20nm 文章進(jìn)入20nm技術(shù)社區(qū)

20nm是怎樣改變IC設(shè)計(jì)的

20nm工藝節(jié)點(diǎn)是電子產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。它帶來(lái)巨大的動(dòng)力、性能和面積優(yōu)勢(shì)，同時(shí)帶來(lái)了光刻技術(shù)、可變性和復(fù)雜性等挑戰(zhàn)。然而令人欣慰的是，通過在端到端、集成設(shè)計(jì)流程中使用EDA工具，這些挑戰(zhàn)都是在人們的掌控范圍之內(nèi)的。
關(guān)鍵字： 20nm 集成設(shè)計(jì)流程轉(zhuǎn)折點(diǎn)

Maxwell 20nm顯示架構(gòu)Nvidia Tegra X1登場(chǎng)

在此次CES 2015展前活動(dòng)中，Nvidia正式揭曉代號(hào)“Erista”，并且采用Maxwell顯示架構(gòu)設(shè)計(jì)的Tegra X1，成為去年正式推出的Tegra K1后繼規(guī)格，同時(shí)整體效
關(guān)鍵字： Maxwell 20nm Nvidia Tegra X1 登場(chǎng)

國(guó)產(chǎn)CPU徹底爆發(fā)！大唐要直接跳過20nm

　　隨著上海中芯國(guó)際成功量產(chǎn)28nm驍龍410芯片，華力微電子上周成功流片聯(lián)發(fā)科28nm芯片，中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)順利完成國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(“大基金”)提出的目標(biāo)。　　去年大基金成立時(shí)，曾提出希望，通過今年投資超3500億，使得我國(guó)部分重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)接近國(guó)際一流水平，32/28納米(nm)制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。　　同樣是國(guó)內(nèi)移動(dòng)通信知名企業(yè)，大唐在IC設(shè)計(jì)上也公開了自己的最新規(guī)劃，　　在接受C114采訪時(shí)，大唐半導(dǎo)體設(shè)計(jì)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，聯(lián)芯科技可能不
關(guān)鍵字：大唐 20nm

TSMC的20nm工藝銷售額構(gòu)成比達(dá)到20％

　　臺(tái)積電(TSMC)2015年第二季度(4～6月)的財(cái)報(bào)顯示，銷售額為同比增長(zhǎng)12%的2054.4億臺(tái)幣，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為同比增長(zhǎng)9%的770.69億臺(tái)幣(英文發(fā)布資料)。純利潤(rùn)為同比增長(zhǎng)33%的794.13億臺(tái)幣。　　　　該公司在積極推進(jìn)生產(chǎn)向尖端工藝的過渡。本季度利用20nm工藝制造的產(chǎn)品銷售額占整體的20%，28nm工藝占27%。上年同期20nm工藝尚未導(dǎo)入，28nm工藝占37%。　　從不同用途來(lái)看，面向通信領(lǐng)域的銷售額占62%，較上年同期的54%和上季度的60%進(jìn)一步升
關(guān)鍵字： TSMC 20nm

SK海力士20nm級(jí)制程轉(zhuǎn)換，4年后100%完成

　　SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級(jí)制程進(jìn)展迅速!韓媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級(jí)生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級(jí)制程。　　韓媒BusinessKorea 13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計(jì)今年下半改為2z DRAM(20奈米級(jí))制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。　　相較之下，30奈米制程仍占美光
關(guān)鍵字： SK海力士 20nm

聯(lián)發(fā)科20nm來(lái)的到底晚不晚

　　　　這份路線圖，引起集微網(wǎng)關(guān)注的最重要的一點(diǎn)不是 LTE Cat.6的推進(jìn)，而是 20nm 制程技術(shù)的跟進(jìn)。去年 7 月在聯(lián)發(fā)科 MT6595 的媒體溝通會(huì)上，聯(lián)發(fā)科相關(guān)負(fù)責(zé)人已經(jīng)暗示 2015 年將推出支持 LTE Cat.6 的芯片平臺(tái)，但對(duì)于 20nm 制程技術(shù)的推進(jìn)并未說(shuō)明。據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息顯示，近期針對(duì) Android、Android TV、Android Wear 等平臺(tái)推出多款處理器產(chǎn)品之后，聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江透露 2015 年將從現(xiàn)有 28nm 制程技術(shù)進(jìn)展到
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 20nm

