3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí) SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級(jí)半導(dǎo)體峰會(huì)之一的 Flash Memory 峰會(huì)將于 2020 年 11 月 10 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲(chǔ)單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計(jì)，算是美光的過(guò)渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲(chǔ)技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％

• 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日?qǐng)?bào)道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國(guó)對(duì)華為的制裁所致，這加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據(jù)市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì)，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對(duì)比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲(chǔ)卡和用于 USB 的多層單元存儲(chǔ)（MLC）
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完全漲不動(dòng)：內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底

• 根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。簡(jiǎn)單回顧下，內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開(kāi)始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動(dòng)了PC等設(shè)備的需求增長(zhǎng)，內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈，但持續(xù)的時(shí)間并不長(zhǎng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來(lái)說(shuō)，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無(wú)論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者，其季節(jié)性的購(gòu)買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

• SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

• 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個(gè)多月之后，終于迎來(lái)了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊(cè)資本51.091億元人民幣。經(jīng)營(yíng)范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、計(jì)算機(jī)、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲(chǔ)器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開(kāi)發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開(kāi)發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗(yàn)鑒定、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、民用核安全設(shè)備無(wú)損檢驗(yàn)、
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HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

• 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長(zhǎng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計(jì)算機(jī)硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長(zhǎng)了30萬(wàn)倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
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三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)

• 實(shí)現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計(jì)生產(chǎn)新一代VNAND與超精細(xì)制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車電裝市場(chǎng) 韓國(guó)首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開(kāi)工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開(kāi)創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達(dá)12.89萬(wàn)平方米（
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三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

• 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號(hào)線占地超過(guò)128900平方米，相當(dāng)于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

• 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報(bào)道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報(bào)道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因?yàn)槿菍で竺髂觊_(kāi)始同臺(tái)積電在先進(jìn)芯片的封裝方面展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡(jiǎn)稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來(lái)
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

• 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來(lái)自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡(jiǎn)稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運(yùn)算、行動(dòng)和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

• 日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來(lái)汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè)影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無(wú)人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無(wú)人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來(lái)越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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打破國(guó)外壟斷，全國(guó)產(chǎn)3D芯片為機(jī)器人“點(diǎn)睛”

從原子的物理世界到0和1的數(shù)字世界，3D視覺(jué)“感知智能”技術(shù)是第一座橋梁。我國(guó)放量增長(zhǎng)的工業(yè)級(jí)、消" />

• 傳統(tǒng)機(jī)器人只有“手”，只能在固定好的點(diǎn)位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術(shù)大大推動(dòng)了機(jī)器和人的協(xié)作，這也對(duì)機(jī)器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測(cè)量、抓取、移動(dòng)和避讓物體，機(jī)器人首先需要對(duì)周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺(jué)芯片可以引導(dǎo)機(jī)器人完成上述復(fù)雜的自主動(dòng)作，它相當(dāng)于機(jī)器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國(guó)內(nèi)一家芯片代工廠進(jìn)入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進(jìn)入批
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• 7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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