2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
里程碑!IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片
- 藍(lán)色巨人出手就是王炸。 5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?! 『诵闹笜?biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍,也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。 2nm晶圓近照 換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi),就能容納500億顆晶體管?! ⊥瑫r(shí),IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當(dāng)前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。 實(shí)際上,I
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠,擁有近500個(gè)客戶,這就是他們的獨(dú)特之處。一方面,公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù);另一方面,就容量和技術(shù)而言,他們必須領(lǐng)先于其他任何人;就產(chǎn)能而言,臺(tái)積電(TSMC)是不接受任何挑戰(zhàn),而且未來幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中,約有80%將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為,到今年年底,先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大,擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)(WSP
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全球沖刺2nm,臺(tái)積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝,這是為何?
- 前兩天,臺(tái)媒報(bào)道稱臺(tái)積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能,據(jù)悉,該計(jì)劃將于不久后正式啟動(dòng),新產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出,并于2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺(tái)積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時(shí),大部分人對(duì)此感到非常驚訝,在更多人眼中,臺(tái)積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商,在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候,它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm,甚至是更加先進(jìn)的工藝,而卻不曾想臺(tái)積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上,投資28nm工藝只是臺(tái)積電的計(jì)劃之一,而其從始至終
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臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段:升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠,臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手,明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝,接下來則是2nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元,其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展,進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張,此前只是技術(shù)探索階段,尋找到了可行的技術(shù)路徑?,F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段,重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺(tái)積電的說法,2nm工藝節(jié)點(diǎn)上,他們也會(huì)放棄FinFE
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臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁
- 近期臺(tái)積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?! ∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造,預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn),并且進(jìn)一步到2nm工藝,這都只是時(shí)間問題?! ?jù)Wccftech報(bào)道,為了更好地達(dá)成這些目標(biāo),臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺(tái)
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破!2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領(lǐng)先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道,臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破,雖未披露細(xì)節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì),2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對(duì)手的差距,同時(shí)延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì),蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上,臺(tái)積
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臺(tái)積電:2nm芯片研發(fā)重大突破,1nm也沒問題
- 一、臺(tái)積電:第一家官宣2nm工藝,研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺(tái)媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu),臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)架構(gòu),研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉,臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)??剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微
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臺(tái)積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報(bào)道,臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破:臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段,并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前,臺(tái)積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝,該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場效應(yīng)(MBCFET)晶體管,它是對(duì)先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺(tái)積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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臺(tái)積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。據(jù)悉,臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)??剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光(EUV)微顯
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臺(tái)積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺(tái)積電,近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列,他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn),為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后,臺(tái)積電下一步工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝,其中3nm工藝在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上均有提及,臺(tái)積電CEO魏哲家透露正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝,也有了消息。外媒的報(bào)道顯示,在昨日的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上,他們透露正在同一
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臺(tái)積電2nm工廠計(jì)劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝,為盡快量產(chǎn),相關(guān)的工廠也需要提前謀劃,同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn),2nm工藝也還在研發(fā)階段,但臺(tái)積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺(tái)積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息,源自臺(tái)積電負(fù)責(zé)營運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報(bào)道中表示,秦永沛透露臺(tái)積電計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠,建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺(tái)積電總部所在地,先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過臺(tái)積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),業(yè)界以
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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝:成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
- 關(guān)鍵字: CPU處理器 臺(tái)積電 2nm
臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝:成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國CPU芯片將實(shí)現(xiàn)彎道超車 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日,中科院對(duì)外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過100億個(gè)晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技術(shù)上的確實(shí)現(xiàn)了巨大突破,也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后,中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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