高通訂單喊卡臺(tái)積電20nm減產(chǎn)二成

　　市場(chǎng)傳出，韓國(guó)三星的14奈米FinFET制程良率近期已有明顯改善，引發(fā)臺(tái)積電(2330)大客戶手機(jī)晶片龍頭廠高通(Qualcomm)在臺(tái)積電試產(chǎn)16奈米FinFET制程喊卡，加上高通高階S810晶片傳聞?dòng)羞^熱問題，3月上市時(shí)間延宕，市場(chǎng)預(yù)期將沖擊臺(tái)積電南科廠先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營(yíng)運(yùn)。　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)本周四舉行法說(shuō)會(huì)，屆時(shí)將會(huì)針對(duì)市場(chǎng)傳聞與營(yíng)運(yùn)展望提出說(shuō)明。不過，上周已有外資法人認(rèn)為臺(tái)積電今年面臨競(jìng)爭(zhēng)恐將加劇，獲利成長(zhǎng)可能趨緩，率先調(diào)降投資評(píng)等，引發(fā)外資連續(xù)多個(gè)交易日賣超，不過，昨日外資賣超已縮小
關(guān)鍵字：高通臺(tái)積電 20nm

詳解“工藝制程”：為何20nm芯片更強(qiáng)大

　　 ? 　　當(dāng)推出新款處理器的時(shí)候，制造商們總喜歡講述“更小的納米制程工藝”、“更強(qiáng)大的性能”、以及“更優(yōu)異的能效表現(xiàn)”等概念。不過，很多人或許難以理解，為何在做得更小、功耗更低的同時(shí)，其性能反而還可以更加強(qiáng)大呢?有鑒于此，外媒PhoneArena特地撰寫了一篇文章，為我們解釋與“制程”相關(guān)的的一些問題。　　 ? 　　首先，什么是納米? 　　從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)，一顆微處理器
關(guān)鍵字：微處理器 20nm

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)為何現(xiàn)實(shí)與希望有落差

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展雖取得一定成效，但與國(guó)外核心技術(shù)水平的差距卻逐步拉大。問題何在？
關(guān)鍵字：集成電路 20nm

臺(tái)積20nm營(yíng)收比重第四季倍增

　　瑞信亞洲科技論壇于上周五落幕，臺(tái)積電(2330)管理階層也釋出對(duì)后續(xù)營(yíng)運(yùn)的展望。瑞信引述臺(tái)積的說(shuō)法指出，受益于iPhone6拉貨暢旺，臺(tái)積20奈米營(yíng)收比重將從第三季的10%跳上第四季的20%，帶動(dòng)整體營(yíng)收走揚(yáng)、登上全年高峰。不過值得留意的是，非20奈米制程的需求第四季將面臨幅度不小的庫(kù)存調(diào)節(jié)。　　根據(jù)臺(tái)積管理階層透露，第四季主要FablessIC設(shè)計(jì)客戶將見到明顯的庫(kù)存修正，庫(kù)存天數(shù)將從第三季的高于季節(jié)性水準(zhǔn)兩天，降至低于季節(jié)性水準(zhǔn)兩天。意謂若沒有20奈米制程放量的挹注，臺(tái)積第四季營(yíng)收將難以成長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 20nm

臺(tái)積20nm營(yíng)收比重第四季倍增

　　瑞信亞洲科技論壇于上周五落幕，臺(tái)積電(2330)管理階層也釋出對(duì)后續(xù)營(yíng)運(yùn)的展望。瑞信引述臺(tái)積的說(shuō)法指出，受益于iPhone 6拉貨暢旺，臺(tái)積20奈米營(yíng)收比重將從第三季的10%跳上第四季的20%，帶動(dòng)整體營(yíng)收走揚(yáng)、登上全年高峰。不過值得留意的是，非20奈米制程的需求第四季將面臨幅度不小的庫(kù)存調(diào)節(jié)。　　根據(jù)臺(tái)積管理階層透露，第四季主要Fabless IC設(shè)計(jì)客戶將見到明顯的庫(kù)存修正，庫(kù)存天數(shù)將從第三季的高于季節(jié)性水準(zhǔn)兩天，降至低于季節(jié)性水準(zhǔn)兩天。意謂若沒有20奈米制程放量的挹注，臺(tái)積第四季營(yíng)收將難以成
關(guān)鍵字：臺(tái)積店 20nm

