)據(jù)中心發(fā)布了2016年Q3季度的芯片排行榜。通過該排行榜,我們可以大致了解本季度手機(jī)芯片市場(chǎng)發(fā)展。        芯片市場(chǎng)變化   事實(shí)上,2016年的手機(jī)芯片幾乎已在上半年就大批量投入使用了,從魯大師發(fā)布的2016年Q3季度報(bào)告中的CPU純邏輯運(yùn)算性能測(cè)試TOP20可以了解到,本季
          • 關(guān)鍵字: 芯片  制程  

          為什么說7nm是物理極限?如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm?

          •   適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來看,7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過據(jù)外媒報(bào)道,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,采用碳納米管復(fù)合材料將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破,中國(guó)應(yīng)該怎么做呢?   XX nm制造工藝是什么概念?   芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示,比如Intel最新的六代酷
          • 關(guān)鍵字: 制程  1nm  

          先進(jìn)制程發(fā)展?jié)摿选≡O(shè)備/材料商競(jìng)相出擊

          •   半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展持續(xù)升溫,相關(guān)封裝、材料及設(shè)備需求也跟著水漲船高。為因應(yīng)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),半導(dǎo)體業(yè)者紛紛祭出新型機(jī)臺(tái)、設(shè)備或化學(xué)材料解決方案,藉以強(qiáng)化自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),并搶占龐大的先進(jìn)制程需求大餅。   2016 年Semicon Taiwan展的攤位數(shù)量達(dá)一千六百個(gè)攤位,預(yù)估參觀人數(shù)則上看4.3萬人,展會(huì)規(guī)模將創(chuàng)歷年之最。從本次Semicon Taiwan展會(huì)盛況可看出,整體而言,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來仍具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿?,特別是10奈米以下先進(jìn)制程,更是推動(dòng)半導(dǎo)體材料、設(shè)備需求的關(guān)鍵因素。 為滿足先
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