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          長江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級

          • 近日,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡稱“長江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長江存儲(chǔ)高級副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

          • 全球范圍看,2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計(jì),2021年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲(chǔ)存芯片市場主要被韓國、歐美以及
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  DRAM  NAND Flash  

          長江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

          • 這兩年,長江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

          •   國內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支:半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè),根據(jù)功能的不同,集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析  國內(nèi)開始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)?;袊箨懙拇鎯?chǔ)器公司陸續(xù)成立,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下,國內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機(jī)遇。  半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DRAM  市場  

          TrendForce:DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%

          • 根據(jù)TrendForce最新研究顯示,盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱,但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢,并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象,使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價(jià)意圖,尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力,此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%,擴(kuò)大至近10%,若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價(jià)求售的狀況,跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望,且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個(gè)月以上,除非有極大的價(jià)格
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

          • 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?,國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

          • 中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲(chǔ)直接越級跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

          • 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲(chǔ)跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          TrendForce:第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3~8%

          • 據(jù)TrendForce研究,盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐,第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響,進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升,成為第三季DRAM價(jià)格下跌3~8%的主因,且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存,采購力道尚難回溫。同時(shí),由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求,因此即便
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級

          • 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場效晶體管(FinFET)透過這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
          • 關(guān)鍵字: imec  晶背供電  邏輯IC  布線  3D IC  

          英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

          • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙,支持新服務(wù)的無縫接入,并提高被動(dòng)安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求,以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專注3D ToF(飛行時(shí)間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。         
          • 關(guān)鍵字: 3D  圖像傳感器  

          英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù),賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

          • 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健nA(yù)計(jì)今年下半年,AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計(jì),將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì),擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力,能夠讓操作人員更高效地開展工作,幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程,并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
          • 關(guān)鍵字: 3D  s深度傳感  

          SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

          • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片,從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算(accelerated computing)SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  英偉達(dá)  HBM3  DRAM   

          3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎?

          • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問題之前,我
          • 關(guān)鍵字: DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

          利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

          • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出,爭取韓系DRAM廠退出后的市占率,推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程,將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn),為長遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動(dòng)能,同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)、電動(dòng)車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價(jià)格回升,SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn),季度營收265.14億元為歷史次高,歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高,每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
          • 關(guān)鍵字: DRAM  華邦電  AIoT  元宇宙  
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          3d dram介紹

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