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20nm
20nm 文章 進(jìn)入20nm技術(shù)社區(qū)
Altera公開(kāi)下一代20nm產(chǎn)品創(chuàng)新技術(shù)細(xì)節(jié)
- 不久前,Altera公司公開(kāi)了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù),通過(guò)在20 nm的體系結(jié)構(gòu)、軟件和工藝的創(chuàng)新,支持更強(qiáng)大的混合系統(tǒng)架構(gòu)的開(kāi)發(fā)。日前,Altera公司資深副總裁首席技術(shù)官M(fèi)isha Burich博士專程來(lái)到北京,詳細(xì)介紹了創(chuàng)新技術(shù)的細(xì)節(jié)。
- 關(guān)鍵字: Altera 20nm FPGA 201210
20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)
- 注2:doublepatterning(兩次曝光):20nm后需要兩次曝光或多次曝光。28nm到20nm時(shí),設(shè)備不用做大的改變,但是設(shè)計(jì)手段要變。因?yàn)?0nm后,設(shè)計(jì)間距太窄了,一次曝光會(huì)使光線無(wú)法穿過(guò),或者穿過(guò)的光線大大失真。doublepatterning就像兩個(gè)人坐在一起,為了加大間距,中間可隔開(kāi)一個(gè)位置。因此,人們把一層金屬拆成兩個(gè)mask(掩膜),這樣間距加大,光的不良效應(yīng)就降低。方法是第一次曝光奇數(shù)行,第二次偶數(shù)行。
- 關(guān)鍵字: 20nm 3D
ARM將與Global Foundries合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)20nm芯片
- 近日,ARM和Global Foundries簽訂了一個(gè)長(zhǎng)期協(xié)議,將一起研發(fā)生產(chǎn)下一代移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)(SoC)芯片。屆時(shí),兩家公司將合力開(kāi)發(fā)生產(chǎn)20nm芯片,并在生產(chǎn)過(guò)程中使用FinFET加工技術(shù)。另外,根據(jù)這個(gè)協(xié)議,ARM還需要著手開(kāi)發(fā) Artisan Physical IP 平臺(tái),其中包括電池庫(kù)、記憶卡及POP IP解決方案。 而研發(fā)生產(chǎn)出來(lái)的芯片將用于下一代的智能手機(jī)、平板電腦和超級(jí)本。 據(jù)報(bào)道,Global Foundries生產(chǎn)的20nm LPM技術(shù)將可提升芯片40%的性能表現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: ARM 20nm
20nm是如何改變半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的
- 芒果啤酒對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造業(yè)有什么貢獻(xiàn)?我從未想象過(guò),在一張來(lái)自世界各地的啤酒愛(ài)好者的表單中,果味啤酒會(huì)通過(guò)一項(xiàng)味覺(jué)測(cè)試。事實(shí)證明,芒果啤酒非常好!同樣的道理,20nm曾經(jīng)被認(rèn)為華而不實(shí),不會(huì)投入量產(chǎn),不會(huì)微縮,但事實(shí)證明20nm非常好。那些前沿的無(wú)晶圓廠商們6個(gè)月前還在撓頭糾結(jié),現(xiàn)在已經(jīng)在規(guī)劃著明年第一季度20nm的流片了。 20nm工藝節(jié)點(diǎn)是電子產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。它帶來(lái)巨大的動(dòng)力、性能和面積優(yōu)勢(shì),同時(shí)帶來(lái)了光刻技術(shù)、可變性和復(fù)雜性等挑戰(zhàn)。然而令人欣慰的是,通過(guò)在端到端、集成設(shè)計(jì)流程中使用EDA
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 20nm IDM
GLOBALFOUNDRIES代工意法半導(dǎo)體28納米和20納米芯片
- 意法半導(dǎo)體宣布,引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的期望越來(lái)越高,要求既能處理精美的圖片,支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能,同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設(shè)備廠商滿足消費(fèi)者這些需求的努力中,意法半導(dǎo)體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。 多媒體融合應(yīng)用需要性能
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 20nm 28nm
28nm芯片供不應(yīng)求 或影響高端智能手機(jī)市場(chǎng)
- 全球智能手機(jī)市場(chǎng)近幾年來(lái)出現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng),智能手機(jī)迅速對(duì)功能手機(jī)進(jìn)行更新?lián)Q代,高端智能手機(jī)的需求也同樣增長(zhǎng)迅猛。但目前最高端的28納米尺寸芯片的缺貨,可能對(duì)高端智能手機(jī)的出貨產(chǎn)業(yè)影響。雖然日前分析家稱,蘋(píng)果公司下一代iPhone的發(fā)布計(jì)劃不會(huì)受到高通公司28納米芯片缺貨的影響,但高通公司13日也承認(rèn)28納米芯片供給吃緊,問(wèn)題要等到今年10~12月才能得到緩解。 28納米芯片缺貨 隨著越來(lái)越多的人開(kāi)始使用手機(jī)和平板電腦上網(wǎng)、玩游戲和看視頻,對(duì)移動(dòng)設(shè)備芯片的需求也在增加。據(jù)美國(guó)市場(chǎng)研究公司com
- 關(guān)鍵字: ARM 20nm 28nm
三星嫁西安,看上去很美