20nm時(shí)代IDM廠 Intel和三星將碩果僅存

　　整合元件制造(IDM)廠持續(xù)不斷朝輕晶圓廠發(fā)展，研調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)期，邁入22/20奈米制程將僅存英特爾及三星兩家IDM廠。　　據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，0.13微米制程時(shí)代全球有多達(dá)22家IDM廠。隨著IDM廠朝輕晶圓廠發(fā)展趨勢(shì)成型，IDM廠數(shù)量急遽減少。　　至45奈米制程時(shí)代，ICInsights指出，全球IDM廠已不到10家，僅剩9家IDM廠。　　日本富士通(Fujitsu)近期進(jìn)行營(yíng)運(yùn)策略調(diào)整，退出半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，其中，三重縣廠分割成立新公司，引進(jìn)晶圓代工
關(guān)鍵字： 20nm IDM

2014年第二季DRAM廠商營(yíng)收排名

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM產(chǎn)值達(dá)108億美元，較上季增長(zhǎng)9%。由于產(chǎn)品比重調(diào)配得宜，三大DRAM廠獲利能力皆進(jìn)一步上升，其中仍以三星(Samsung)表現(xiàn)最佳，營(yíng)業(yè)獲利達(dá)39%，SK海力士(Hynix)以38%緊追在后，而美光集團(tuán)(Micron)中則以華亞科營(yíng)業(yè)獲利達(dá)54.6%最為亮眼。　　韓系廠商三星與SK海力士品牌內(nèi)存市場(chǎng)占有率各為39%與27%，合計(jì)逼近七成全球市場(chǎng)占有率，影響力不容小覷，而美系廠商亦手
關(guān)鍵字： DRAM 20nm

第二季全球DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)9%　韓商稱霸

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM產(chǎn)值達(dá)108億美元，較上季成長(zhǎng)9%。由于產(chǎn)品比重調(diào)配得宜，三大DRAM廠獲利能力皆進(jìn)一步上升，其中仍以三星(Samsung)表現(xiàn)最佳，營(yíng)業(yè)獲利達(dá)39%，SK海力士(Hynix)以38%緊追在后，而美光集團(tuán)(Micron)中則以華亞科營(yíng)業(yè)獲利達(dá)54.6%最為亮眼。　　韓系廠商三星與SK海力士品牌記憶體市占率各為39%與27%，合計(jì)逼近七成全球市場(chǎng)占有率，影響力不容小覷，而美系廠商亦手
關(guān)鍵字： DRAM 20nm

聯(lián)發(fā)科明年量產(chǎn)20nm+Cat. 6 300Mbps

　　在日前的的聯(lián)發(fā)科新品發(fā)布會(huì)上，除了備受關(guān)注的兩款八核4G處理器：MT6595(32位)、MT6795(64位)正式亮相外，聯(lián)發(fā)科還透露了明年的產(chǎn)品規(guī)劃情況，包括對(duì)電信CDMA網(wǎng)絡(luò)的支持、新工藝處理器的研發(fā)以及支持更快下載速度的Cat 6規(guī)格產(chǎn)品。　　根據(jù)癮科技對(duì)聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江的采訪，聯(lián)發(fā)科將于今年率先與威盛(VIA) 搭配推出方案支持電信CMDA網(wǎng)絡(luò)，而原生支持CDMA的全模4G LTE芯片要等到明年年初才能出現(xiàn)。　　此外，謝清江還透露，聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)明年可以量產(chǎn)20nm工藝的處理器產(chǎn)
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 20nm

共75條 1/5 1 2 3 4 5 »

20nm介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條20nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)20nm的理解，并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

20nm 文章 進(jìn)入20nm技術(shù)社區(qū)

20nm介紹

熱門主題

20nm 文章進(jìn)入20nm技術(shù)社區(qū)