20nm 文章 進(jìn)入20nm技術(shù)社區(qū)
首款20nm芯片竟然是挖礦用的：1440核心
- 今年TSMC會(huì)從28nm工藝升級(jí)到20nm，高通、蘋果都在爭搶20nm產(chǎn)能，誰能最先推出20nm工藝的芯片呢?首先我們可以排除AMD和NVIDIA的GPU了，甚至今年都沒戲。本周首款20nm工藝芯片就會(huì)問世，只不過大家都不會(huì)想到它竟然是用來挖礦的，KnCMiner公司推出的名為“海王星”的礦機(jī)芯片擁有1440個(gè)核心，封裝面積3025mm2。 KNCminer公司之前推出了Titan礦機(jī) 目前主流的移動(dòng)處理器及GPU都還在使用28nm工藝，它們對(duì)良率、產(chǎn)能鎦銖
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AMD 20nm代工釋單 臺(tái)積電、格羅方德爭寵
- 處理器大廠超微(AMD)15日在北京召開APU14技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)，但市場卻傳出超微20奈米繪圖晶片的晶圓代工訂單，將全數(shù)轉(zhuǎn)下格羅方德(GlobalFoundries)消息，不過隨即又有消息指出，臺(tái)積電仍是20奈米繪圖晶片最大代工廠。超微主管對(duì)此不予評(píng)論，僅表示會(huì)維持與格羅方德及臺(tái)積電等晶圓代工廠緊密合作關(guān)系。 根據(jù)國外網(wǎng)站消息，由于臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能不足，20奈米產(chǎn)能又幾乎被蘋果包下，除了高通及輝達(dá)(NVIDIA)可能轉(zhuǎn)單到格羅方德或三星，超微今年下半年開始未來2年內(nèi)將推出的28奈米火山群島(
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臺(tái)積電20nm制程不順 三星或搶下高通大單
- 先前曾多次爆料臺(tái)積電、三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)消息的研究機(jī)構(gòu)BlueFinResearchPartners宣稱，三星準(zhǔn)備大幅提高20奈米制程技術(shù)的晶圓產(chǎn)量，有可能是為了滿足高通、蘋果這兩大客戶的需求，這會(huì)直接對(duì)臺(tái)積電構(gòu)成威脅。 BlueFin分析師PaulPeterson、SteveMullane指出，他們?cè)?月28日曾經(jīng)估計(jì)，三星位于美國奧斯丁的晶圓代工廠應(yīng)可月產(chǎn)3,000-4,000片采用20奈米制程技術(shù)的矽晶圓(wpm)，這些產(chǎn)量可讓三星除錯(cuò)、進(jìn)而提高良率，以爭取成為蘋果第二個(gè)供應(yīng)來源。
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臺(tái)積電20nm良率提升 16nm年底投片
- 市場傳出臺(tái)積電20nm良率遭遇瓶頸，可能沖擊蘋果新世代處理器出貨，甚至轉(zhuǎn)單，16nm試產(chǎn)時(shí)程受此波及，被迫延后二個(gè)月，估計(jì)要延至今年年底。但據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，這些推論都言過其實(shí)。 設(shè)備業(yè)者表示，臺(tái)積電1月才開始進(jìn)行20奈米制程量產(chǎn)，3月良率仍處于穩(wěn)定拉升狀態(tài)，在每一個(gè)新制程世代剛開始量產(chǎn)的第一年，本來就會(huì)有很多需要調(diào)整的地方，以目前狀況來看仍在可掌控范圍，并沒有所謂遭遇瓶頸問題產(chǎn)生。 至于蘋果A8處理器訂單部份，目前包括臺(tái)積電、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等
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三星已量產(chǎn)20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組：產(chǎn)量增三成 能耗降25%
- 買電腦的話，人們通常有兩種選擇，要么從戴爾聯(lián)想等OEM廠商那里買現(xiàn)成的，或者想辦法自己折騰。當(dāng)然，前者雖然省事，但是可定制的選項(xiàng)卻比較少;因而還是有不少用戶，選擇了自己更自由靈活的DIY。如此一來，你就能夠選擇硬盤的類型和容量，以及內(nèi)存頻率等規(guī)格了。說到這，很多人內(nèi)心里肯定泛起了淡淡的憂傷——因?yàn)閮?nèi)存已經(jīng)盤踞高位很久了。 當(dāng)然，在內(nèi)存的選購方便，也不能一味求便宜——因?yàn)橄到y(tǒng)的穩(wěn)定性，絕對(duì)比價(jià)格更重要。 縱觀世界幾大內(nèi)存顆粒制造商，三星
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高通64位CPU驍龍810曝光：20nm工藝制造
- 蘋果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的TegraK1所搶去。對(duì)此，外媒傳來消息稱，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級(jí)為Adreno430。 ? 高通64位CPU驍龍810曝光(圖片來自驅(qū)動(dòng)之家) 外媒透露，驍龍810將有MSM8994和APQ8094兩大型號(hào)，前者集成基帶，后者則不集成基帶，而其他方面二者基本相同。據(jù)悉，驍龍810采用
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已經(jīng)邁入20nm時(shí)代 半導(dǎo)體業(yè)整并潮加劇