- 最近,有關(guān)于三星存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目落戶西安的新聞充斥網(wǎng)絡(luò),引起了很大的爭(zhēng)議。 該項(xiàng)目是三星電子繼1996年于美國(guó)奧斯汀之后第二次在海外設(shè)立半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,同時(shí)是三星電子海外投資史上最大的項(xiàng)目,也是我國(guó)西部地區(qū)迄今為止最大的外商投資高新技術(shù)項(xiàng)目。該項(xiàng)目主要包含20nm工藝存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線以及相關(guān)研發(fā)中心,三期預(yù)計(jì)總投資300億美元,第一期約70億美元,將坐落于西安市長(zhǎng)安區(qū)興隆鄉(xiāng),毗鄰西安電子科技大學(xué),計(jì)劃今年開(kāi)工,明年年底前投產(chǎn)。 爭(zhēng)議的焦點(diǎn)不在于三星此次投資的規(guī)模,而在于西安方面給出的優(yōu)惠政策。
- 關(guān)鍵字: 三星 20nm 生產(chǎn)線
20nm制程后年來(lái)到:臺(tái)積電Fab 14五期動(dòng)工
- 根據(jù)官網(wǎng)消息,臺(tái)積電于今日在臺(tái)南科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行Fab 14超大型晶圓廠五期奠基儀式。此前本站曾經(jīng)報(bào)道臺(tái)積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產(chǎn)能不足的現(xiàn)狀,但從今日公告看來(lái)其意義遠(yuǎn)不僅僅如此。 臺(tái)積電稱,今日奠基的Fab 14五期將是臺(tái)積電繼新竹園區(qū)Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產(chǎn)能力的超大型12英寸晶圓廠,預(yù)計(jì)將于2014年初進(jìn)行量產(chǎn)。兩座晶圓廠總無(wú)塵潔凈室面積高達(dá)87000平方米,超過(guò)11個(gè)足球場(chǎng)的面積,是一般2英寸晶圓廠的4倍。臺(tái)積電稱該公司的20nm制程工藝
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 20nm
IBM/GF/三星聯(lián)合展望20nm、14nm
- 通用平臺(tái)聯(lián)盟的三巨頭IBM、GlobalFoundries、三星電子將于今年3月14日(德國(guó)漢諾威CeBIT 2012展會(huì)之后一周)在加州圣克拉拉舉行2012年通用平臺(tái)技術(shù)論壇,主題是“預(yù)覽硅技術(shù)的未來(lái)”(previewing the future of silicon technology)。 屆時(shí),三大巨頭將會(huì)聯(lián)合介紹在28nm、20nm、14nm等一系列新工藝技術(shù)上的發(fā)展和開(kāi)發(fā)情況,同時(shí)還會(huì)展望下一代450毫米晶圓——比現(xiàn)在流行的300毫米大
- 關(guān)鍵字: IBM 20nm
TSMC確認(rèn)將擴(kuò)大旗下Gigafab工廠20nm產(chǎn)能
- 臺(tái)灣TSMC公司宣布,該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15(Gigafab)工廠的phase3廠房建設(shè),新廠房將會(huì)被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。 TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設(shè),并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝,計(jì)劃于2012年年初投入生產(chǎn)。與此同時(shí),F(xiàn)ab15,phase2于2011年年中開(kāi)始建設(shè),計(jì)劃于明年投入生產(chǎn)。Fab15/1和Fab15/2預(yù)計(jì)將會(huì)每年帶來(lái)約30億美元的產(chǎn)值,而phase3在不久的未來(lái)也將會(huì)達(dá)到相似的規(guī)模。 TSMC公司主席Mo
- 關(guān)鍵字: TSMC 20nm
MRAM熱輔助寫(xiě)入 為實(shí)現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國(guó)研究機(jī)構(gòu)SPINTEC與開(kāi)發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開(kāi)發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching:TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國(guó)亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開(kāi)幕的磁技術(shù)國(guó)際會(huì)議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項(xiàng)邊用加熱器對(duì)MTJ元件存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱,邊寫(xiě)入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對(duì)存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱后,矯頑力會(huì)
- 關(guān)鍵字: MRAM 20nm
GlobalFoundries 20nm工藝成功流片
- GlobalFoundries今天宣布,最新的20nm工藝試驗(yàn)芯片已于近日成功流片,這也是新工藝發(fā)展之路上里程碑式的關(guān)鍵一步。 GlobalFoundries 20nm工藝使用了四家電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)廠商的工藝流程,分別是Cadence Design Systems、Magma Design Automation、Mentor Graphics Corporation、Synopsys Inc.。
- 關(guān)鍵字: GlobalFoundries 20nm
20nm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條20nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)20nm的理解,并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)20nm的理解,并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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