- 其以下的制程之后，將呈現(xiàn)更驚人的倍數(shù)增長態(tài)勢(shì)，因此能負(fù)擔(dān)如此巨額資本資出(CAPEX)的廠商家數(shù)愈來愈少，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備商、IC設(shè)計(jì)業(yè)者加速展開購并，以力鞏市場勢(shì)力版圖。 應(yīng)用材料(AppliedMaterials)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，半導(dǎo)體制造的資本密集度在20奈米及其以下制程之后，將大幅增長，以記憶體產(chǎn)業(yè)為例，從60奈米進(jìn)展至20奈米，資本支出將增加3.4倍;而在IC產(chǎn)業(yè)更是高達(dá)4倍之多。 余定陸進(jìn)一步指出，隨著半導(dǎo)體制程推展至20奈米及其以下，能負(fù)荷龐大制造設(shè)備采購成本的晶
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AMD或提前流片20nm/14nm工藝芯片
- 雖然AMD在APU的制作工藝上一直都是受制于人，但是其在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的確從來沒有落后過，這一點(diǎn)在顯卡方面尤其明顯，而且每次也都信心滿滿。近日據(jù)悉，AMD日前透露，20nm和14nmFinFET工藝的流片工作將在半年內(nèi)完成。 AMD高級(jí)副總裁、全球業(yè)務(wù)總經(jīng)理LisaSu在財(cái)務(wù)會(huì)議上表示：“AMD的技術(shù)工藝往往都處在領(lǐng)先的位置?，F(xiàn)在所有的產(chǎn)品系列都應(yīng)用上了28nm工藝。從設(shè)計(jì)的角度講，在未來兩個(gè)季度內(nèi)，我們將全面轉(zhuǎn)向20nm和FinFET(鰭式場效晶體管)。同時(shí)我們也將繼續(xù)和代工的合
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Mentor CEO：摩爾定律在20nm工藝后迎挑戰(zhàn)
- Mentor董事會(huì)主席兼CEOWallyRhines在9月3日于北京舉行的Mentor中國論壇上指出，數(shù)字半導(dǎo)體工藝目前已進(jìn)入28nm階段，但制造企業(yè)一直以來都在應(yīng)對(duì)來自成本方面的壓力。Mentor的RET/OPC解決方案為中國的芯片代工廠提供了緩解成本壓力的有效方法。 他認(rèn)為，摩爾定律現(xiàn)在仍然有效，但只是“學(xué)習(xí)曲線——成本降低曲線”的一種特例。進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到3
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臺(tái)積電加573億先進(jìn)制程 主攻20nm及FinFET
- 晶圓龍頭臺(tái)積電13日董事會(huì)通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步。 臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺(tái)幣2990億)，只少許落后英特爾的110億美元，是臺(tái)灣投資計(jì)劃最大的電子大廠。 設(shè)備廠商透露，臺(tái)積電加緊20納米及16納米先進(jìn)制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時(shí)程，添購所需設(shè)備，推估今年臺(tái)積電全年資本支出，絕對(duì)會(huì)在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。 設(shè)備商表示，臺(tái)積
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20nm臺(tái)積電提前一季量產(chǎn)
- 因應(yīng)生產(chǎn)蘋果新世代處理器，臺(tái)積電加速20納米及16納米制程腳步，其中20納米預(yù)定明年第1季量產(chǎn)，比預(yù)期提前一季量產(chǎn);16納米則在2014年量產(chǎn)。 據(jù)了解，臺(tái)積電將以20納米及16納米鰭式場效晶體管(FinFET)，為蘋果生產(chǎn)A7至A9等三代處理器，其中20納米和16納米制程均比預(yù)定時(shí)間提前一季，南科14廠的20納米今年6月試產(chǎn)，良率優(yōu)于預(yù)期;竹科12廠的16納米今年11月提前試產(chǎn)，初期投片量為數(shù)百片。 設(shè)備商預(yù)估，今年第4季，臺(tái)積電南科廠20納米單月投片量可望推升至2,000片，明年第1季
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聯(lián)電將跳過20nm 專攻FinFET
- 聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺(tái)積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場行銷處處長黃克勤表示，20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn)，且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢(shì)將增加一筆可觀花費(fèi)
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20nm介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)20nm的理解，并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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